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      • Silicon oxide coating for passivating the surface of BAM phosphor powders

        Hyug Jong Kim,Young Kyu Jeong,Hee Gyu Kim,Byung Ho Choi 한국로고스경영학회 2008 한국로고스경영학회 학술발표대회논문집 Vol.2008 No.5월

        BaMgAl₁?O₁?:Eu²? blue phosphor for display devices was unstable and degraded under the high fabrication temperature and the harsh condition of the plasma. In order to reduce the degradation problem. the growth of SiO₂ nano film on BaMgAl₁?O₁?:Eu²? blue phosphor using atomic layer deposition was investigated. SiO₂ films were prepared using Si(OC₂H?)₄ C₂H?N and H₂O as precursor, catalyst and reactant gas, respectively. X ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) analysis showed the surface composition of phosphor powder was silicon oxide. The photoluminescence intensity for SiO₂- coated phosphors showed 1.2~5.5 % higher than that of uncoated. To investigate the effect of SiO₂- coated phosphor on the thermal degradation, the photoluminescence intensity for uncoated phosphors decreased more rapidly than that of phosphors coated with SiO₂ films that might retard the oxygen to diffusion into phosphors and react with europium ion.

      • LUMINESCENT PROPERTIES OF AL₂O₃ THIN FILMS GROWN BY ATOMIC LAYER DEPOSITION ON BaMgAl₁₀O₁₇:Eu²⁺ PHOSPHORS

        Hyug Jong Kim,Hyung Su Kim,Hyu Suk Kim,Young Kyu Jeong,Byung Ho Choi 한국로고스경영학회 2006 한국로고스경영학회 학술발표대회논문집 Vol.- No.-

        The effect of growing Al₂O₃ thin films on BaMgAl₁?O₁?:Eu²? phosphor using atomic layer deposition is investigated. Al₂O₃ films were prepared in the chamber at the temperature of 350℃ using Al(CH₃)₃ and H₂O as precursors and reactant gas, respectively. FTIR analysis showed the surface composition of coated phosphor was aluminum oxide. By analysis of particle sizes grown with Al₂O₃ thin films, the growth rate was estimated to 0.7Å/cycle. The photoluminescence intensity of grown phosphors showed 10.3~36% higher than that of ungrown. This means that the reactive surface is uniformly grown with stable aluminum oxide to reduce the dead surface layer without change of bulk properties.

      • HIGHER PHOTOLUMINESCENCE OF THE BLUE PHOSPHOR USING ATOMIC LAYER DEPOSITION

        Hyug Jong Kim,Young Kyu Jeong,Hee Gyu Kim,Hoe Kyun Shin,Byung Ho Choi 한국로고스경영학회 2007 한국로고스경영학회 학술발표대회논문집 Vol.2007 No.7월_2

        An investigation is reported by the growth of the SiO₂ film on BaMgAl₁?O₁?:Eu? blue phosphor using atomic layer deposition. Silicon oxide films were prepared at the room temperature using Si(OC₂H?)₄, C₂H?N and H₂O as precursor, catalyst and reactant gas, respectively. X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) analysis showed the surface composition of coated phosphor powder was silicon oxide. The surface morphology became smoother and clearer than that of uncoated powder. The photoluminescence intensity for coated phosphors showed 0.6-11.3% higher than that of uncoated. This means that the reactive surface is uniformly grown with stable the silicon oxide to reduce the dead surface layer without change of bulk properties and also the oxide absorption is almost negligible due to nano-scaled thickness.

      • SCIESCOPUSKCI등재

        Effect of Nanoscaled SiO2 Coating on Luminescent Properties of Blue Phosphors

        ( Hyug Jong Kim ),( Young Kyu Jeong ),( Hee Gyu Kim ),( Byung Ho Choi ) 대한금속재료학회 ( 구 대한금속학회 ) 2008 ELECTRONIC MATERIALS LETTERS Vol.4 No.3

        An investigation is reported on the growth of SiO2 nano-film on BaMgAl10O(17:)Eu+ blue phosphors using atomic Layer deposition. Silicon oxide films were prepared at room temperature using Si(OC2H5)4, C2H5N and H2O as precursor, catalyst and reactant gas, respectively. XPS analysis showed the surface composition of coated phosphor powder was silicon oxide. In TEM and FESEM analysis, the growth rate was about 0.66 A/cycle and the surface morphology became smoother than that of uncoated powder. The photoluminescence intensity for coated phosphors was 0.6~11.3% higher than that of uncoated.

      • 크?토시스템의 DBMS 응용에 관한 연구 (Crypto - DBMS 프로토타입 구현)

        김종혁(Jong Hyug Kim),남길현(Kil-Hyun Nam) 한국정보과학회 1989 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.16 No.2

        종래의 데이타베이스 보안은 대부분 액세스 제어에 의존하는 소극적인 보안대책으로 여러 형태의 공격으로부터 취약성을 갖고 있다. 이에 적극적인 대책의 일환으로 암호화 제어(cryptographic control)를 추가하여 보다 강력한 보호 메카니즘을 제안하였다. 이를 본 논문에서는 Crypto-DBMS라 칭하고, PC Level에서 프로토타입으로 구현하여 크립토시스템이 포함된 DBMS를 실용화하고자 하였다. 암호화 제어를 위한 크?토시스템은 ACE(Algebraic Coded Encryption) 알고리즘에 Reed-Solomon 부호 RS(31, 23)를 적용하여 DES에 비해 높은 비도를 갖도록 하였으며, 액세스 제어를 위한 액세스 매트릭스의 요소는 사용자 인증을 위한 사용자 식별자와 패스워드, 사용자 비밀등급, 접근 권한, 자료의 비밀등급 등으로 구분하였다.

      • 광원자층증착법에 의한 glass 기판에 TiO<sub>2</sub> 박막 코팅

        김혁종(Kim, Hyug-Jong),김희규(Kim, Hee-Gyu),김도형(Kim, Doe-Hyoung),강인구(Kang, In-Gu),최병호(Choi, Byung-Ho) 한국신재생에너지학회 2009 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2009 No.11

        염료감응형 태양전지의 구성체 중 전극으로 연구 되어 지고 있는 TiO₂는 기존에 대량 생산이 가능한 spin coating법, screen printing법, spray법의 연구가 이루어져 왔으나 고 효율 태양전지에 쓰이는 전극 시스템에 비해 고 분산성을 지닌 TiO₂페이스트를 제조 하는데 어려움이 있다. 그리고 플렉시블 디스플레이 소자의 응용을 위해서는 소자 공정 온도인 250?C 이하의 공정 온도가 요구 되어 지므로 고온공정인 CVD법은 이에 적합하지 않다. 이에 본 연구는 진공 증착 방법인 광원자층증착법을 이용하여 150?C이하의 저온공정온도에서도 적용이 가능한 TiO₂ 박막을 185nm의 UV light를 조사하여 glass 기판위에 제조 하고 그에 따른 박막의 물성 분석을 하였다. Mo source로는 titanium tetraisopropoxide(TTIP)와 reactant gas 로는 H₂O를 사용하였으며 불활성 기체인 Ar 가스는 purge 가스로 각각 사용하였다. 100?C{sim}250?C 공정온도를 변수로 TiO₂ 박막을 제조 하였으며 제조된 TiO₂ 박막의 물성 분석을 위해 FESEM, TEM을 이용하여 표면 및 두께를 분석하였다. 또한 100?C 400 cycles에서 약 12nm 막 두께를 관찰 할 수 있었으며 그 결과 박막의 성장률이 0.3{AA}/cycle 임을 확인 할 수 있었다. 그리고 UV-VIS을 이용하여 박막의 좌외선에 대한 흡수도 및 투과도 분석을 하였다. 또한 XPS 성분 분석을 통하여 100?C의 저온 공정에서 형성된 박막이 TiO₂임을 확인 하였다. 이러한 결과에서 185nm의 UV light에 의한 광원자층 증착법으로 100?C의 저온에서도 TiO₂ 박막이 증착 되는 것을 확인 할 수 있었다.

      • KCI등재

        대학생 연줄망 측정을 위한 척도 개발

        최종혁(Choi Jong-Hyug),김형준(Kim Hyung-Jun),안태숙(Ahn Tae-Sook),허정은(Huh Jung-eun),권혁수(Kwon Hyuk-Soo),김효정(Kim Hyojung) 한국사회복지학회 2009 한국사회복지학 Vol.61 No.3

        본 연구는 대학생들의 연줄망을 측정하는 도구개발을 목적으로 한다. 이를 위해 문헌고찰, 전문가집단의 회의, 대학생을 대상으로 한 면대면 심층 인터뷰 및 두 차례의 사전조사를 통해 연줄망의 관계적, 구조적, 기능적 영역의 개념을 도출하고 25개의 예비문항을 개발하였다. 본 조사를 통한 최종결과로 연줄망의 관계적 영역 2개, 구조적 영역 7개, 기능적 영역 14개 등 총 23개 문항의 척도를 확정하였다. 연줄망의 기능적 영역에 대한 척도는 탐색적 요인분석을 통해 정서적ㆍ경제적ㆍ영적ㆍ사회관계적 기능 등 네 가지의 하위요인으로 구성되었으며, 전체 Cronbach's α값이 0.716으로 만족할 만한 신뢰도와 타당도를 나타내었다. 본 연구에서 도출된 대학생들의 연줄망 측정도구는 대학생들이 처한 다양한 사회적 문제들을 가시화하는 동시에 대학생들의 특정한 욕구를 해소해 나가는 전략을 수립하는 데에 기여할 수 있을 것이다. The purpose of this study is to develop a scale for the social network of college students in Korea. The social network scale for college students in this paper was developed through 1) literature review and item development 2) focus-group meeting 3) depth-interview with college students 4) pilot-studies and 5) study. The scale of 23 items has been constructed with three features : The first is 'relational feature' with 2 items; the second 'structural feature' with 7 items; and the third 'functional feature' with 14 items. The functional feature in this social network scale has consisted of emotional, economic, spiritual, and socio-relational aspects and has been revealed to the validity and the reliability of Cronbach's α 0.716. This study would contribute for college students to solve the many problems in their own lives through the social networks.

      • KCI등재

        임신성 당뇨 과거력의 여성에서 제2형 당뇨병 발생과 LEP 및 LEPR 유전자의 연관성 분석

        박영준 ( Young Joon Park ),김세련 ( Se Ryun Kim ),김종욱 ( Jong Wook Kim ),김민형 ( Min Hyeung Kim ),양재혁 ( Jae Hyug Yang ),김형진 ( Hyeong Jin Kim ),조율희 ( Youl Hee Cho ),정성노 ( Sung Ro Jung ) 대한산부인과학회 2008 Obstetrics & Gynecology Science Vol.51 No.2

        목적: 임신성 당뇨 과거력의 여성이 산후 약 반수에서 제2형 당뇨병으로 발병하는 것으로 알려져 있다. 몇 가지 임상적 위험 인자가 제2형 당뇨병 발생에 관여하는 것으로 알려져 있으나 유전자와의 관련성에 대한 보고는 아직 없다. 본 연구는 leptin 및 leptin receptor 유전자가 임신성 당뇨의 과거력을 가진 여성에서 향후 제2형 당뇨병으로의 발병에 관여하는지 알아보고자 하는데 있다. 연구방법: 1992년 1월 1일부터 2002년 12월 31일까지 산부인과에 내원하여 임신성 당뇨로 진단된 여성을 대상으로 하였다. 연구 시점에서 제2형 당뇨병으로 확인된 경우를 제2형 당뇨병 양성군, 확인이 안 된 경우를 제2형 당뇨병 음성군으로 정의하였다. 임신성 당뇨 진단시와 연구 시점에서의 임상적 자료를 분석하였다. 관련이 있는 유전자를 알아보기 위해 leptin 및 leptin receptor 유전자와 8개의 SNP (LEP-632G>A, +4950G>A, +4998A>C, and LEPR-141013T>C, -186A>G, +5193G>A, +7187A>C, +27265A>G)를 선별하였다. 두 군 간에 유전적 위험도를 분석하고 두 군간에 통계적으로 차이를 보이는 SNP가 있는지 조사하였다. 결과: 임신성 당뇨 과거력을 가지고 있는 54명이 참여하였고, 제2형 당뇨병 양성군이 20명, 음성군이 34명으로 확인되었다. 임신성 당뇨 진단시 제2형 당뇨병 양성군과 음성군 간에 HbA1c와 50g 및 100g 당부하검사, 인슐린 농도 등이 통계적으로 유의하였다 (P<.05). 연구 시점에서 두 군간에 산과력 (P<.001) 외에는 통계적으로 유의한 차이가 없었다. 임신성 당뇨 진단 후 제2형 당뇨병 발생으로의 유전적 위험도 분석에서 두 군간에 유의한 차이를 보이는 SNP는 없었다. 결론: 임신성 당뇨의 과거력을 가진 여성에서 향후 제2형 당뇨병으로 발생하는데 관여하는 유전자는 본 연구에서는 없었다. 향후 더 많은 유전자와 더 많은 대상을 가지고 연구한다면 임신성 당뇨에서 제2형 당뇨병으로의 발생에 관여하는 유전자를 찾아낼 수 있을 것으로 판단된다. Objective: The history of gestational diabetes (GDM) is a high risk for the development of type 2 diabetes mellitus (T2DM). The purpose of this study is to investigate the genetic association of LEP and LEPR gene polymorphisms and the development of T2DM in Korean women of history of GDM. Methods: Women diagnosed as GDM during pregnancy from January 1992 to December 2002 were recruited. Those women with a T2DM at the time of study were classified as T2DM positive group, and without T2DM, as T2DM negative group. 2 genes (LEP and LEPR genes) and 8 SNPs (LEP-632G>A, +4950G>A, +4998A>C, and LEPR-141013T>C, -186A>G, +5193G>A, +7187A>C, +27265A>G) were selected. The TaqMan assay for genotyping and the statistical analysis for phenotypic and genetic factors between 2 groups were analyzed. Results: A total of 54 women, T2DM positive (n=20) and T2DM negative (n=34) were enrolled. At the time of diagnosis of GDM, HbA1c, 50g and 100g oral glucose tolerance test, and insulin level were significantly associated between T2DM positive and negative groups (P<.05). In analysis of genetic risk to T2DM, the significant association related with any SNPs was not shown between T2DM positive and negative groups. Conclusion: In Korean women having past history of GDM, there was no relationship between 2 genes and the development to T2DM. To clarify a effect of candidate genes related with development of T2DM, there will need more samples and genes.

      • SCOPUSKCI등재

        ZnS:Cu,Cl 형광체의 특성에 미치는 원자층 증착 초박막 HfO<sub>2</sub>의 영향

        김민완,한상도,김형수,김혁종,김휴석,김석환,이상우,최병호,Kim, Min-Wan,Han, Sand-Do,Kim, Hyung-Su,Kim, Hyug-Jong,Kim, Hyu-Suk,Kim, Suk-Whan,Lee, Sang-Woo,Choi, Byung-Ho 한국재료학회 2006 한국재료학회지 Vol.16 No.4

        An investigation is reported on the coating of ZnS:Cu,Cl phosphors by $HfO_2$ using atomic layer deposition method. Hafnium oxide films were prepared at the chamber temperature of $280^{\circ}C$ using $Hf[N(CH_3)_2]_4\;and\;O_2$ as precursors and reactant gas, respectively. XPS and ICP-MS analysis showed the surface composition of coated phosphor powder was hafnium oxide. In FE-SEM analysis, the surface morphology of uncoated phosphors became smoother and clearer as the number of ALD cycle increased from 900 to 1800. The photoluminescence intensity for coated phosphors showed $7.3{\sim}13.4%$ higher than that of uncoated. The effect means that the reactive surface is uniformly coated with stable hafnium oxide to reduce the dead surface layer without change of bulk properties and also its absorptance is almost negligible due to ultrathin(nano-scaled) films. The growth rate is about $1.1{\AA}/cycle$.

      • KCI등재

        원자층 증착법으로 성장한 HfO<sub>2</sub> 박막의 제조

        김희철,김민완,김형수,김혁종,손우근,정봉교,김석환,이상우,최병호,Kim Hie-Chul,Kim Min-Wan,Kim Hyung-Su,Kim Hyug-Jong,Sohn Woo-Keun,Jeong Bong-Kyo,Kim Suk-Whan,Lee Sang-Woo,Choi Byung-Ho 한국재료학회 2005 한국재료학회지 Vol.15 No.4

        The growth of hafnium oxide thin films by atomic layer deposition was investigated in the temperature range of $175-350^{\circ}C$ using $Hf[N(CH_3)_2]_4\;and\;O_2$ as precursors. A self-limiting growth of $0.6\AA/cycle$ was achieved at the substrate temperature of $240-280^{\circ}C$. The films were amorphous and very smooth (0.76-0.80 nm) as examined by X-ray diffractometer and atomic force microscopy, respectively. X-ray photoelectron spectroscopy analysis showed that the films grown at $300^{\circ}C$ was almost stoichiometric. Electrical measurements performed on $MoW/HfO_2$(20 nm)/Si MOS structures exhibited high dielectric constant$(\~17)$ and a remarkably low leakage current density of at an applied field of $1.5-6.2\times10^{-7}A/cm^2$ MV/cm, probably due to the stoichiometry of the films.

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