HVPE 법을 활용한 GaN 성장 시 질화처리에 관한 연구

이승훈,이주형,이희애,오누리,이성철,강효상,이성국,양재득,박재화,Lee, Seung Hoon,Lee, Joo Hyung,Lee, Hee Ae,Oh, Nuri,Yi, Sung Chul,Kang, Hyo Sang,Lee, Seong Kuk,Yang, Jae Duk,Park, Jae Hwa 한국결정성장학회 2019 한국결정성장학회지 Vol.29 No.4

HVPE is one of the GaN single crystal manufacturing methods which has been commercially widely used due to its high growth rate. HVPE method consists of a number of processes, in particular the nitridation of the substrate prior to GaN growth has a significant effect on the crystalline quality of the manufactured GaN single crystal. In this study, we investigated the effect of nitridation for crystalline quality of GaN when it was grown on the sapphire substrate. The whole growth conditions except for the nitridation process were the same, and the gas flow rate supplied to the sapphire substrate was variously changed during the nitridation. Here, we examined the effect of nitridation via the surface characterization of GaN single crystal grown by HVPE. HVPE는 GaN 단결정의 제조 방법 중 하나로 빠른 성장 속도가 장점인 상업적으로 널리 사용되는 성장 방법이다. HVPE 법에 의한 GaN 단결정 성장은 여러 공정으로 이루어지며, 특히 GaN 성장 전 기판의 질화 처리는 성장되는 GaN 단결정 품질에 상당한 영향을 미친다. 본 연구에서는 사파이어 기판 위에 GaN 단결정 성장 시 기판의 질화처리가 성장되는 GaN 단결정 품질에 미치는 영향을 알아보고자 하였다. 질화 처리를 제외한 다른 성장 조건은 동일하게 하였고 질화처리 시 기판에 공급되는 가스 유량을 다양하게 변화시킨 후 GaN 박막을 성장시키고, 성장된 GaN의 표면 특성평가를 통하여, HVPE 법에서의 질화처리 효과를 고찰하여 보고자 하였다.

LCC분석에 의한 슬러지수집기 선정 모델

이승훈,우유미,이성락,구교진,현창택,홍태훈,Lee, Seung-Hoon,Woo, Yu-Mi,Lee, Sung-Rak,Koo, Kyo-Jin,Hyun, Chang-Taek,Hong, Tae-Hoon 한국건설관리학회 2006 건설관리 : 한국건설관리학회 학회지 Vol.7 No.6

사회기반시설의 노후화에 따라 시설물 유지관리에 관한 관심이 증대되고 있으며, 이에 따라 다양한 사회기반시설에 대한 LCC분석 연구가 수행되고 있다. 특히 기계설비가 다수 포함된 기반시설에서는 시설물의 건설비와 더불어 보수/교체비, 에너지비 등 유지관리비용이 높은 비중을 차지하고 있다. 이에 본 연구에서는 하수처리장의 슬러지 수집기 선정에 있어 정량적 요소와 정성적 요소를 모두 고려하는 LCC 분석 모델을 개발하고, 사례적용을 통하여 최적대안을 선정하고자 한다. 문헌고찰과 분석대상 하수처리장의 슬러지 수집기에 대한 공사비와 유지관리 및 보수/교체 이력자료를 바탕으로 비용항목을 도출한다. LCC분석을 위한 가정사항 설정 후, 각 항목별 실적자료와 장비납품업체의 정보를 활용하여 경제성 평가결과를 도출하고, 할인율과 초기투자비 및 유지관리비의 비용변동범위에 따른 민감도분석을 실시한다. 설계자, 자재공급업체 및 시공전문가의 면담을 통하여 유지관리 편의성, 조달 용이성, 슬러지 수집 성능, 침전물제거 효율도, 환경친화성 등 슬러지 수집기 선정을 위한 기술적 사회적 영향인자를 파악한다. 분석된 기술적 사회적 요인과 LCC 분석결과인 경제성에 대하여 각 항목별 쌍별비교를 통하여 항목별 가중치를 설정하고 전문가 평가를 통하여 종합적인 최적안을 선정한다. This study focused on developing Life Cycle Cost(LCC) analysis model for selecting sludge collectors in wastewater treatment system and applying the model to a case study. Cost items are examined through literature review and historical data of a facility. Analysis period, discount rate, energy cost escalation ratio are assumed to reasonable level. Monetary evaluation is performed using historical data and estimations from vendors. Sensitive analysis is executed using Monte Carlo Simulation for assumed factors. Interviews with operators, vendors, constructors, managers are conducted to define factors which indicates ease of maintenance, ease of delivery, technical performance, efficiency, environmental friendship. Factors are representing technical and social factors. Results from LCC analysis and qualitative analysis are evaluate together with Weighted Matrix Evaluation Methods for optimum alternative of sludge collectors.

상악 전치부에서 단일 치아 발거 후 즉시 임플란트 식립

이승훈,김영성,김원경,이영규,Lee, Seung-Hoon,Kim, Young-Sung,Kim, Won-Kyung,Lee, Young-Kyoo 대한치주과학회 2007 Journal of Periodontal & Implant Science Vol.37 No.3

Implants placed immediately after tooth extraction have been shown to be a successfully predictable treatment modality. Several clinical papers suggest that placing implants immediately after tooth extraction may provide some advantages: reduction of the number of surgical procedures or patient visits, preservation of the dimensions of alveolar ridge, and shortening of the interval between the removal of the tooth and the insertion of the implant supported restoration. In this case report, three patients received single immediate implant placements to replace a maxillary anterior tooth at the time of extraction. As the three cases were somewhat different, treatment protocols had to be modified as follows: Case 1. Immediate implant placement with healing abutment connection. Case 2. Immediate implant placement with immediate provisionalization. Case 3. Immediate implant placement with Guided Bone Regeneration(GBR). Every implant of these cases was placed in proper position buccolingually, mesiodistally and apicocoronally, The procedures following implantation such as immediate provisionalization and GBR were free of problem. Healing of each case was uneventful. In all cases, treatment outcomes were mostly satisfactory and the results maintained during follow-up periods. However, one case (Case 3) showed some papilla loss due to failure in delicate soft tissue handling during surgery. This papilla loss was compromised by prosthetic means. In conclusion, immediate implant placement in the fresh extraction socket can be a valid and successful option of treatment in aesthetic area. Moreover, this treatment protocol seems to maintain the preexisting architecture of soft and hard tissues in most cases.

인간 교세포주에서 CoCl₂에 의한 phospholipase D의 조절기전

이승훈,민계식,민도식,Lee, Seung-Hoon,Min, Gye-Sik,Min, Do-Sik 한국생명과학회 2006 생명과학회지 Vol.16 No.4

본 연구에서 최근 세포내 신호전달을 매개하는 중요한 효소로써 PLD 동위효소에 대하여, $CoCl_2$가 PLD 동위효소의 활성을 증가시킨다는 사실을 밝혔으며, 중간에 매개되는 단백질로써, PLD1은 p38 MAP kinase, PKA와 $PKC-{\delta}$의 조절을 받고 PLD2는 p38 MAP kinase와 PLC의 조절을 받으므로 그 활성 기전이 각각 다르다는 사실을 확인하였다. 그리고 $CoCl_2$에 의해 생성되는 활성산소 종에 의한 염증상태가 유도될 것이라고 예상하였고 $CoCl_2$가 PLD 동위효소를 매개로 하여 염증상태에서만 특이적으로 발현되고 염증반응을 매개하는 COX-2 단백질에 어떠한 영향을 미칠 것인가를 조사하였다. 결과적으로 $CoCl_2$에 의해 PLD 효소 활성이 증가됨으로써 COX-2의 발현이 증가한다는 것을 발견하였을 뿐만 아니라 COX-2의 발현에 대하여 COX-2 promoter의 활성도 증가한다는 사실을 확인함으로써 전사수준에서의 결과도 이를 뒷받침 해 주고 있었다. Phospholipase D (PLD) is known to play an important role in a variety of cells. However, little is known about $CoCl_2-mediated$ PLD signaling. In this study we demonstrated for the first time that $CoCl_2$ stimulates PLD activity and increases expression of cyclooxygenase-2 (COX-2), which is known to mediate inflammatory reaction. $CoCl_2-induced$ PLD activity was assessed by measuring the formation of $[^3H]$ phosphatidylbutanol (PtdBut), the product of PLD-mediated transphosphatidylation, in the presence of 1-butanol. To study mechanism of PLD signaling induced by $CoCl_2$, U87 human glioblastoma cells were stimulated by $CoCl_2$ and regulators of PLD activity induced by $CoCl_2$ were investigated using several inhibitors of signaling proteins. Moreover, PLD activation by $CoCl_2$ increased not only expression of COX-2 protein but also COX-2 promoter activity. In summary, these results suggest that $CoCl_2$ increases expression of COX-2 protein via PLD in human U87 glioblastoma cells.

소아 폐쇄성 수면무호흡증후군 1례

이승훈,권순영,이상학,장지원,김진관,신철,Lee, Seung-Hoon,Kwon, Soon-Young,Lee, Sang-Hag,Chang, Ji-Won,Kim, Jin-Kwan,Shin, Chol 대한수면의학회 2004 수면·정신생리 Vol.11 No.1

페쇄성 수면무호흡증후군은 다양한 원인에 의하여 발생할 수 있으며, 특히 편도 및 아데노이드 비대증은 소아에서 가장 흔한 원인이다. 편도 및 아데노이드 비대증에 의하여 발생한 폐쇄성 수면무호흡증후군은 다양한 증상과 함께 행동 장애, 야뇨증, 성장 및 발달장애, 폐성심, 고혈압과 같은 다양한 합병증을 초래할 수 있다. 이러한 이유로 임상적으로 소아에서 폐쇄성 무호흡증상이 수면 중에 관찰되면 적절한 진단과정 후에 상태에 따라서 적극적인 치료가 필요하다. 소아에서의 치료는 편도 및 아데노이드 비대증에 의한 경우 수술적인 제거를 통하여 80% 이상에서 호전을 관찰할 수 있다. 그러나 편도 및 아데노이드 제거 후에도 증상이 남아있거나 수술적인 치료가 불가능한 환아에 대해서는 체중조절, 수면자세의 변화와 같은 생활습관의 조절 및 지속적 기도양압호흡기를 이용하여 추가적인 치료를 시행할 수 있다. 저자들은 수면다원검사상 심한 폐쇄성 수면무호흡이 관찰되어 편도 및 아데노이드 절제술을 시행한 후 증상의 호전이 있었으나, 장기간 추적관찰 후 재발한 수면무호흡과 코골이를 조절하기 위하여 생활습관의 개선교육과 자동화 기도양압호흡기로 치료한 1례를 경험하였기에 보고한다. The obstructive sleep apnea syndrome can occur due to various etiologies in children. In otherwise healthy children, adenotonsillar hypertrophy is the leading cause of childhood obstuctive sleep apnea. Obstructive sleep apnea caused by adenotonsillar hypertrophy can lead to a variety of symptoms and sequelae such as behavioral disturbance, enuresis, failure to thrive, developmental delay, cor pulmonale, and hypertension. So if obstructive sleep apnea is clinically suspected, proper treatment should be administered to the patient after diagnostic examinations. More than 80% improvement is seen in symptoms of obstructive sleep apnea caused by adenotonsillar hypertrophy in children after tonsillectomy and adenoidectomy. However, when it is impossible to treat the patient using surgical methods or residual symptoms remained after tonsillectomy and adenoidectomy, additional treatments such as weight control, sleep position change, and continuous positive airway pressure (CPAP), should be considered. This paper reports a case using weight control and Auto-PAP to control mild sleep apnea and snoring, which in long-term follow-up were not resolved after tonsillectomy and adenoidectomy for severe obstructive sleep apnea.

저온 GaN의 성장 온도에 따른 에피택셜 GaN의 stress relaxation 효과

이승훈,이주형,오누리,이성철,박형빈,신란희,박재화,Lee, Seung Hoon,Lee, Joo Hyung,Oh, Nuri,Yi, Sung Chul,Park, Hyung Bin,Shin, Ran Hee,Park, Jae Hwa 한국결정성장학회 2022 한국결정성장학회지 Vol.32 No.3

이종 기판과 GaN의 물성 차이로 인해 발생하는 결함을 제어하기 위한 다양한 방법 중 동종 물질을 완충층으로 사용하는 LT-GaN 방법을 사용하여 완충층과 성장 온도의 상관성을 자체 제작한 성장 장비를 통해 확인하고자 하였다. 성장 온도에 따라 표면에 형성된 LT-GaN 결정성에 변화가 있었으며, annealing 후 LT-GaN가 나타내는 결정성에 따라 epiGaN의 응력 완화 효과에 차이점이 있었다. 반면 LT-GaN의 높은 결정성은 다결정을 형성하는 원인으로 작용하여 그 위에 성장하는 epi-GaN의 결정질을 저해하는 결과를 유발하였다.

TadGAN 기반 시계열 이상 탐지를 활용한 전처리 프로세스 연구

이승훈,김용수,Lee, Seung Hoon,Kim, Yong Soo 한국품질경영학회 2022 품질경영학회지 Vol.50 No.3

Purpose: The purpose of this study was to increase prediction accuracy for an anomaly interval identified using an artificial intelligence-based time series anomaly detection technique by establishing a pre-processing process. Methods: Significant variables were extracted by applying feature selection techniques, and anomalies were derived using the TadGAN time series anomaly detection algorithm. After applying machine learning and deep learning methodologies using normal section data (excluding anomaly sections), the explanatory power of the anomaly sections was demonstrated through performance comparison. Results: The results of the machine learning methodology, the performance was the best when SHAP and TadGAN were applied, and the results in the deep learning, the performance was excellent when Chi-square Test and TadGAN were applied. Comparing each performance with the papers applied with a Conventional methodology using the same data, it can be seen that the performance of the MLR was significantly improved to 15%, Random Forest to 24%, XGBoost to 30%, Lasso Regression to 73%, LSTM to 17% and GRU to 19%. Conclusion: Based on the proposed process, when detecting unsupervised learning anomalies of data that are not actually labeled in various fields such as cyber security, financial sector, behavior pattern field, SNS. It is expected to prove the accuracy and explanation of the anomaly detection section and improve the performance of the model.

Denitrification Potential and Denitrifier Abundance in Downstream of Dams in Temperate Streams

이승훈,정석희,강호정,Vo, Nguyen Xuan Que,Lee, Seung-Hoon,Doan, Tuan Van,Jung, Sokhee P.,Kang, Hojeong 한국미생물학회 2014 미생물학회지 Vol.50 No.2

댐의 존재가 하천 생태계에 미치는 영향을 연구하기 위해 다양한 연구가 지금까지 수행되어 왔지만, 댐이 하류의 탈질화에 미치는 영향은 잘 알려져 있지 않다. 대한민국 낙동강의 댐 원류에서 탈질화 효소 활성도(잠재 탈질율)와 탈질균 분포(nirS, nirK, nosZ 유전자를 표지유전자로 사용)를 조사하였다. 자갈 혹은 모래로 채워진 하천의, 갈대가 우거진 하변지역과 강바닥의 침전물을 채취하여 조사하였다. 이 실험의 가설은 다음과 같다. (i) 하천 침전물의 N과 C의 사용유효량이 높을수록 대조군에 비해 미생물 군집의 탈질화 작용이 더욱 증진한다, (ii) 하천생태계마다 상이하게 나타나는 잠재 탈질율 간의 차이는 탈질 미생물의 양에 비례한다. 30여 년간 댐에 의해 수문학적으로 큰 차이가 있었고 또한 댐 하류의 저서에 무기질소와 용존유기탄소 농도가 대조군에 비해 매우 높았음에도 불구하고, 탈질균 군집의 양과 잠재 탈질율은 하천 간에 큰 차이가 없었다. 하지만 nirS 유전자와 nosZ 유전자의 양과 잠재 탈질율은 댐 하류에 존재하는 자갈이 많은 하변과 모래가 많은 하천 바닥에서 홍수빈도와 계절별 온도변동에 관련하여 크게 증가함을 알 수 있었다. nirK 유전자는 모든 시료에서 발견되지 않았다. Canonical correspondence analysis (CCA) 분석결과는 탈질균 군집 양과 영양염류 가용도와 잠재 탈질율 사이에는 약한 상관관계가 있음을 보여주었다. Various studies have been conducted to investigate effects of dams on river ecosystems, but less information is available regarding damming impacts on downstream denitrification. We measured denitrification enzyme activity (potential denitrification rate) and denitrifier abundances (using nirS, nirK, and nosZ as markers) in dammed headstreams of the Nakdong River in South Korea. Sediments in Phragmites-dominated riparian areas and in-stream areas across streams (dammed vs. reference) with different streambed materials (gravel and sand) were sampled occasionally. We hypothesized that (i) the higher available N and C contents in sediments downstream of dams foster larger denitrifier communities than in the reference system and (ii) differences in potential denitrification rates across the systems correspond with denitrifier abundances. Despite 30 years of different hydrological management with dams and greater inorganic N and DOC contents in sediments downstream of dams, compared to the references, abundances of denitrifier communities and potential denitrification rates within the whole sediment were not significantly different across the systems. However, nirS and nosZ denitrifier abundances and potential denitrification rates were considerably increased in specific sediments downstream of dams (gravelly riparian and sandy in-stream) with regard to flooding events and seasonal temperature variation. nirK was not amplified in all sediments. Canonical correspondence analyses (CCA) revealed that the relationship between abundances of denitrifier communities and nutrient availabilities and potential denitrification rates was a weak one.

6 MeV 전자선의 차폐물질 원자번호와 조사야 크기에 따른 선량변화 연구

이승훈,곽근탁,박주경,김양수,차석용,Lee, Seung Hoon,Kwak, Keun Tak,Park, Ju Kyeong,Gim, Yang Soo,Cha, Seok Yong 대한방사선치료학회 2013 대한방사선치료학회지 Vol.25 No.2

목 적: 본 연구에서 우리는 6 MeV 전자선의 조사야 확대에 따른 선량변화가 차폐물질 원자번호와 관계가 있음을 알아보고 그 영향인자를 분석 하고자 한다. 대상 및 방법: 먼저 평행평판형 전리함(Exradin P11)을 $25{\times}25cm^2$ 폴리스티렌 팬텀표면에 평탄하게 끼운다. 허용투과율 5% 두께의 알루미늄, 구리, 납 물질들을 팬텀 상단에 차폐시킨 후 조사야 $6{\times}6$, $10{\times}10$ 그리고 $20{\times}20cm^2$별로 측정하였다. 조사조건은 선원-표면간거리 100 cm에서 기준조사야인 $10{\times}10cm^2$에 6 MeV 전자선을 이용하여 100 cGy 조사하였다. 다음으로 MCNP (Monte Carlo N Particle Transport Code)를 이용하여 각 물질 통과 후 발생되는 광자수, 전자수, 그리고 축적에너지를 계산하였다. 결 과: 허용투과율 5% 두께에 대한 차폐물 종류에 따른 측정결과 조사야 $10{\times}10cm^2$을 기준으로 한 $6{\times}6cm^2$과 $20{\times}20cm^2$의 두께변화율은 알루미늄에서 각각 +0.06%와 -0.06%, 구리에서 각각 +0.13%와 -0.1%, 납에서 각각 -1.53%와 +1.92%였다. 계산결과 조사야 $10{\times}10cm^2$ 대비 $6{\times}6cm^2$, $20{\times}20cm^2$의 축적에너지는 차폐를 하지 않았을 경우 각각 -4.3%와 +4.85%, 알루미늄 사용 시 각각 -0.87%와 +6.93%, 구리 사용 시 각각 -2.46%와 +4.48%, 납 사용 시 각각 -4.16%와 +5.57%였다. 광자수의 경우 차폐를 하지 않았을 경우 각각 -8.95%와 +15.92%, 알루미늄 사용 시 각각 -15.56%와 +16.06%, 구리 사용시 각각 -12.27%와 +15.53%, 납 사용 시 각각 -12.36%와 +19.81%였다. 전자수의 경우 차폐를 하지 않았을 경우 각각 -3.92%와 +4.55%, 알루미늄 사용 시 각각 +0.59%와 +6.87%, 구리 사용 시 각각 -1.59%와 +3.86%, 납 사용 시 각각 -5.15%와 +4.00%였다. 결 론: 본 연구로 조사야 증가함에 따른 차폐물 두께가 저 원자번호에서 감소하며, 고 원자번호에서는 증가함을 볼 수 있었으며, 계산을 통해 저 원자번호물질에서는 저지방사선, 고 원자번호물질에서는 산란전자가 영향을 주는 것을 알 수 있었다. Purpose: In this study, we analyzed how the dose change by field size effects on atomic number of shielding materials while using 6 MeV election beam. Materials and Methods: The parallel plate chamber is mounted in $25{\times}25cm^2$ the phantom such that the entrance window of the detector is flush with the phantom surface. phantom was covered laterally with aluminum, copper and lead which thickness have 5% of allowable transmission and then the doses were measured in field size $6{\times}6$, $10{\times}10$ and $20{\times}20cm^2$ respectively. 100 cGy was irradiated using 6 MeV electron beam and SSD (Source Surface Distance) was 100 cm with $10{\times}10cm^2$ field size. To calculate the photon flux, electron flux and Energy deposition produced after pass materals respectively, MCNPX code was used. Results: The results according to the various shielding materials which have 5% of allowable transmission are as in the following. Thickness change rate with field size of $6{\times}6cm^2$ and $20{\times}20cm^2$ that compared to the field size of $10{\times}10cm^2$ found to be +0.06% and -0.06% with aluminum, +0.13% and -0.1% with copper, -1.53% and +1.92% with lead respectively. Compare to the field size $10{\times}10cm^2$, energy deposition for $6{\times}6cm^2$ and $20{\times}20cm^2$ had -4.3% and +4.85% respectively without shielding material. With aluminum it had -0.87% and +6.93% respectively and with lead it had -4.16% and +5.57% respectively. When it comes to photon flux with $6{\times}6cm^2$ and $20{\times}20cm^2$ of field sizes the chance -8.95% and +15.92% without shielding material respectively, with aluminum the number -15.56% and +16.06% respectively and with copper the chance -12.27% and +15.53% respectively, with lead the number +12.36% and -19.81% respectively. In case of electron flux in the same condition, the number -3.92% and +4.55% respectively without shielding material respectively, with aluminum the number +0.59% and +6.87% respectively, with copper the number -1.59% and +3.86% respectively, with lead the chance -5.15% and +4.00% respectively. Conclusion: In this study, we found that the required thickness of the shielding materials got thinner with low atomic number substance as the irradiation field is increasing. On the other hand, with high atomic number substance the required thickness had increased. In addition, bremsstrahlung radiation have an influence on low atomic number materials and high atomic number materials are effected by scattered electrons.

CMOS 이미지 센서용 NMOS-Diode eFuse OTP 설계

이승훈,하판봉,김영희,Lee, Seung-Hoon,Ha, Pan-Bong,Kim, Young-Hee 한국정보통신학회 2016 한국정보통신학회논문지 Vol.20 No.2

본 논문에서는 프로그램 선택 소자는 채널 폭이 큰 NMOS (N-channel MOSFET) 트랜지스터 대신 DNW (Deep N-Well) 안에 형성된 채널 폭이 작은 isolated NMOS 트랜지스터의 body인 PW (P-Well)과 source 노드인 n+ diffusion 영역 사이에 형성된 기생하는 접합 다이오드를 사용하는 NMOS-Diode eFuse OTP (One-Time Programmable) 셀을 제안하였다. 제안된 eFuse OTP 셀은 프로그램 모드에서 NMOS 트랜지스터에 형성되는 기생하는 접합 다이오드를 이용하여 eFuse를 blowing 시킨다. 그리고 읽기 모드에서는 접합 다이오드를 이용하는 것이 아니고 NMOS 트랜지스터를 이용하기 때문에 다이오드의 contact voltage 강하를 제거할 수 있으므로 '0' 데이터에 대한 센싱불량을 제거할 수 있다. 또한 읽기 모드에서 채널 폭이 작은 NMOS 트랜지스터를 이용하여 BL에 전압을 전달하므로 OTP 셀의 blowing되지 않은 eFuse를, 통해 흐르는 읽기 전류를 $100{\mu}A$ 이내로 억제하여 blowing되지 않은 eFuse가 blowing되는 문제를 해결할 수 있다. In this paper, an NMOS-diode eFuse OTP (One-Time Programmable) memory cell is proposed using a parasitic junction diode formed between a PW (P-Well), a body of an isolated NMOS (N-channel MOSFET) transistor with the small channel width, and an n+ diffusion, a source node, in a DNW (Deep N-Well) instead of an NMOS transistor with the big channel width as a program select device. Blowing of the proposed cell is done through the parasitic junction formed in the NMOS transistor in the program mode. Sensing failures of '0' data are removed because of removed contact voltage drop of a diode since a NMOS transistor is used instead of the junction diode in the read mode. In addition, a problem of being blown for a non-blown eFuse from a read current through the corresponding eFuse OTP cell is solved by limiting the read current to less than $100{\mu}A$ since a voltage is transferred to BL by using an NMOS transistor with the small channel width in the read mode.