일반논문 : 육군 “총전력 분석” 수행의 시사점과 발전방향

조경익,우승룡,김경식 한국국방연구원 2007 국방정책연구 Vol.22 No.4

HCL가스에 의한 실리콘 기판의 에칭

조경익,윤동한,송성해,Jo, Gyeong-Ik,Yun, Dong-Han,Song, Seong-Hae 대한전자공학회 1984 전자공학회지 Vol.21 No.5

양질의 에피택셜 층을 성장시키기 위해서는, 에피택셜 층을 성장시키기 직전에 HCl 가스를 사용하여 실리콘 기판을 에칭하는 과정이 거의 언제나 포함된다. 본 논문에서는, 대기압[1 기압]과 감압[0.1기압]에서 HCl 가스 농도와 에칭 온도의 변화에 따른 에칭속도 및 에치-피트 생성에 관하여 조사하였다. 그 결과, 대기압 공정과 감압 공정 모두 에칭 속도는 HCI 가스 농도의 2승[X ]에 비례하였으며, 명목상 활성화 에너지는 0∼11 Kcal/mole인 것으로 나타났다. 이러한 결과로부터, 감압 공정에서 HCl 가스에 의해 실리콘이 에칭되는 것은 대기압 공정에서와 같이 다음과 같은 반응에 의해 일어난다고 예측된다; Si + 2HCl ↔SiCl2 + H2. The production of high-quality epitaxial layers almost always involves an etching step of silicon substrates with HCl gas prior to epitaxy, In this work, an investigation has been made on the etch rate and the etch-pit formation as a function of HCl gas concentration and etch temperature at atmospheric pressure (1 atm.) and reduced pressure (0.1 atom.). As a result, it is found that the etch rate is proportional to the square of the HCI gas concentration (XHC12) and the apparent ativation energy is between 0 and 111 Kcal/mole for both ammospheric and reduced pressure operation. From these results, it is expected that the HCI etching of silicon in reduced pressure operation proceeds, as in atmospheric operation, via the reaction ; Si + 2HCl ↔ SiCl2 + H2.

플렉서블 일렉트로닉스용 투명합성전극 기술 동향

조경익,구재본,추혜용,Cho, K.I.,Koo, J.B.,Chu, H.Y.,Alford, T.L. 한국전자통신연구원 2013 전자통신동향분석 Vol.28 No.5

대면적 태양전지와 디스플레이용 투명전극으로 지금까지는 투명전도성산화물(TCO: Transparent Conductive Oxide)이 일반적으로 사용되어 왔지만, 성능이 향상된 새로운 소자가 등장함에 따라 현재보다 우수한 광학 특성을 가지면서 낮은 전기저항을 갖는 새로운 투명전극을 개발하기 위한 관심이 집중되고 있다. 다양한 종류의 차세대 투명전극 기술 중 현재 응용 가능성이 가장 높은 투명합성전극(TCE: Transparent Composite Electrode, TCO/금속/TCO 구조) 기술은 단일 층 TCO를 사용하는 것보다 우수한 전기 광학적 특성을 보여주고, 더구나 플라스틱 기판 위에 저온에서도 공정이 가능하기 때문에 새로운 투명전극 기술로 부상하게 되었다. 본고에서는 투명합성전극 기술에 대해 소재의 선택, 전기 광학적 특성, 기계적 열적 습도 안정성과 소자 응용 관련 주요 현황에 대해 살펴보고자 한다.

육군 '총전력 분석' 수행의 시사점과 발전방향

조경익,우승룡,김경식 한국국방연구원 2007 국방정책연구 Vol.22 No.4

In October 2005, ROK Army established the Army's Force Structure Reforming Program focusing on simplifying force structure, and unit mobilization and applying IT technique in the framework of Defense Reforming 2020. The needs of verifying and validating the program with logical and scientific way were increased. This article detailedly shows the concept, procedure and contents of Total Army Analysis(TAA) conducted by the ROK Army's Analysis and Evaluation Group from Oct 2005 to July 2006 and suggests major outcome and further study required. The result of TAA could be referred and used when reforming force structure to prepare for the future change in international defense environment and suggesting force requirements. The integrated analysis system suggested in this article is expected to contribute to the effective allocation and usage of the limited defense budget and the establishment of an optimal force structure ’05년 10월 육군에서는 ‘국방개혁안’과 연계하여 군 구조의 단순화, 기동화, 첨단 정보화에 초점을 두고 ‘육군 전력구조 혁신안’을 수립하였으나, 이에 대한 논리적이고 타당성 있는 검증이 제한되었다. 따라서 본고에서는 이러한 제한사항을 극복하기 위해 실시한 “총전력 분석”의 수행개념과 절차, 분석 내용 및 방법 등을 상세히 소개하고, 주요 성과 및 향후 발전방향 등을 제시하였다. 이러한 “총전력 분석” 결과는 향후 주변국과의 관계변화에 따른 전력구조 변경시 이를 실증적으로 검증하거나, 전력증강을 위한 소요요청시 유용하게 활용될 수 있을 것이며, 발전방향에 제시된 종합적인 분석체계가 구축된다면 제한된 국방재원의 효율적 배분 및 전력구조 완전성 달성에 크게 기여할 수 있을 것이다.

Si결정에서의 격자결함의 특성 및 고분해능 투과전자현미경에 의한 격자상

조경익,권오준,강상원,Jo, Gyeong-Ik,Gwon, O-Jun,Gang, Sang-Won 한국전자통신연구원 1989 전자통신동향분석 Vol.4 No.4

실제의 결정은 이상적인 결정과는 달리 결함(imperfection or defect)들을 포함하고 있다. 본고에서는 이들 여러가지 결함들 중 격자 결함들에 국한해서, 그 기본적인 특성과 Si 격자에서의 이들 결함들의 구조를 살펴보고, 이것들을 고분해능 전자현미경(High Resolution Transmission Electron Microscopy ; HRTEM or HREM)으로 관찰했을 때, HRTEM의 탈초점 (defocus)에 따른 결함 상(image)의 성질의 변화와 함께 상 특성과 격자구조와의 관계를 살펴보았다.

NiO와 $MnO_2$ 의 첨가가 PLZT의 유전특성과 압전특성 및 분극반전특성에 미치는 효과

조경익,주웅길,고경신 한국세라믹학회 1983 한국세라믹학회지 Vol.20 No.4

Effect of NiO and $MnO_2$ addtivies on the dielectric piezoelectrics and polarization-reversal properties of $(Pb_{0.936} La_{0.064})$$(Zr_{0.60}Ti_{0.40})O_3$ ceramics have been investigated. The specimens were prepared by the mixed oxide techni-que and atmosphere sintering method. The room temperature X-ray diffraction studies show that perfect perovskite solution with tetragonal structure was obtained from PLZT and its additives. The dielectric constant and dissipation factor decreased with the addition of both NiO and $MnO_2$ The Curie of Curie temperature was not observed but they displayed broadened maxima. The planar coupling factor was improved by addition of NiO and also increased with increasing sintering time carried out at 105$0^{\circ}C$ Addition of $MnO_2$ yielded a markedly high mechanical quality factor. The space-charge field decreased with the addition of NiO but increased with the addition of $MnO_2$ The planar coupling factor and space-charge field showed same dependence on the additivies. The tetragonality Curie temperature and planar coupling factor of $(Pb_{0.936} La_{0.064})$$(Zr_{0.60}Ti_{0.40})O_3$ were higher than those of $(Pb_{0.936} La_{0.064})$$(Zr_{0.568}NU_{0.032}Ti_{0.40})_{0.984}O_3$ but the grain size lattic parameter dielectric constant dissipation factor mechanical quality factor and space-charge field of the former were lower than those of the latter.

선택적 에피택시를 위한 에피택셜층 및 폴리실리콘의 성장과 에칭

조경익,김창수 대한전자공학회 1985 전자공학회지 Vol.22 No.1

시스뎀 압력이 1.0 기압[대기압 공정]일 경우와 0.1 기압(감압 공정)일 경우에 대해, SiH2Cl2를 사용했을 때의 에퍼택셜층 및 폴리실리콘의 성장 현상과 HCI을 사용했을 때의 이것들의 에칭 현상을 조사하였다. 실험적으로 구한 성장 속도 및 에칭 속도에 대한 식들로부터 Sih2Cl2와 HCI을 혼합하여 사용할 경우에 대한 선화적 에퍼택시가 가능한 공정 조건이 예측되었다. 그 결과, 선택적 에퍼택셜 성장 영역이 감압 공정에서는 실험 범위내에서 존재하였지만 대기압 공정에서는 존재하지 않는 것으로 나타났다. 이 것은 대기압과 감압에서의 성장 속도 및 에칭 속도가 차이가 나기 때문에 기인하는 것이다. An investigation has been made on the growth phenomena of epitaxial layer and polysilicon from SiH2 Cl2 in H2 and the etch phenomena of them from HCI in H2, at the system pressures of 1.0 atm (atmospheric process) and 0.1 attn (reduced pressure process). From the experimental equations for the growth rates and etch rates. the relevant process conditions for the selective epitaxy are predicted for the case of using mixtures of SiH2Cl2 and HCI in H2. As a result, it is found that selective epitaxial growth region exists in the concentration range investigated for the reduced pressure process but it does not for the atmospheric Process. This is due to the differences in the growth rates and etch rates at atmospheric and reduced pressure.

Selective Silicon Epitaxy에 대한 연구 ( Study on the Selective Silicon Epitaxy )

조경익,송성해 대한전자공학회 1984 대한전자공학회 학술대회 Vol.1984 No.1

전투지휘훈련(戰鬪指揮訓練) 활성화(活性化) 방안(方案)

조경익,강성진 국방대학교 안보문제연구소 1998 국방연구 Vol.41 No.2

마스크 오정렬 및 결정 결함이 PN 접합 아이솔레이션의 항복 특성에 미치는 영향

조경익,백문철,송성해,Jo, Gyeong-Ik,Baek, Mun-Cheol,Song, Seong-Hae 대한전자공학회 1984 전자공학회지 Vol.21 No.2

PN 접합 아이솔레이션의 항복 특성, 특히 소프트 항복 현상에 대해, 아이솔레이tus 마스크를 오정렬시킨 정도와 공정중 생성된 결함들의 영향을 고찰하였다. 그 결과, 아이솔레이션 마스크를 인위적으로 오정렬시킴으로써, 매입층과 아이솔레이션 사이의 간격을 변화시켰을 때, 이것은 항복 전압에만 영향을 줄 뿐 소프트 항복 현상과는 무관하였다. 소프트 항복 현상, 즉 항복 전압 이하에서 역방향 누설 전류가 크게 증가하는 것은 소자 제조 공정중 생성된 산화 적층 결함(OSF)에 의한 것으로 나타났다. Breakdown characteristics, specifically, soft breakdown phenomena of the PN junction isolation were studied in terms of their dependence on the mask misaliglment and the amount of process-related defects. Varying the distance between the buried layer and the isolation by intentional misalignment of the isolation masts had no effects on the soft breakdown phenomena except for the change of the breakdown voltage. The soft breakdown phenomena, as characterized as a state of excessive reverse current below the breakdown voltage, were found out to result mainly from the oxidation-induced stacking faults (OSF) introduced during the fabrication process.