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소재 및 표면 분석기술을 이용한 산화물 초전도재료의 특성연구
윤선진,박신종,Yun, Seon-Jin,Park, Sin-Jong 한국전자통신연구원 1988 전자통신 Vol.10 No.1
광범위한 응용가능성과 상업적 가치로 인하여 크게 주목을 받고 있는 산화물계 초전도재료의 연구는 보다 높은 임계 온도를 가진 소재의 개발과 함께 박막화, 선재화 등의 가공기술 면에서 활발히 이루어지고 있는데, 소재 및 표면분석기술은 초전도 물질의 초전도구조 및 메카니즘의 구현, 공정변수에 따른 물리, 화학적 성질의 변화 등의 연구를 위해 중요하게 이용되고 있다. 여러 분석기술들을 이용한 고온 초전도 재료 특성의 연구사례를 소개한다.
A Study on the Electrical Characteristics of Oxide Grown from Phosphorus-Doped Polysilicon
윤형섭,강상원,박신종,Yoon, Hyung Sup,Kang, Sang Won,Park, Sin Chong The Institute of Electronics and Information Engin 1986 전자공학회논문지 Vol.23 No.6
In this work the electrical conduction and breakdown properties of thermal oxides grown on phosphorus-doped polysilicon have been investigated by using ramped I-V measurements. The oxide films, grown from phosphorus-doped polysilicon deposited at 560\ulcorner, have higher breakdown field(6.8MV/cm) and lower leakage current than those deposited at 625\ulcorner. Also the effective energy barrier height(\ulcorner)calculated from the Fowler-Nordheim curve of polyoxide was 0.76eV for 560\ulcorner deposited film and 0.64eV for 625\ulcorner deposited film.