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전화기 숫자 자판을 이용한 대화형 한글 문자 입력 방법
박재화,Park, Jae-Hwa 한국정보처리학회 2007 정보처리학회논문지B Vol.14 No.5
휴대용 단말기의 숫자 자판을 이용해서 보다 편리하게 한글을 입력할 수 있도록 하는 대화형 방식을 제시하였다. 사용자는 입력하고자 하는 글자의 해당 자소가 있는 키를 한 번씩 눌러 키 시퀀스를 발생시킨다. 인터페이스는 사용자가 입력한 키 시퀀스에 대해 조합 가능한 모든 글자를 발생 시키고 사용자는 발생된 글자 중에서 입력하고자 하는 글자를 선택하도록 한다. 이를 통해 기존의 방법에서 공통으로 사용되는 수동적이고 일차원적인 자소 중심의 인터페이스를 상호 작용이 가능한 입체적인 글자 중심의 방법으로 개선 가능하다. 이 방법은 최종 글자의 입력을 완료하기 위해 필요한 글자 선택의 과정이 부가적으로 필요하지만, 기존 방법의 가장 큰 단점인 멀티탭과 불분명한 음소의 결정을 위한 키 조작의 불편함을 근본적으로 없앨 수 있다. 또한 모든 글자의 입력이 필기 순서와 동일하게 기본 자소에 의해 입력이 가능함으로 사용자의 문자입력에 대한 복잡도를 감소시킬 수 있다. 제안된 방법의 장단점을 실험을 통해 기존의 방법과 비교하였다. An interactive Hangul input method using the numeric phone keypad, which is applicable for mobile devices is introduced. In the proposed method, user only selects the corresponding keys by single tapping, for the alphabet of Korean letter which is desired to enter. The interface generates the subset of eligible letters for the key sequence, then the user selects the desired letter in the set. Such an interactive approach transforms the text entry interface into a multi-level interactive letter-oriented style, from the preexisting passive and single-level alphabet-oriented interface. The annoyance of key-operations, the major disadvantage of the previous methods, derived from multi-tap to clear the ambiguity of multi-assigned alphabets for the Hangul automata, can be eliminated permanently, while the additional letter selection procedure to finalize the desired letter is essential. Also the complexity of Hangul text entry is reduced since all letters can be compounded from basic alphabet selection of the writing sequence order. The advantage and disadvantage of the proposed method are analyzed through comparing with pre-existing method by experiments.
HVPE 법에서의 공정변수 조절에 의한 bulk GaN 단결정의 두께 최적화
박재화,이희애,이주형,박철우,이정훈,강효상,강석현,방신영,이성국,심광보,Park, Jae Hwa,Lee, Hee Ae,Lee, Joo Hyung,Park, Cheol Woo,Lee, Jung Hun,Kang, Hyo Sang,Kang, Suk Hyun,Bang, Sin Young,Lee, Seong Kuk,Shim, Kwang Bo 한국결정성장학회 2017 韓國結晶成長學會誌 Vol.27 No.2
다양한 성장온도, V/III 비율, 성장속도과 같은 공정변수의 조절을 통하여 GaN 단결정을 성장시키고, 그에 따른 표면 및 재료 내부의 결함분석을 통하여 고휘도 고출력의 소자적용을 위한 bulk GaN 단결정의 두께를 최적화하였다. 2인치 직경의 sapphire 기판 위에 HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 공정변수들을 조절하여, 0.3~7.0 mm 두께의 GaN 결정을 성장시켰다. 성장된 GaN 단결정의 구조분석을 위하여 XRD 분석을 사용하였고, 공정변수의 변화에 따른 표면 특성은 광학 현미경을 이용하여 관찰하였다. 성장된 두께에 따른 결함밀도 분석을 위하여 화학습식 에칭하였고, 에칭된 표면을 SEM으로 관찰하였다. GaN single crystals were grown by controlling of various processing parameters such as growing temperature, V/III ratio and growing rate. We optimized thickness of bulk GaN single crystal by analyzing defect of surface and inside of the GaN single crystal for application to high brightness and power device. 2-inch bulk GaN single crystals were grown by HVPE (hydride vapor phase epitaxy) on sapphire and their thickness was 0.3~7.0 mm. Crystal structure of the grown bulk GaN was analyzed by XRD (X-ray diffraction). The surface characteristics of the grown bulk GaN were observed by OM (optical microscope) and SEM (scanning electron microscopy) with measuring EPD (etch pits density) of the GaN crystals.
박재화,김충실 한국농업정책학회 2006 농업경영정책연구 Vol.33 No.2
The purpose of this study is to design a policy analysis model for the government reinsurance under crop insurance program logically and present the mathematical modeling methodology of the logical model. We used four kind of methodologies to achieve purpose of this study: (a) a ends-means hierarchy for making a foundation of policy analysis; (b) a CFD(Circular Flow Diagram) for designing logical policy analysis model; (c) a NGP(Nonlinear Goal Programming) for developing mathematical policy analysis model; and (d) a CCP(Chance Constrained Programming) for incorporating risk and risk reaction into mathematical model. In order to test, validate and put the model to practical use, we should consider as follows. A accurate data such as farm yield by district, liability and payoff of insurance contract should be gathered first in order to test and validate the model. When the distribution of farm yield by crops can not be assumed to have normality, methodology that can apply other empirical distribution to chance constraints equation should be concerned.
Cl-based 플라즈마에 의한 YMnO<sub>3</sub> 박막의 식각 damage에 관한 연구
박재화,기경태,김동표,김창일,장의구 한국전기전자재료학회 2003 전기전자재료학회논문지 Vol.16 No.6
Ferroelectric YMnO$_3$ thin films were etched with Ar/Cl$_2$ and CF$_4$/Cl$_2$ inductively coupled plasma (ICP). The maximum etch rate of YMnO$_3$ thin film was 300 $\AA$/min at a Ar/Cl$_2$ gas mixing ratio of 2/8, a RF power of 800 W, a DE bias of 200 V, a chamber pressure of 15 mTorr, and a substrate temperature of 30 $^{\circ}C$. From the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis, yttrium etched by chemical reactions with Cl radicals assisted by Ar ion bombardments in Ar/Cl$_2$ plasma. In CF$_4$/Cl$_2$ plasma, yttrium are remained on the etched surface of YMnO$_3$ and formed of nonvolatile YF$_{x}$ compounds manganese etched effectively by chemical reactions with Cl and F radicals. From the X-ray diffraction (XRD) analysis, the (0004) diffraction peak intensity of the YMnO$_3$ thin film etched in Ar/Cl$_2$ plasma shows lower value than that in CF$_4$/Cl$_2$ plasma. It indicates that the crystallinty of YMnO$_3$ thin film is more easily damaged by the Ar ion bombardment than the changes of stoichiometry due to nonvolatile etch by-products.s.