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      LUMINESCENT PROPERTIES OF AL₂O₃ THIN FILMS GROWN BY ATOMIC LAYER DEPOSITION ON BaMgAl₁₀O₁₇:Eu²⁺ PHOSPHORS

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      https://www.riss.kr/link?id=A75834722

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      The effect of growing Al₂O₃ thin films on BaMgAl₁?O₁?:Eu²? phosphor using atomic layer deposition is investigated. Al₂O₃ films were prepared in the chamber at the temperature of 350℃ using Al(CH₃)₃ and H₂O as precursors and reacta...

      The effect of growing Al₂O₃ thin films on BaMgAl₁?O₁?:Eu²? phosphor using atomic layer deposition is investigated. Al₂O₃ films were prepared in the chamber at the temperature of 350℃ using Al(CH₃)₃ and H₂O as precursors and reactant gas, respectively. FTIR analysis showed the surface composition of coated phosphor was aluminum oxide. By analysis of particle sizes grown with Al₂O₃ thin films, the growth rate was estimated to 0.7Å/cycle. The photoluminescence intensity of grown phosphors showed 10.3~36% higher than that of ungrown. This means that the reactive surface is uniformly grown with stable aluminum oxide to reduce the dead surface layer without change of bulk properties.

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      목차 (Table of Contents)

      • ABSTRACT
      • INTRODUCTION
      • EXPERIMENTAL
      • RESULTS AND DISCUSSION
      • CONCLUSIONS
      • ABSTRACT
      • INTRODUCTION
      • EXPERIMENTAL
      • RESULTS AND DISCUSSION
      • CONCLUSIONS
      • REFERENCES
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