http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
Selective Si Epitaxy for Device Isolation
양전욱,조경익,박신종,Yang, Jeon Wook,Cho, Kyoung Ik,Park, Sin Chong The Institute of Electronics and Information Engin 1986 전자공학회논문지 Vol.23 No.6
The effect of SiH2Cl2 -HCl gas on the growth rate of epitaxial layer is studied. The temperature, pressure and gas mixing ratio of SiH2Cl2 and HCl are varied to study the growth rate dependence and selective Si epitaxy. The P-n junction diode is fabricated on the epitaxial layer and electrical characteristics are examined. Also, using selective Si epitaxy, a possibility of thin dielectric isolation process, that gives an independent isolation width on the mask dimension, is examined.
C54구조의 $TiSi_2$와 As 이온 주입된 다결정 Si계에서 고온 열처리에 의한 표면상태 거칠어짐과 TiAs 침전물 형성에 관한 연구
박형호,조경익,이희태,성명모,이상환,권오준,남기수,Park, Hyung-Ho,Cho, Kyoung-Ik,Lee, Hee-Tae,Sung, Myung-Mo,Lee, Sang-Hwan,Kwon, Oh-Joon,Nam, Kee-Soo 대한전자공학회 1990 전자공학회논문지 Vol. No.
비로소 높게 이온주입된 다결정 실리콘에 대한 C54 구조를 갖는 $TiSi_{2}$의 열적 안정성과 $TiSi_{2}{\times}As{\longrightarrow}TiAs{\times}2Si$의 TiAs 석출물 형성반응이 다결정 실리콘 박막의 표면 상태 거칠어짐에 미치는 영향을 살펴보았다. Thermal stability of $TiSi_{2}$ with C54 structure and morphology degradation of poly silicon layer resulted from the formation of TiAs precipitate through the reaction between T>$TiSi_{2}$</TEXT> and arsenic ion implanted in poly silicon have been studied.
MOVPE 성장방법으로 corrugated InP 기판위에 성장된 InGaAs/InGaAsP 다층박막의 구조연구
남산,장동훈,서경수,조경익,Nahm, Sahn,Jang, Dong-Hoon,Suh, Kyoung-Soo,Cho, Kyoung-Ik 한국재료학회 1996 한국재료학회지 Vol.6 No.6
InGaAs/InGaAsP 다층박막을 corrugation이 형성된 InP 기판위에 MOVPE 방법을 이용하여 성장 시킨 후 성장조건에 따른 corrugation 높이의 변화와 석출상에 대하여 투과전자현미경을 이용하여 시킨 후 성장조건에 따른 corrugation 높이의 변화와 석출상에 대하여 투과전자현미경을 이용하여 연구하였다. Corrugation이 형성된 InP 기판을 PH3 및 AsH3가스를 동시에 공급해 주었는데 AsH3 가스의 압력이 높으면(1.8x10-2torr)많은 양의 As를 포함한 In1-xAsxP(x=0.3)석출상이 격자결함과 더불어 형성되었다. 반면에 AsH3 가스의 압력이 낮을때는 (1.0x10-3torr) corrugation의 높이가 30nm이었고, 적은 양의 As를 포함한 In1-xAsxP(x<0.1)석출상이 격자결함이 없이 형성되었다.
실리콘 기판과 ITO 가 코팅된 #7059 유리 기판간의 정전 열 접합
주병권,정회환,김영조,한정인,조경익,오명환 ( Byeong Kwon Ju,Hoi Hwan Chung,Young Cho Kim,Jeong In Han,Kyoung Ik Cho,Myung Hwan Oh ) 한국센서학회 1998 센서학회지 Vol.7 No.3
Si and ITO-coated #7059 glass wafers were electrostatically bonded by employing 7740 interlayer. It was inferred that the thermionic electrostatic migration of Na^+ ions in the #7740 interlayer played an important role in the bonding process through SIMS analysis. The temperature and voltage required for reliable electrostatic bonding were in the range of 180∼200℃ and 50∼70V_(dc)(10min), respectively. The low temperature Si-ITO coated glass bonding can be effectively applied to the packaging of field emission devices.
고집적 GaAs 디지틀 집접회로 제작을 위한 Self-aligned MESFET 공정
양전욱,심규환,최영규,조낙희,박철순,이경호,이진희,조경익,강진영,이용탁,Yang, Jeon-Uk,Shim, Kyu-Hwan,Choi, Young-Kyu,Cho, Lack-Hie,Park, Chul-Soon,Lee, Keong-Ho,Lee, Jin-Hee,Cho, Kyoung-Ik,Kang, Jin-Yeong,Lee, Yong-Tak 한국전자통신연구원 1991 전자통신 Vol.13 No.4
저전력 고집적 GaAs 디지틀 IC에 적합한 기본 논리회로인 DCFL (Direct Coupled FET Logic) 을 구현하기 위한 소자로 WSi게이트 MESFET 공정을 연구하였으며, 이와 함께 TiPtAu 게이트 소자를 제작하였다. MESFET 의 제작은 내열성게이트를 이용한 자기정렬 이온주입 공정을 사용하였으며 주입된 Si 이온은 급속열처리 방법으로 활성화하였다. 또한 제작공정중 저항성 접촉의 형성은 절연막을 이용한 리프트 - 오프 공정을 이용하였다. 제작된 WSi게이트 MESFET은 $1\mum$ 게이트인 경우 222mS/mm의 트랜스컨덕턴스를 나타내어 우수한 동작특성과 집적회로 공정의 적합성을 보였으며 이와 동등한 공정조건으로 제작된 TiPtAu 게이트 MESFET 은 2" 기판 내에서 84mV의 임계전압 변화를 나타내었다.
선택적 LPE방법에 의한 GaAs가판 상의 InP이종접합 박막의 성장
이병택,안주헌,김동근,안병찬,남산,조경익,박인식,장성주,Lee, Byung-Teak,An, Ju-Heon,Kim, Dong-Keun,Ahn, Byung-Chan,Nahm, Sahn,Cho, Kyoung-Ik,Park, In-Shik,Jang, Seong-Joo 한국재료학회 1994 한국재료학회지 Vol.4 No.6
Heteroepitaxial InP/GaAs layers were grown using the selective liquid phase epitaxy (SLPE) technique. It was observed that the optimum LPE conditions were $660^{\circ}C$ growth temperature, $5^{\circ}C$ supercooling, and $0.4^{\circ}C$/min cooling rate. Maximum expitaxial layer overgrowth (ELO) of 110-160$\mu \textrm{m}$ was obtained when the seed was aligned along (112) orientation. Initial melt-back of the substrate was observed but limited to the seed region so that flat In-Ga-As-P layers were grpwn throughout the GaAs substrates. The InP/GaAs heteroepitaxial structure could be obtained by growing an additional InP layer on top of the In-Ga-As-P layer. 선택적 LPE방법을 이용하여 (111)B GaAs 기판 상에 InP연속 박막을 성장하고 그 특성을 평가하였다. 적정 LPE성장조건으로 성장온도 $660^{\circ}C$, 과냉도 $5^{\circ}C$, 냉각속도 $0.4^{\circ}C$/min였으며, 연구된 온도 범위에서 성장온도가 증가할수록 표면형상이 개선되었고 ELO의 넓이가 증가하였다. Seed방향이 <112>방향에서 110-160$\mu \textrm{m}$ 정도의 최대 ELO 넓이가 얻어졌으며 60-80$\mu \textrm{m}$정도의 마스크 간격에서 연속박막을 용이하게 성장할 수 있었다. LPE 성장초기에 기판 용해 현상이 발생하였으며 이에 따라 성장박막의 조성이 대략 $In_{0.85}Ga_{0.15}$As$_{0.01}P{0.99}$으로 변화하고 InP/GaAs계면 및 박막 표면형상이 거칠어졌으나 기판의 성장 부위가 제한됨에 따라 통상적인 LPE박막에 비교하여 매우 개선된 표면형상을 얻을 수 있었다. 두개의 성장융액을 이용하여 1차 박막성장 후 다시 InP 박막을 성장하는 2단성장 방법을 사용하여 순수한 InP/GaAs박막을 성장할 수 있었으며 단면 TEM분석 결과 SLPE성장박막으로 전파하는 활주전위는 산화막 마스크에 의해 효과적으로 차단됨을 알 수 있었다.
박상희(Sang-Hee Park),황치선(Chi-Sun Hwang),조경익(Kyoung Ik Cho),유민기(Minki Ryu),윤성민(Sung Min Yoon),변춘원(Chunwon Byun),양신혁(Shinhyuk Yang) 대한전자공학회 2010 대한전자공학회 학술대회 Vol.2010 No.6
We introduce transparent AM-OLED driven by oxide thin film transistor (TFT). To embody viable transparent AM-OLED, we have to achieve highly stable oxide TFT with high transparency. The photo-stability and bias stability of oxide TFT were investigated under constant gate bias and constant current (CC) stress to explore the possibility of transparent AM-OLED application. We present 3.2” QVGA transparent AM-OLED.
문석환(Seok-Hwan Moon),황건(Gunn Hwang),강승열(Seung-Youl Kang),조경익(Kyoung-Ik Cho) 대한설비공학회 2010 설비공학 논문집 Vol.22 No.9
Recently, a problem related to the thermal management in portable electronic and telecommunication devices is becoming issued. That is due to the trend of a slimness of the devices, so it is not easy to find the optimal thermal management solution for the devices. From now on, a pressed circular type cooling device has been mainly used, however the cooling device with thin thickness is becoming needed by the inner space constraint of the applications. In the present study, the silicon flat plate type cooling device with the separated vapor and liquid flow path was designed and fabricated. The normal isothermal characteristics created by vapor-liquid phase change was confirmed through the experimental study. The cooling device with 70 mm of total length showed 6.8 W of the heat transfer rate within the range of 4∼5℃/W of thermal resistance. In the future, it will be possible to develop the commercialized cooling device by revising the fabrication process and enhancing the thermal performance of the silicon and glass cooling device.