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MICP(Multi-pole Inductivity Coupled Plasma)를 이용한 deep contact etch 특성 연구
설여송,김종천,구병희 호서대학교 반도체제조장비국산화연구센터 2003 학술대회 자료집 Vol.2003 No.1
본 연구에는 MICP Etching system을 이용한 Via contact 및 Deep contact hole process 특성을 연구하였다. Langmuir Probe를 이용한 MICP source 의 Plasma density & electron temperature 측정하였고 탄소와 플로우르를 포함하는 혼합 Plasma를 형성하여 RF frequency, wall temperature, chamber gap, gas chemistry 등의 변화에 따른 식각 특성을 조사하였다. plasma density 는 1000W 에서 10^11/cm^3 이상의 high density plasma 와 uniform plasma 형성을 확인하였고 CH_2_F_2와 CO의 적절한 혼합비를 이용하여 Oxide to PR선택비가 10이상인 고선택비 조건을 확보하였다. 고선택비 형성에 따라 Polymer 형성이 많이 되었고 이를 개선하기 위하여 반응 챔버의 온도 조절을 통하여 Polymer 증착방지에 효과적인 것을 확인하였다.MICP source를 이용하여 탄소와 플로우르의 혼합 가스와 식각 챔버의 온도 조절에 의한 선택비증가를 확보하여 High Aspect Ratio Contact Hole Etch 가능성을 확보하였다.
Multi-pole Inductively Coupled Plasma(MICP)를 이용한 Via Contact 및 Deep Contact Etch 특성 연구
설여송,김종천 한국반도체디스플레이기술학회 2003 한국반도체장비학회지 Vol.2 No.3
In this research, the etching characteristics of via contact and deep contact hole have been studied using multi-pole inductively coupled plasma(MICP) etching system. We investigated Plasma density of MICP source using the Langmuir probe and etching characteristics with RF frequency, wall temperature, chamber gap, and gas chemistry containing Carbon and Fluorine. As the etching time increases, formation of the polymer increases. To improve the polymer formation, we controlled the temperature of the reacting chamber, and we found that temperature of the chamber was very effective to decrease the polymer thickness. The deep contact etch profile and high selectivity(oxide to photoresist) have been achieved with the optimum mixed gas ratio containing C and F and the temperature control of the etching chamber.