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      • KCI등재

        ZnSe 단결정내에서의 전위거동

        이성국,박성수,김준홍,한재용,이상학 한국결정성장학회 1997 韓國結晶成長學會誌 Vol.7 No.4

        Dislocation behavior in the ZnSe crystal grown by seeded vapor transport was investigated. Etch pit shape with the ZnSe plane and dislocation arrangement were shown. Also the variation of the dislocation density in the crystal was disclosed. The dislocation density along the lateral growth direction was not changed but the dislocation density along the vertical growth direction was reduced as the crystal grew. The average dislocation density of the grown crystal was $4{\times}10^4 /\textrm{cm}^2$. Seeded vapor transport법에 의해 성장된 ZnSe 결정내에서 전위거동을 살펴보았다. (111)과 (100) ZnSe wafer의 etch pit 형상을 관찰하였고 성장된 결정이 높은 전위밀도를 가지면 전위들이 lineage와 cellular 두 가지 형태로 배열됨을 알았다. Seed로부터 측방성장된 부위에서 전위밀도의 변화는 없었으나 수직 성장방향으로는 전위밀도가 감소하였고, 같은 wafer내에서 전위밀도는 wafer center 지역의 전위밀도가 edge부위의 전위밀도 보다 낮았다. 성장된 결정의 평균 전위밀도는 $4{\times}10^4 /\textrm{cm}^2$이었다.

      • KCI등재

        $LiNbO_3$ 단결정의 Congruent 조성에 관한 연구

        이성국,이상학,윤의박 한국결정성장학회 1991 韓國結晶成長學會誌 Vol.1 No.2

        $LiNbO_3$ congruent 조성이 성장결정과 잔류융액의 Curie 온도$(T_c)$측정에 의해 조사되어졌다. 결정성장시 원료의 조성은 48.45에서 48.60mole%$Li_2O$ 까지 변화되어졌다. $LiNbO_3$의 $T_c$는 조성에 따라 크게 변하였고 Tc=10.4184C2-962.996C+23342에 따름을 알 수 있었다. $T_c$측정에는 DSC-1500를 사용하였고, $iNbO_3$내 $Li_2O$의 분배계수가 결정과 융액조성의 관계에 따라 구해졌다. $ iNbO_3$의 congruent조성은 48.52mole%$Li_2O$임이 밝혀졌고 그때의 $T_c$는 $1145{\pm}^1{\circ}C$이었다. The congruent composition of $LiNbO_3$ was determined by measuring Curie temperature($T_c$) of crystals and residual melt grown from the range 48.45 to 48.60mole%$Li_2O$ melts. The $T_c$ of $LiNbO_3$ varied with compositon largely. The variation of $T_c$ with composition was found to follow $T_c=l0.4184c^2-962. 996C + 23342$, where C is mole % LizO. DSC-1500 was used to measure $T_c$. Distribution coefficients for $LiNbO_3$</TEX were determined by the relationship between crystal composition and melt composition. The congruent composition of $ LiNbO_3$ contains 48.52mole$Li_2O$ and has a measured Tc of $1145{\pm}^{\circ}C$

      • KCI등재

        ZnSe 단결정 성장과 결정결함

        이성국,박성수,김준홍,한재용,이상학 한국결정성장학회 1997 韓國結晶成長學會誌 Vol.7 No.1

        직경 55 mm의 ZnSe 단결정을 수소분위기에서 seeded chemical vapor transport법에 의해 성장하였고, 성장 parameter들이 결정 결함에 미치는 영향을 조사하였다. Chemical etching에 의한 EPD 측정, X-ray rocking curve 측정, photolumlnescence 측정으로 성장된 단결정의 특성을 평가하였다. ZnSe single crystals were grown by seeded chemical vapor transport in $H_2$ atmosphere. The influence of the growth parameters on the crystal defect was investigated. The grown ZnSe single crystal was characterized by chemical etching, X-ray rocking curve and photoluminescenc e measurements.

      • KCI등재후보

        중년기혼여성들의 볼링 참여에 따른 여가만족과 생활만족의 관계

        이성국 한국레저사이언스학회 2022 한국레저사이언스학회지 Vol.13 No.2

        '스콜라' 이용 시 소속기관이 구독 중이 아닌 경우, 오후 4시부터 익일 오전 9시까지 원문보기가 가능합니다.

        The purpose of this study is to provide basic data for expanding and activating middle-aged women's bowling participation opportunities by examining the relationship between leisure satisfaction and life satisfaction according to middle-aged women's bowling participation. Middle-aged married women participating in bowling visited five bowling alleys in Gyeonggi-do from January 15 to February 15, 2022. A total of 220 questionnaires were returned by the self-evaluation method of filling in the questionnaire, and data from 211 people were empirically analyzed, excluding 9 copies of which were insincere or missing the contents of the questionnaire.Middle-aged women's participation in bowling is the most effective way to not only maintain and promote health care, but also to improve the quality of life through leisure activities. By solving the problem of lack of exercise among middle-aged married women who play the role of human beings, it will be possible to prevent obesity and improve physical strength and muscle strength. 본 연구는 본 연구는 중년기혼여성들의 볼링참여에 따른 여가만족과 생활만족의 관계를 규명함으로써 중년기혼여성 들의 볼링 참여 기회 확대와 활성화를 위한 기초자료를 제공하고자 하는 목적이다. 경기도권에 있는 볼링장 5곳을 2022년 1월15일부터 2월15일 까지 방문하여 볼링에 참여하고 있는 중년기혼여성들을 대상으로 하였다. 직접 기입하는 자기평가기입법의 방법으로 설문지 총 220부를 돌려 회수하였으며, 회수한 설문지 중 설문내용에 불성실하거나 내용이 누락한 자료 9부를 제외한 211명의 자료를 실증분석 하였다. 중년기혼여성들의 볼링에 대한 참여는 건강관리 유지, 증진뿐만 아니라 여가활동을 통해 삶의 질적 수준 향상을 위한 가장 효과적인 방법이며 볼링은 스트레스의 해소뿐만 아니라 전신운동에도 도움이 되기에, 한 가정에서 중추적인 역할을 담당하는 중년기혼여성들의 운동부족 문제를 해소함으로써 비만을 예방하고 체력과 근력을 증진할 수 있을 것이다.

      • 우리나라 반도체산업의 진로-기술의 원동력 DRAMs

        이성국,Lee, S.K. 한국전자통신연구원 1993 전자통신동향분석 Vol.8 No.2

        DRAM은 거의 20여년 동안 반도체산업의 기술 원동력이었으며, 앞으로도 10여년 이상은 계속 그러하리라고 본다. 우리나라의 반도체 산업은 주로 DRAM 부문에 집중되어 있다. '92년에 단일 품목으로 세계 반도체 시장의 약 25%를 점하였으며, 특히 미국에 대한 수출은 약 8억 5천만 달러에 이르는 등 우리나라 수출 및 전자산업에서 차지하는 비중은 대단히 높다. 세계적인 주요 반도체 대기업들은 상호동맹관계를 형성하거나 덤핑제소 등으로 우리의 능력을 약화시키려고 한다. 우리는 이러한 국제적 동향에 능동적이고 적극적으로 대처하여야 한다. 본고는 과기처 특정연구사업으로 미국측에 위탁과제로 수행하고 있는 내용 중에서 현재 세계 반도체산업의 기술추세 및 당면하고 있는 중요한 몇가지 문제점들을 살펴보고 우리가 취해야 할 몇가지 방향을 제시하였다.

      • KCI등재

        HVPE GaN film의 성장과 결함

        이성국,박성수,한재용 한국결정성장학회 1999 韓國結晶成長學會誌 Vol.9 No.2

        HVPE 법으로 sapphire 기판 위에 두께 9$\mu\textrm{m}$의 GaN film을 성장하였다. Sapphire위에 직접 성장된 GaN film은 crack free로 mirror surface를 나타내었고 dislocation density는 $2{\times}10^9/cm^2$이었다.$SiO_2$ mask pattern을 사용하여 성장된 ELO GaN film도 대부분이 mirror surface를 나타내었으나 표면 일부에서 coalescence가 덜 이루어져 stripe 방향으로 hole이 존재하였다. ELO GaN film의 mask 윗부분은 window 부분에 비해 낮은 dislocation density를 나타냈다. 특히 mask center와 window사이 영역에서는 거의 dislocation이 없었다. ELO GaN film의 dislocation density는 평균 $8{\times}10^7/cm^2$.이었다. The 9 $\mu\textrm{m}$ GaN films on sapphire substrate were grown by Hydride vapor phase epitaxy. Dislocation density of these GaN films was measured by TEM. GaN film with crack free and mirror surface was directly grown on sapphire substrate. The dislocation density of this GaN film was $2{\times}10^9/cm^2$. The surface of GaN film on patterned GaN layer also presented a smooth mirror. But a part of GaN surface included holes because of incomplete coalescence. The dislocation density of GaN film above the mask region was lower than that in the window region. Especially, the dislocation density in the region between mask center and window region was close to dislocation free. The average dislocation density of ELO GaN was $8{\times}10^7/cm^2$.

      • KCI등재

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