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        • KCI등재

          MONTE-CARLO 방법에 의한 AlGaAs/GaAs 계면의 전자 전달특성 분석

          남승현,정학기,김봉렬,Nam,,Seung-Hun,Jung,,Hak-Ki,Kim,,Bong-Ryul 대한전자공학회 1989 전자공학회논문지 Vol. No.

          MONTE-CARLO 시뮬레이션 방법을 이용하여 AlGaAs/GaAs MODFET의 Q-2DEG에서의 전자 에너지, 전자의 비행거리, 계곡 내 전자 점유분포, 전자의 평균 속도 등 각각의 천이특성을 전계를 달리하여 계산하였다. 전계가 강할수록 전자가 (100)계곡으로 급격하게 천이하며 속도 오버슈트가 급격하게 발생함을 알 수 있었다. 즉 속도 오버슈트와 같은 비정상상태를 포함한 전자 전달 특성을 얻을 수 있다. 이러한 결과를 토대로 AlGaAs/GaAs MODFET와 같은 Q-2DEG를 이용한 이종접합 디바이스에서 속도 오버슈트가 전자의 고이동도를 얻는 중요한 요소가 될수 있음을 알 수 있다. 전계가 증가함에 따라 (100)계곡으로 천이하는 전자는 현저하게 증가하였다. 전자 천이 지속 시간은 전계 E=7KV/cm의 경우 1.4psec에서 전계 E=12KV/cm의 경우 0.7psec로 감소하였다. 전계 E=12KV/cm의 경우 Q-2DEG 전자는 천이 지속 시간동안의 속도 최대값이 실온에서 정상상태 속도 보다 거의 8배의 값을 갖는다. 속도 오버슈트에의한 Q-2DEG에서의 속도 향상은 서브 마이크로 게이트 단위의 AlGaAs/GaAs MODFET의 고이동도에 영향을 끼칠 수 있다. GaAs 벌크와 Q-2DEG에서의 속도 특성을 비교하여 전계 7KV/cm를 가했을 경우 2DEG의 속도 최대값은 GaAs 벌크에 비해 더 큰 값을 얻었다. GaAs에 비해 Q-2DEG에서의 산란이 덜 일어 남으로써 속도 오버슈트가 Q-2DEG에서 더 일찍 일어나며 GaAs 벌크 전자는 Q-2DEG 전자에 비해 전계에 의한 영향을 덜 받음을 알수 있으며, GaAs에 비하여 Q-2DEG는 속도천이하는 동안 속도 값이 더 크고 빠르게 천이하는 사실로써 GaAs 벌크를 이용한 디바이스보다 Q-2DEG를 이용하는 것이 더 큰 전자 이동도를 얻을 수 있으리라 생각한다. B2가 1.74mg% 함유되어 있었으며 지용성 비타민으로는 비타민 A가 1.22mg%, 비타민 E는 0.32mg%로 미량 함유되어 있었다.신은 최내엽 양상추의 부위별 질산염 최저치와 최고치 차이는 중록 10.4배 엽신 11.1배에 머물렀다. 5. 외부엽 1g 섭식 대비 내부엽 1g 섭식시의 ${NO_3$}^- 섭취량은 배추의 경우 3.72배, 양배추의 경우 4.18배, 양상추의 경우 6.50배나 많았다. 6. 결론적으로 같은 량의 엽채류를 섭식하면서 일일 질산염 섭취량을 줄이기 위해서는 배추, 양배추, 양상추 모두 외부엽보다는 내부엽을 선택적으로 소비하는 것이 바람직함을 알 수 l있었다.었다. 6. 녹즙 종류별 ${NO_3}^-$ 함량은 당근녹즙(143ppm) < 명일엽(506ppm) < 돌미나리(669ppm) < 케일녹즙(985ppm) 순으로 많았고, Vitamin C 함량은 당근(43ppm) < 돌미나리(289ppm) < 케일(353ppm) < 명일엽(768ppm)의 순으로 높았다. 7. 일일 ${NO_3}^-$ 섭취량은 500ml의 녹즙을 마시는 경우 명일엽 253mg, 돌미나리 335mg, 케일 483mg으로 녹즙만으로도 이미 WHO/FAO의 일일 ${NO_3}^-$ 섭취허용량보다 1.16배, 1.53배, 2.21배나 초과할 수 있는 것으로 나타났다. 연약한 곤충의 방제에 효과적인 것으로 나타났다. 따라서 제조된 살충비누를 활용하면 환경친화적인 해충방제가 가능하다고 판단되었다.소변의 이상소견이 발견되어 신장 조직검사를 실시할 경우 혈청 $C_3$치의 감소 여부에 관계없이 MPGN도 진단적 고려 대상이 되어야 한다고 생각한다.신장 조직검사를 시행한 결과 진행성 경과를 취할 수 있는 막 증식성 사구체 신염과 매우 희귀한 증례인 신유전분증 Transport properties of 2DEG at AlGaAs/GaAs interface such as average electron energy, flight distance, each valley occupancy ratio, average electron velocity for various fields are investigated by MONTE-CARLO method. As the electric field increases, more electrons transit drastically from (000) valley to (000) upper valley. This phenomenon shows the nonstationary effect such as velocity overshoot. The duration of the transient decreases from about 1.4 psec for electric field E = 7KV/cm to about 0.7 psec for 12KV/cm. The average electron velocity during transient transport in 2DEG is about 8 times the steady-state velocity for E = 12KV/cm at room temperature. In comparison with bulk GaAs the peak velocity in the 2DEG is higher than that in even pure bulk GaAs at electric field E = 7 KV/cm. On the basis of the fact that the electrons in the 2DEG have larger peak velocity and shorter transient time of velocity than those in the bulk GaAs, it is suggested that the device with 2DEG may obtain higher mobility than that with bulk GaAs.

        • 항공기용 복합 전자 소자의 항공기 장착을 위한 인증 방안

          한상호(Sangho Han) 대한전자공학회 2019 대한전자공학회 학술대회 Vol.2019 No.6

          항공기에 기능 보강 등의 목적으로 CEH의 사용이 일반화 되고 있으며 점차 이용 빈도가 증가할 것으로 추정된다. 이러한 현장에서 회로를 가변시켜 사용할 수 있는 전자 하드웨어의 등장으로 항공전자부품의 인증은 소프트웨어의 인증에 이어 새로운 국면을 맞고 있다. 2000년 4월 인증 지침서로 RTCA DO-254가 발행된 이래 FAA1)에서는 2005년 6월 AC20-152를 발행하여 복합 전자소자에 대한 인증기준으로 채택하였다. 이와 같이 복합 전자 하드웨어의 인증을 위한 지침이 마련됨에 따라 향후 항공용으로 개발되는 복합 전자 하드웨어는 소프트웨어와 마찬가지로 인증을 받아야 한다. 우리나라에서 항공전자 부품 개발시 소프트웨어의 인증과 더불어 하드웨어의 인증 문제가 대두될 것이며 이에 대한 대비가 필요한 시점이다. 이 글은 향후 복합 하드웨어의 인증에 대비하여 개발자가 알아야 할 사항을 개괄하였다. The use of CEH for the purpose of enhancing the functions of aircraft is becoming common and it is estimated that the frequency of use will increase gradually. With the advent of electronic hardware that can be used to vary circuits in these sites, certification of aviation electronic components is in a new phase following certification of software. Since RTCA DO-254 was issued as a certification guide in April 2000, the FAA has issued AC20-152 in June 2005 to adopt it as a certification basis for complex electronic devices. As such, guidance is provided for the certification of complex electronic hardware, complex electronic hardware developed for future aviation should be certified just like software. In addition to the certification of software, the development of aviation electronic components in Korea will require preparation for the certification of hardware. This article outlines what developers should know for future certification of complex hardware.

        • KCI등재

          XML 보안 기반의 부동산 계약서 전자서명 생성 및 검증

          이문구(Moon-Goo Lee) 대한전자공학회 2008 電子工學會論文誌-CI (Computer and Information) Vol.45 No.6

          전자거래에 있어서 데이터의 무결성과 부인방지 같은 보안 서비스는 안전한 전자거래를 가능하게 하는 필수요소이다. 본 논문에서는 기존 부동산 거래 절차를 기반으로 안전한 부동산 전자상거래를 가능하게 하는 부동산 계약 전자서명 생성 및 검증시스템을 구현하였다. 본 논문에 사용된 보안 서비스를 위한 기술적 배경은 XML 전자서명 기술로 XML 전자서명은 기존에 존재하는 전자서명 알고리즘에 XML을 적용한 전자서명 기법으로 기존 서명과는 다르게 부분 데이터에 대한 서명이 가능하기 때문에 매우 효율적이며 현재 널리 이용되고 있는 XML 기반 전자 상거래 시스템에 적용이 쉽다는 장점이 있다. Talking about reliability of E-commerce, the security services such as data integrity and non-repudiation are the most crucial elements. This thesis implemented the real estate contract digital signature system that makes this real estate E-commerce possible. The technical background used in this thesis for the security services is XML (eXtensible Markup Language) signature technique, which is a signature technique that applies XML on the existing digital signature algorithm. The advantage of using XML signature technique is that it is very efficient since signing for the partial data is possible, and it is easy to apply to the XML-based E-commerce system, which is most commonly used.

        • 전자화폐의 국내외 동향과 전망

          송유진 대한전자공학회 2002 전자공학회지 Vol.29 No.11

          최근 전자상거래의 급격한 발전은 새로운 비즈니스 패러다임을 가져오고 있다. 이러한 디지털 비즈니스 체제로의 성공적인 진입을 위한 지불 수단으로서 전자화폐의 필요성은 갈수록 증대되고 있다. 실용화된 전자화폐를 경제적으로 사용할 수 있는 경제 체제가 확립되면서 전자지불 산업계의 움직임도 활발해지고 있다. 특히, IC카드를 전자 지갑으로써 이용하는 If카드형 전자화폐가 세계적인 규모로 실용화되고 있으며 전자화폐의 업계 표준을 둘러싼 경쟁이 격화되고 있다. 전자화폐의 이용분야도 백화점, 편의점, 체인점, 주유소, 자동판매기 등 유통부문은 물론 버스, 지하철, 주차장, 고속도로 톨게이트 등의 교통 부문으로 확대되고 있다 또한 고궁, 박물관, 관공서 수수료 등 공공서비스 부문에서도 사용할 수 있는 등 일상생활과 밀접한 소액 지불시장에서 이용이 가능하게 되었다. 한편, 디지털 데이터인 전자화폐를 보호하기 위한 보안기술의 개발과 다양한 전자화폐의 상호 호환성을 제공하기 위한 표준의 확립 등이 시급히 요구되고 있다. 본 논문에서는 전자지불 산업계의 활발한 움직임에 맞추어 전자화폐의 실용화, 보급을 지원하는 입장에서 전자화폐의 개념과 분류, 국내외 동향을 살펴보고, 향후 발전 전망에 대해 논하고자 한다.

        • KCI등재

          MgF₂ 나노구조 반사방지막을 통한 함정용 전자광학추적장비 영상추적간섭 최소화

          심보현(Bo-hyun Shim), 조희진(Hee-jin Jo) 대한전자공학회 2015 전자공학회논문지 Vol.52 No.5

          함정용 전자광학추적장비의 센서부에서 해수면반사파에 의해 발생하게 되는 영상추적간섭 현상을 최소화하고자 전방향성, 점진적인 굴절률 및 표면 요철구조를 갖는 산화아연에 플루오르화마그네슘을 코팅한 반사방지막을 전자빔 증착 장비를 통해 제작하였다. 최적화된 산화아연에 플루오르화마그네슘을 코팅한 반사방지막은 기존의 산화아연 반사방지막과 비교하여 점진적인 굴절률 변화에 따라 표면 프레넬 반사를 최소화하고 이를 통해 전자광학추적장비의 영상추적간섭 현상을 제거하는 장점이 있다. 본 실험을 통해, 산화아연에 플루오르화마그네슘을 코팅한 반사방지막이 다양한 전자광학장비의 반사방지막으로써 적용이 가능함을 확인하였다. An omni-directional, graded-index and textured ZnO nanorods with MgF₂ anti-reflective(AR) coating films for the electro optical tracking system(EOTS) by e-beam evaporation method are presented. we achieved that the graded index structure can minimize image tracking interference of EOTS which is comparable to a general AR coating films. Optimized ZnO nanorods with MgF₂ AR coating films lead to decreasing Fresnel reflection by gradient refractive index. According to our experiment results, ZnO nanorods with MgF₂ AR coating films can be used for various electro optical system to improve the optical performance.

        • KCI등재

          전력선 유도전압 기초 산출을 위한 전자계 해석

          이상무(Sangmu Lee), 은창수(Changsoo Eun) 大韓電子工學會 2010 電子工學會論文誌-TC (Telecommunications) Vol.47 No.5

          통신서비스에 장애를 유발하는 전력선에 의한 전자유도 현상에 대한 방호를 위하여는 유도전압을 평가하여야 하고 상응한 대책을 수행하여야 한다. 유도전압을 평가하는 방식은 ITU 규격과 일본 유도자료로부터 국내에 도입되어 법률 고시화되어 있는데 이것으로 수용되지 못하는 유도 커플링상의 제원 요소들이 있다. 본 논문에서는 계산 수행 적용이 곤란한 범위를 포괄할 수 있도록 좀더 일반화된 고전적 유도 및 전자파 원론 해석 근간의 전자계 형성에 의한 소스와 관측점의 유도전압 산출 방식에 대한 기술을 분석하여 제시하였다. The calculation method of induction voltage is abbreviately by the Ohm's law including Carson-Pollaczek's equation for mutual inductance estimation and various shielding effect coefficients. This method is mainly scoped to 60㎐ power source and the inducing/induced object positioned on the air, and the dimension of shielding material is not thoroughly reflected. In this paper, more general method of calculation is scrutinized through electromagnetic wave propagation principles. Electromagnetic force as a voltage in the spot generating from the source is evaluated according to the position of the source and object, especially their relationship with earth surface as boundary line and independent to source propagation frequency. And this method intends to consider the material specification of each object in the induction field.

        • KCI등재

          일체형 방식의 인덕터 코어에 대한 전자장 해석

          김기준(Kijoon Kim) 대한전자공학회 2009 電子工學會論文誌 IE (Industry electronics) Vol.46 No.2

          본 연구에서는 초소형화의 욕구와 고밀도의 내실을 동시에 충족시킬 수 있으며 전자 장해를 발생하지 않는 일체형 인덕터코어를 개발하기 위한 방법의 하나로 고전류인가에 따른 인덕터의 전자장 특성을 분석하고자하였다. 분석 결과, 인덕터 내부에서는 전자장이 크게 발생하였지만 인덕터 표면에 나타나는 자장분포 값은 매우 미약하여 주위의 다른 전자 부품에 영향을 미칠 정도는 아니었으며, 표면을 벗어나면 그 값은 순식간에 거의 0[T]로 작아지고 있기 때문에 일체형 인덕터를 이용하여 회로를 구성하였을 때 다른 전자 부품들에 대한 전자 장해는 발생하지 않을 것으로 생각된다. 이 결론은 일체형 인덕터 개발에 많은 영향을 미칠 것이며, 특히 인덕터 코어의 특성 분석 및 신뢰도 향상에 많은 도움이 될 것으로 예상된다. The inductor needs to have the desire of super miniaturization, substance of high density and no electronic obstacle. In this study, it analyzes electromagnetic field properties of the core due to inserted high current to develop union type inductor. As the results, it appears high electromagnetic field in inductor insides, but magnetic is very small in inductor surfaces. Also, magnetic distribution are almost 0[T] in circumferences get out of the inductor surfaces. It is an evidence that magnetic distribution as the electronic magnetic obstacle does not appear at other electronic parts. These above results affect to develop the union type inductor, especially it can be expect to help analysis of electromagnetic field properties of inductor core and reliability improvement.

        • KCI등재

          2D CRD 수에 따른 전자파 잔향실 내의 필드 균일성 개선

          김진복(Jin-Bok Kim), 이중근(Joong-Geun Rhee), 김정훈(Jung-Hoon Kim), 이유진(Eugene Rhee) 大韓電子工學會 2010 電子工學會論文誌-TC (Telecommunications) Vol.47 No.4

          본 논문은 전자파장해 및 복사 내성 측정에 사용되는 전자파 무반사실의 대용 방법으로 사용되는 전자파 잔향실 내의 필드 균일성에 관한 연구이다. 최근 Wireless LAN 이나 DMB 및 휴대 인터넷 사용량의 증가로 인해 전자기파 노이즈가 다른 기기나 장비에 악영향을 미칠 것으로 예상되는 2.3 ㎓ 대역에 초점을 맞추었다. 본 논문에서는 전자파 잔향실 내부의 전계강도 수치해석을 위하여 시간영역 유한 차분법이 사용되었으며, 전자파 잔향실의 특성과 내부 전계강도의 균일성 개선을 위하여 2D CRD의 배치와 개수를 변화시키면서 표준 편차, 공차 특성, 편파 특성을 비교분석하였다. 전자파 잔향실의 두 면에 확산기를 부착하였을 때 확산기를 사용하지 않은 전자파 잔향실에 비하여 표준 편차는 1.98 ㏈, 공차 특성은 3.6 ㏈ 만큼 개선되었다. This paper presents the improvement of the field uniformity in a reverberation chamber which can be substitute an anechoic chamber for the electromagnetic interference (EMI) and immunity test. Nowadays, there are many EMI issues due to the increasing use of wireless local area network (LAN), digital multimedia broadcasting (DMB), and mobile internet. With this reason, this paper studied the field characteristics in a reverberation chamber for 2.3 ㎓ band. In this paper, the finite difference time domain (FDTD) method is used to analyze the field characteristics in a reverberation chamber. To improve the field uniformity in the reverberation chamber, this paper adopted a 2D cubical residue diffuser (CRD) with varying the disposition and number of CRD. For each case, the tolerance and standard deviation of the electric field strength are evaluated.In comparison with the reverberation chamber without any CRD, the reverberation chamber with two CRDs showed improved results; 1.98 ㏈ improvement in standard deviation and 3.6 ㏈ improvement in tolerance.

        • Strained SGOI n-MOSFET에서의 phonon-limited전자이동도의 Si두께 의존성

          심태헌,박재근,Shim,Tae-Hun,Park,Jea-Gun 대한전자공학회 2005 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.42 No.9

          60 nm C-MOSFET 기술 분기점 이상의 고성능, 저전력 트랜지스터를 구현 시키기 위해 SiGe/SiO2/Si위에 성장된 strained Si의 두께가 전자 이동도에 미치는 영향을 두 가지 관점에서 조사 연구하였다. 첫째, inter-valley phonon 산란 모델의 매개변수들을 최적화하였고 둘째, strained Si 반전층의 2-fold와 4-fold의 전자상태, 에너지 밴드 다이어그램, 전자 점유도, 전자농도, phonon 산란율과 phonon-limited 전자이동도를 이론적으로 계산하였다. SGOI n-MOSFET의 전자이동도는 고찰된 SOI 구조의 Si 두께 모든 영역에서 일반적인 SOI n-MOSFET보다 $1.5\~1.7$배가 높음이 관찰 되었다. 이러한 경향은 실험 결과와 상당히 일치한다. 특히 strained Si의 두께가 10 nm 이하일 때 Si 채널 두께가 6 nm 보다 작은 SGOI n-MOSFET에서의 phonon-limited 전자 이동도는 일반 SOI n-MOSFET과 크게 달랐다. 우리는 이러한 차이가 전자들이 suained SGOI n-MOSFET의 반전층에서 SiGe층으로 터널링 했기 때문이고, 반면에 일반 SOI n-MOSFET에서는 캐리어 confinement 현상이 발생했기 때문인 것으로 해석하였다. 또한 우리는 10 nm와 3 nm 사이의 Si 두께에서는 SGOI n-MOSFET의 phonon-limited 전자 이동도가 inter-valley phonon 산란율에 영향을 받는 다는 것을 확인하였으며, 이러한 결과는 더욱 높은 드레인 전류를 얻기 위해서 15 nm 미만의 채널길이를 가진 완전공핍 C-MOSFET는 stained Si SGOI 구조로 제작하여야 함을 확인 했다 To make high-performance, low-power transistors beyond the technology node of 60 nm complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistors(C-MOSFETs) possible, the effect of electron mobility of the thickness of strained Si grown on a relaxed SiGe/SiO2/Si was investigated from the viewpoint of mobility enhancement via two approaches. First the parameters for the inter-valley phonon scattering model were optimized. Second, theoretical calculation of the electronic states of the two-fold and four-fold valleys in the strained Si inversion layer were performed, including such characteristics as the energy band diagrams, electron populations, electron concentrations, phonon scattering rate, and phonon-limited electron mobility. The electron mobility in an silicon germanium on insulator(SGOI) n-MOSFET was observed to be about 1.5 to 1.7 times higher than that of a conventional silicon on insulator(SOI) n-MOSFET over the whole range of Si thickness in the SOI structure. This trend was good consistent with our experimental results. In Particular, it was observed that when the strained Si thickness was decreased below 10 nm, the phonon-limited electron mobility in an SGOI n-MOSFT with a Si channel thickness of less than 6 nm differed significantly from that of the conventional SOI n-MOSFET. It can be attributed this difference that some electrons in the strained SGOI n-MOSFET inversion layer tunnelled into the SiGe layer, whereas carrier confinement occurred in the conventional SOI n-MOSFET. In addition, we confirmed that in the Si thickness range of from 10 nm to 3 nm the Phonon-limited electron mobility in an SGOI n-MOSFET was governed by the inter-valley Phonon scattering rate. This result indicates that a fully depleted C-MOSFET with a channel length of less than 15 m should be fabricated on an strained Si SGOI structure in order to obtain a higher drain current.

        • KCI등재

          휴대전화 전자파에 의한 자각증상 및 생리학적 변화

          홍현기(Hyun Ki Hong), 지효철(Hyo Chul Ji), 김수찬(Soo Chan Kim), 김덕원(Deok Won Kim) 대한전자공학회 2008 電子工學會論文誌-SC (System and control) Vol.45 No.3

          최근 휴대폰 보급률이 증가하면서 휴대폰 전자파로 인해 두통, 불면증, 단기간의 기억력 소실 등의 정신 신경 생리학적 증상을 호소하는 휴대폰 전자파 과민증(EHS, Electromagnetic Hypersensitivity) 환자들이 나타나고 있다. 그러나 휴대폰 전자파 과민반응의 원인이 막연한 불안감 때문인지 혹은 전자파 노출로 인한 증상 인지에 대하여 확실한 원인규명이 되지 않고 있다. GSM 방식의 휴대폰의 경우 전자파 노출 시 EHS 군을 대상으로 혈압, 맥박수 변화 및 자각 증상 등의 과민 반응에 대한 연구들이 수행되었으나 일반인과 EHS 군의 실험-대조군 연구로 생체신호, 자각증상 및 전자파 인지 여부에 대한 복합적인 연구와 CDMA 휴대폰 EHS 연구는 거의 없는 실정이다. 본 연구에서는 일반인 19명과 EHS 17명을 대상으로 30분간 300 mW의 CDMA 휴대폰 전자파에 노출 시 교감신경의 흥분을 나타내는 맥박, 호흡수, HRV(heart rate variability)의 변화를 측정하고, 전자파 노출 시 전자파 인지여부와 두통, 피로 등의 자각증상을 조사하였다. 그 결과, 일반인과 EHS 군 모두 전자파 노출여부에 따라 맥박, 호흡수, HRV의 변화가 없었고, 자각증상의 차이도 없었다. 전자파 인지 조사 결과 EHS 군이 일반인 군에 비하여 전자파를 더 잘 인지한다고 볼 수 없었다. Due to the fast increase in cellular phone users, public interest on health effect of electromagnetic fields(EMFs) by cellular phones is gradually increasing. Some EHS(electromagnetic hypersensitivity) patients complain of psycho-neurophysiological symptoms such as headaches, insomnia, memory loss resulting from RF radiation by CDMA cellular phones. However, EHS is difficult to diagnose and depends on the individual's subjective judgement. And we don't know clearly if the cause of EHS is uneasiness or real exposure. There have been various EHS volunteer studies on heart rate, blood pressure and subjective symptoms using GSM phones. But there are few studies on experimental case-control study investigating physiological parameters, subjective symptoms, and perception of EMFs. In this study, two volunteer groups of 17 self-declared EHS and 19 controls were exposed to both sham and real RF exposure by CDMA cellular phones for half an hour each. We investigated not only the physiological parameters such as heart rates, respiration rates and HRVs(hear rate variability), but also the perception of EMFs and subjective symptoms. As the results, EMF exposure did not have any effects on the subjective symptoms or physiological parameters for both groups. For the EMF perception, there was no evidence that EHS group perceived the EMFs correctly than the control group.

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