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ECMP 적용을 위한 Acid-와 Alkali-Based 최적화 전해액 선정에 관한 연구
이영균 ( Young Kyun Lee ),김영민 ( Young Min Kim ),박선준 ( Sun Jun Park ),이창석 ( Chang Suk Lee ),배재현 ( Jae Hyun Bae ),서용진 ( Yong Jin Seo ),정해도 ( Hae Do Jeong ) 한국전기전자재료학회 2009 한국전기전자재료학회 하계학술대회 논문집 Vol.2009 No.0
반도체 소자가 차세대 초미세 공정 기술 도입의 가속화를 통해 고속화 및 고집적화 되어 감에 따라 나노 (nano) 크기의 회로 선폭 미세화를 극복하고자 최적의 CMP (chemical mechanical polishing) 공정이 요구되어지고 있다. 최근, 금속배선공정에서 높은 전도율과 재료의 값이 싸다는 이유로 Cu를 사용하였으나, 디바이스의 구조적 특성을 유지하기 위해 높은 압력으로 인한 새로운 다공성 막(low-k)의 파괴와, 디싱과 에로젼 현상으로 인한 문제점이 발생하게 되었다. 이러한 문제점을 해결 하고자 본 논문에서는 Cu의 ECMP 적용을 위해 LSV (Linear sweep voltammetry)법을 통하여 알칼리 성문인 NaNO3 전해액과 산성성분인 HNO3 전해액의 전압 활성화에 의한 active, passive, transient, trans-passive 영역을 I-V 특성 곡선을 통해 알아보았고, 알칼리와 산성 성분의 전해액이 Cu 표면에 미치는 영향을 SEM (Scanning electron microscopy), EDS (Energy Dispersive Spectroscopy), XRD(X-ray Diffraction)를 통하여 전기화학적 특성을 비교 분석하였다. 본 연구는 한국 과학재단 특정기초연구(R01-2006-999-11275-0(2008))와 과학기술부/한국과학재단 국가핵심연구센터사업(R15-2006-022-01001-0)및 2009년도 2단계 두뇌한국(BK)21 사업의 지원으로 수행되었음.