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(100) 실리콘의 깊은 이등망성 식각시 석각면의 가장자리에 존재하는 불균일성의 짤막한 고찰
주병권,하병주,김철주,오명환,차균현,Ju, Byeong-Kwon,Ha, Byeoung-Ju,Kim, Chul-Ju,Oh, Myung-Hwan,Tchah, Kyun-Hyon 한국재료학회 1992 한국재료학회지 Vol.2 No.5
(100) 실리콘 기판에 대해 깊온 비등방성 식각을 행한 경우 식각면의 가장자리에 존재하는 욜균일성은 식각 계면의 격자결함과 기계적 응력에 의한 것임을 판찰할 수 있었다. In deep anisotropic etching of (100)-oriented Si substrate, it could be observed that the non-uniformities existing near the etched-edge were caused by lattice defects and mechanical stress at the etching interface.
주병권,김성진,정재훈,박범수,백영준,임성규,오명환 경북대학교 센서기술연구소 1995 센서技術學術大會論文集 Vol.6 No.1
Strip-shaped diamond field emitter arrays were fabricated by using a transfer mold technique. V-grooves were formed on a single crystalline (100) silicon substrate by an orientation dependent etching(ODE) method. Diamond film was grown on V-grooved silicon substrate by chemical vapor deposition(CVD). Diamond field emitter arrays were formed by etching silicon substrates. I-V characteristics of the fabricated diamond field emitter arrays under 2 x10^(-6) Torr showed very sharp turn-on characteristics. Empirical result which was obtained in this work is feasibility of transfer mold technique for fabrication of diamond field emitter arrays. It may be possible to use the strip-shaped diamond field emitter arrays for the field emission display (FED) applications.
주병권,이명복,이정일,김형곤,강광남,오명환,Ju, Byeong-Kwon,Lee, Myoung-Bok,Lee, Jung-Il,Kim, Hyoung-Gon,Kim, Kwang-Nham,Oh, Myung-Hwan 대한전자공학회 1990 전자공학회논문지 Vol. No.
표준 Si 공정기술을 이용하여 칩의 크기가 $1.7{\times}1.7{mm^2}$인 소형 압저항형 Si 압력센서를 제작하고 그 동작 특성을 평가하였다. 제작된 센서는 크기 $1.0{\times}1.0{mm^2}$, 두께 $20{\mu}m$의 n형 Si 다이아프램상에 4개의 붕소 확산저항이 브릿지 형태로 연결된 칩 구조를 가지며 최종적으로 게이지압을 측장할 수 있도록 상온 상압하에서 패키징하였다. 이 센서의 동작특성은 상온에서 압력감도 $14.2{\mu}V/V{\cdot}mmHg$ 정격 압력범위 0~760mmHg, 최대 비선형성 $1.0{\%}$ FS로 평가되었다. On the basis of standard Si processing, the miniaturized piezoresistive-type Si pressure sensor with a chip size of $1.7{\times}1.7{mm^2}$ was fabricated and its operating characteristics were investigated. The sensor chip has a full-bridge type of 4 boron-diffused resistors which is formed on an $1.0{\times}1.0{mm^2}$ area, $20{\mu}m$ thick n-type Si diaphragm and finally, encapsulated under room temperature, 1 atm in order to measure a gauge pressure. The operating characteristics of this sensor were determined as a pressure sensitivity of $14.2{\mu}$V/VmmHg, a rated pressure range of 0~760 mmHg, and a maximum nonlinearity of $1.0{\%}$ FS at room temperature.
주병권,이덕중,이윤희 한국마이크로전자및패키징학회 2000 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.7 No.1
유리 프릿과 유리 튜브를 사용하지 않고 FED, VFD와 PDP를 봉입할 수 있는 기반 기술로서, 진공 내에서 두 장의 sodalite유리 기판들을 정전 열 접합하는 공정을 연구하였으며, 대기 중에서 정전 열 접합한 기판 쌍들과 비교하여 접합 특성을 비교.분석하였다. 진공 분위기 내에서 비정질 실리콘 interlayer를 이용하여 접합된 유리 기판 쌍의 경우, 대기압의 경우와 비교할 때 동일한 접합 온도와 전압에서 접합 강도가 상대적으로 낮은 것으로 측정되었으며, 산소 분위기의 경우 접합 강도가 증가하였음을 확인하였다. XPS와 SIMS를 통한 비정질 실리콘 표면 및 유리기판 표면의 조성 변화 분석으로부터, 진공내에서 산소가 부족함으로써 정전 열 접합 과정에서 부가적으로 수반되는 실리콘 산화막이 불완전하게 형성된 것으로 해석 할 수 있다. As an essential technology for the FED, VFD and PDP packaging having merits of no glass frit and no glass tube usage, two sodalime glass substrates were electrostatically-bonded in a vacuum environment, and the bond properties were compared with the case of bonding in atmosphere. The glass wafer pairs bonded in vacuum using a-Si interlayer had a relatively lower bond strength than the ones bonded in atmosphere under same bonding conditions (temperature and voltage). And the bond strength was increased in the case of oxygen ambient. Through the XPS and SIMS analyses fur the surface region of a-silicon and bulk glass, it might be concluded that the lower bonding strength was originated from the inactive silicon oxide growth occurred during the electrostatic bonding process due to oxygen deficiency in vacuum.