육방정 페라이트의 고용성 및 단결정 육성 연구

강진기,박병규,정수진 한국세라믹학회 1986 한국세라믹학회지 Vol.23 No.3

single crystals of various hexagonal ferrites were grown by a flux technique. For the growing experiment platinum crucibles of size 40 cc and a horizontal siliconit tube furnace were used. Charges consisted of the flux of BaO(SrO)/$B_2O_3$ and the composition of crystals in the system of BaO $(SrO)-Fe_2O_3-ZnO$. The BaO(SrO)/$B_2O_3$ molar ratio of the flux were varied from 1 to 3. Crystals up to 12.5mm in diameter were grown by slow cooling of melts from a maximum temperature of 1, 30$0^{\circ}C$or 1, 350$0^{\circ}C$ to 95$0^{\circ}C$ or 1, 00$0^{\circ}C$ The grown crystals exhibited a tabular hexagonal habits with very well developed ba-sal planes and narrow pyramidal faces of {1011} {1012} and {0001}. For the identification of the grown crystals X-ray diffraction studies were carried out. The effects of va-riations in flux ratio flux percentage and cooling rate on the quality of the grown crystals were studied. Cry-stal habits hillocks etch steps and growth spirals were observed by optical microscope. Magnetic properties of single crystals were measured.

LEC법 GaAs 단결정의 종단쌍정 발생

강진기,유학도,박종목,Gang, Jin-Gi,Yu, Hak-Do,Park, Jong-Mok 한국결정학회 1991 韓國結晶學會誌 Vol.2 No.1

GaAs 단결정을 LEC법으로 성장시킬 때 종단쌍정이 자주 발생하여 문제가 된다. 종단쌍정이 발생 하면 (100) 방향의 성장축이 (221)로 바뀐다. 본 실 험에서는 (100) 방향의 성장축으로 직경 3 inch의 CaAs 단결정을 LEC법에 의해 성장시키고, SPW photo-etching법에 의해 GaAs 단결정성장에서 생성 된 striation과 edge facet를 관찰하여 상호관계를 연 구하였다. 이들의 불안정한 생성이 종단방정 발생의 원 인 이었다. Striation의 형태는 결정직경, 융액량등의 성장조건에 따라 변화하였다. 결정주변부에서는 미시적인 striation 형태의 변화가 있었는데, 이는 용액대류의 불안정에 기인한 것이었다. {lll} 면으로 구성된 edge facet은 결정주변부에서 striation의 형태가 볼록 해질 때 잘 생성되었다. 이것은 striation과 {lll} edgp facet이 이루는 각도가 작아지기 때문이었다. 종단방정은 결정축에 수직한 (110) 방향의 결정 표면에서 발생하였다. 이들은 불안정한 융액대류에 의해 생성되어 결정이 성장함에 따라 결정속으로 전파되었다. 종단방정은 {lll} edge facet의 재용융 후 재성장의 성장속도가 매우 빠를 때 발생하였다. 따라서 이러한 종단쌍정의 발생을 억제하기 위해서 는 고액계면에서의 급격한 융액대류의 변화가 생기 지 않도록 하여야 한다. When GaAs single crystals are grown by LEC method, a serious problem is that longitudinal twins are often generated. the growth axis is changed from (100) to (221) direction by logitudinal twin. In this experiment, 3 inch GaAs single crystals, slaving (100) uonh axis, were von by LEC method. Striations and edge facets generated during crystal growth, were observed by SPW photo-etching. Relationship between striations and edge facets was studied. Instability of their generation was the cause of goneration of longitudinal twins. The shape of striations was changed with the growth conditions such as crystal diameter and melt volume. In the region of crystal edge: there was the microscopic fluctuation by the instability of melt convection. Edge facets consisting of {111} plane developed well in the region which striation were convex to the melt. Because the angle between striation and {111} edge facet decreased in that region. Longitudinal twins were generated on the crystal surface at the <111> direction which is perpendicular to the growth axis. These were generated by unstable melt convection and propagated in the crystal as crystal grew. Longitudinal twins were generated when regrowth rate was very fast after {111} edge facets were remelted. So, in order to supress the generation of longitudinal twin, abrupt change of melt convection must be prohibited.

해상 및 지반특성을 극복한 해상교량 기초 설계사례 -지도~임자 도로건설공사 -

강진기,김기연,최충식,한근택,최용희,Gang, Jin-Gi,Kim, Gi-Yeon,Choe, Chung-Sik,Han, Geun-Taek,Choe, Yong-Hui 한국지반공학회 2013 지반 : 한국지반공학회지 Vol.29 No.10

비매설형 센서를 이용한 좌회전 진입차량 감응제어 교통신호 연구

강진기,김시영,최도혁,김성환 한국ITS학회 2003 한국ITS학회 학술대회 Vol.2003 No.1

비매설식 자동차량인식장치를 이용한 구간교통정보 산출 방법 연구

강진기,손영태,윤여환,변상철 한국ITS학회 2002 한국ITS학회논문지 Vol.1 No.1

본 연구는 기존 지점검지기와 비콘검지기 및 매설식 자동차량인식장치(Automatic Vehicle Identification : AVI)의 한계점을 극복하고자 비매설식 AVI를 개발하고 이를 통하여 도로상을 주행하는 일반적인 차량들을 프루브 차량으로 활용하여 신뢰성 있는 구간교통정보를 산출하는 방법을 개발하는 것을 목적으로 한다. 이를 위해 비매설식 자동차량인식장치를 개발하고, 국도1호선 수원평택구간(9.5km)에 설치되어 운용중인 장비에 대하여, 현장에서 수집된 자료를 분석하여 신뢰성 있는 구간교통정보 수집 가능성을 살펴보았다. 현장 실험 결과 레이저센서의 차량 검지율은 95% 이상, 차량 인식률은 87.8%이며, 차량 매칭률은 약 14.3%로 분석되어 도로의 괴통상황 추이를 잘 반영하는 것으로 판단되었다. 또 시스템의 신뢰도 시험 및 지속성 시험 방법에 의한 시험결과의 성능을 비친 평가하기 위하여 기존의 이와 유사한 장비를 설치하여 검수하는 각 기관의 검수기준을 적용하여 평가한 결과 본 시스템은 각 검수 기준을 모두 만족하는 것으로 나타나 현장 적용성에서 매우 뛰어난 성능을 보이고 있다 향후 연구과제로서, 설치 대상 차로 및 적정 설치구간 거리, 정보 제공 주기 등에 대한 상세한 연구 및 기존 지점 검지기 자료와의 퓨전(Fusion) 방안에 대한 연구가 필요할 컷으로 사료된다. This paper describes about non-burial AVI (Automatic Vehicle Identification) system using general vehicle as probe car for obtaining more accurate traffic information while conserving road pavement surface. Existing spot traffic detectors have their own limits of not obtaining right information owing to its mathematical method. Burial AVI systems have some defects, causing traffic jam, needing much maintenance cost because of frequent cutting of loop and piezo-electric sensors. Especially, they have hard time to make right detection, when it comes to jamming time. Therefore, in this paper, we propose non-burial AVI system with laser trigger unit. Proposed non-burial AVI system is developed to obtain regional traffic information from normal Passing vehicle by automatic license number recognition technology. We have adapted it to national highway section between Suwon city and PyongTaek city(9.5km) and get affirmative results. Vehicle detection rate of laser trigger unit is more than 95%, vehicle recognition rate is 87.8% and vehicle matching rate is about 14.3%. So we regard these as satisfying results to use the system for traffic information service. We evaluate proposed AVI system by regulation of some institutions which are using similar AVI system and the proposed system satisfies all conditions. For future study, we have plan of detailed research about proper lane number from all of the target lanes, optimal section length, information service period, and data fusion method for existing spot detector

비극성 a-GaN용 R-면 사파이어 기판의 제조

강진기,김정환,김영진,Kang, Jin-Ki,Kim, Jung-Hwan,Kim, Young-Jin 한국마이크로전자및패키징학회 2011 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.18 No.3

초고휘도 비극성 a-GaN LED를 위한 양질의 R-면 사파이어 기판을 제조하기 위해 절단, 연마공정에 대해서 연구하였다. 사파이어는 이방성이 큰 물질로서 R-면과 c-면의 기계적인 특성의 차이에 의해 기판 제조공정 조건이 영향을 받으며, c-면에 비해서 R-면은 이방성 크며 각 결정학적인 면에서의 이방성은 연마공정에는 큰 영향을 미치지 않으나 절단공정에 큰 영향을 미치는 것으로 나타났다. R-면 잉곳의 절단방향이 a-flat에 대해 $45^{\circ}$인 경우에 절단이 가장 효과적으로 이루어졌으며 양호한 절단품질을 얻을 수 있었다. 기계적인 연마가 이루어지는 래핑과 DMP(Diamond mechanical polishing) 공정에서는 c-면 기판과 연마율이 큰 차이가 나타나지 않았으나, 화학반응이 수반되는 CMP(Chemical mechanical polishing) 공정에서는 c-면 기판의 연마율이 R-면 기판의 약 2배 이상 큰 값을 가졌으며, 이는 c-면의 수화반응층 형성에 의한 영향으로 보여진다. We have studied on the slicing and polishing processes of R-plane sapphire wafers for the substrates of UHB nonpolar a-plane GaN LED. The fabrication conditions of the R-plane and c-plane wafers were influenced by the large anisotropic properties (mechanical properties) of the sapphire. The slicing process was more affected by the anisotropic properties of R-plane than the polishing process. When the slicing direction was $45^{\circ}$ to the a-flat, the slicing time was shorter and the quality of as-slicing wafers was better than the slicing direction of normal to the a-flat. The MRR(Material removal rate) of mechanical polishing processes such as lapping and DMP(Diamond mechanical polishing) did not show significant differences between the R-plane and c-plane. The MRR of the c-plane was about two times higher than that of R-planes at the CMP(Chemical mechanical polishing) process due to the formation of hydrolysis reaction layers on the surface of the c-plane.

식물성 첨가제와 발수제를 이용한 기능성 포장지 제조법 개발

강진기,김철환,박종열,조성환,박우포 한국공업화학회 2002 한국공업화학회 연구논문 초록집 Vol.2002 No.1

국내산 죽순대의 펄프화를 위한 연구

강진기,김철환,박종열 경상대학교 농업생명과학연구원 2002 농업생명과학연구 Vol.36 No.4

본 연구는 국내산 죽순대의 펄프와 가능성을 탐색하기 위한 기초 연구의 일환으로 수행되었다. 국내의 남부 지역에 다량 식재되어 있는 죽순대(Phyllostachys pubescens)를 펄프화하기 위한 최적의 증해조건을 찾고자 하였다. 죽순대의 펄프 방법은 NaOH와 Na_2S를 펄프화 약액으로 사용하는 크라프트 펄프화법이었고, 이들 약액의 조성비를 달리하여 펄프화를 시도하였다. 죽순대 펄프의 수율은 활성 알칼리와 황화도를 증가시킬수록 감소하였지만 펄프의 물성은 증가하였다. 그러나 동일 조건으로 증해된 활엽수 크라프트 펄프에 비하여 낮은 수율과 물성을 나타내었지만 일정한 활성 알칼리 하에서 황화도를 증가시키면 활엽수 크라프트 펄프보다 나은 물성을 갖는 죽순대 펄프를 제조할 수 있었다. 결론적으로 죽순대는 적정 증해 조건의 사용으로 활엽수 크라프트 펄프의 대체 자원으로 사용될 수 있는 유효한 자원임이 확인되었다. This study was carried out to explore optimum chemical pulping conditions of P. pubescens growing in the southern area of Korea. Kraft pulping using chemical liquors such as NaOH and Na_2S was applied to manufacture P. pubescens pulp. Even though the yield and the physical properties of bamboo pulp were lower than those of unbleached kraft hardwood pulp under a constant pulping condition, the increased sulfidity under the constant active alkali contributed to improvement of physical properties of the bamboo pulp. Finally, this study made clear that P. pubescens could be used as an efficient fiber resource to substitute chemical hardwood pulps under proper pulping conditions.

경사각을 갖는 비극성 a-GaN용 R-면 사파이어 기판의 제조 및 특성

강진기,김영진,Kang, Jin-Ki,Kim, Young-Jin 한국결정성장학회 2011 한국결정성장학회지 Vol.21 No.5

비극성 a-GaN의 성장 시 기판의 경사각은 GaN epi의 품질을 결정하는 중요한 변수로서 양질의 a-GaN 성장을 위해서는 R-면 기판의 경사각이 정밀하게 제어된 기판이 요구된다. 본 연구에서는 R-면 기판의 경사각 ${\alpha}$와 ${\beta}$의 목표값이 각각 0, -0.1, -0.15, -0.2, -0.4, $-0.6^{\circ}$와 -0.1, 0, $0.1^{\circ}$인 절단기판을 제조하였다. 절단기판의 경사각을 x-ray를 이용하여 측정하고 통계적인 분석을 통해 기판의 경사각 제어공정에 대한 신뢰성을 평가하였으며, R-면 기판의 경사각의 공차는 ${\pm}0.03^{\circ}$의 값을 가졌다. R-면 기판은 상대적으로 큰 이방성에 의해 c-면 기판에 비해 휨(BOW)과 두께편차(TTV)가 상대적으로 큰 분포를 갖는 것으로 나타났다. AFM을 이용하여 기판 표면을 관찰한 결과, 측정된 R-면기판의 step 높이는 0.2~0.4 nm로 거의 일정한 값을 가졌으며 step 너비는 경사각 ${\alpha}$가 증가함에 따라 156 nm에서 26 nm로 감소하였으며 이와같은 R-면 기판의 step 구조의 변화는 epi 성장에 큰 영향을 미치는 것으로 판단된다. Tilt angle of r-plane wafer is a one of the important factors related with the quality of the GaN epi, so the fine control of the tilt angle is important for the growing of high quality non-polar a-GaN epi. We prepared the R-plane sapphire wafers with slight tilt angles for nonpolar a-plane GaN. The target tilt angles of ${\alpha}$ and ${\beta}$ were 0, -0.1, -0.15, -0.2, -0.4, $-0.6^{\circ}$ and -0.1, 0, $0.1^{\circ}$, respectively. The tilt angles of sliced R-plane sapphire wafers were measured by x-ray and the statistical evaluation of reliability of tilt angles of wafers were performed. The tolerance of the tilt angle was ${\pm}0.03^{\circ}$. R-plane sapphire wafers have relatively large distributions of BOW and TTV data than c-plane sapphire wafers due to the large anisotropy of R-plane. As the tilt angle ${\alpha}$ was increased from -0.1 to $-0.6^{\circ}$, the step widths and heights were decreased from 156 nm to 26 nm and 0.4 nm to 0.2 nm, respectively. The growth and qualities of GaN epi seems to be largely affected by the change of step structure of R-plane sapphire wafers with tilt angle.

화훼류의 선도 유지 및 병해 방지를 위한 기능성 첨가제 및 포장 원지 개발

강진기,김철환,조성환 한국펄프·종이공학회 2002 한국펄프·종이공학회 학술발표논문집 Vol.- No.-