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열처리에 의한 Ti 기반 MXene 소재의 구조 변화와 전자파 간섭 차폐 특성에 관한 연구
슈에한,경지수,우윤성 한국마이크로전자및패키징학회 2023 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.30 No.3
높은 전기전도도와 우수한 기계적 강도, 열안정성을 가진 2차원 전이금속탄화물 또는 질화물인 MXene은 최근가볍고 유연한 전자파 차폐 소재로 많은 주목을 받고 있다. 특히, Ti 기반의 Ti3C2Tx와 Ti2CTx는 방대한 MXene 계열 시스템에서 전기 전도성과 전자파 차폐 특성이 가장 우수한 것으로 보고되고 있다. 따라서, 본 연구에서는 Ti3AlC2와 Ti2AlC의층간 금속 에칭과 원심 분리법을 통하여 합성된 Ti3C2Tx와 Ti2CTx 분산용액을 진공 여과법을 이용하여 수 마이크로 두께의 필름을 제작하였으며, 고온 열처리 후에 필름의 전기전도도 및 전자파 차폐 효율을 측정하였다. 그리고, X선 회절법과광전자 분광법을 이용하여 열처리 후의 Ti3C2Tx와 Ti2CTx 필름의 구조적 변화와 전자파 차폐에 미치는 영향을 분석하였다. 본 연구의 결과를 바탕으로 향후 소형 및 웨어러블 전자기기에 적용하기 위한 매우 얇고 가벼운 우수한 성능의 MXene 기반 전자파 차폐 필름을 위한 최적 구조를 제안하고자 한다. MXene, a two-dimensional transition metal carbide or nitride, has recently attracted much attention as a lightweight and flexible electromagnetic shielding material due to its high electrical conductivity, good mechanical strength and thermal stability. In particular, the Ti-based MXene, Ti3C2Tx and Ti2CTx are reported to have the best electrical conductivity and electromagnetic shielding properties in the vast MXene family. Therefore, in this study, Ti3C2Tx and Ti2CTx films were prepared by vacuum filtration using Ti3C2Tx and Ti2CTx dispersions synthesized by interlayer metal etching and centrifugation of Ti3AlC2 and Ti2AlC. The electrical conductivity and electromagnetic shielding efficiency of the films were measured after heat treatment at high temperature. Then, X-ray diffraction and photoelectron spectroscopy were performed to analyze the structural changes of Ti3C2Tx and Ti2CTx films after heat treatment and their effects on electromagnetic shielding. Based on the results of this study, we propose an optimal structure for an ultra-thin, lightweight, and high performance MXene-based electromagnetic shielding film for future applications in small and wearable electronics.
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펄스광 공정을 이용한 전자재료 및 전자패키징의 연구 동향
김태유,김광석 한국마이크로전자및패키징학회 2026 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.33 No.1
펄스광 공정(pulsed light processing, PLP)은 짧은 시간 동안 강한 광대역 광에너지를 조사하여 기능층을 선택적으로 가열하고, 열에 민감한하부 기판의 열노출을 줄일 수 있는 고속 광열 공정으로, 전자재료 및 저열예산 전자패키징 분야에서 주목받고 있다. 본 고에서는 재료 수준의 광열 공정에서 패키지 수준의 상호연결 공정으로 확장되는 대표 응용 분야를 정리하고, 금속 나노입자 소결, graphene oxide 기반 탄소 박막 공정, 패키징 관련 접합 및 본딩 연구를 중점적으로 고찰하였다. PLP는 빠른 공정 속도, 국부적 에너지 전달, 열민감 구조와의 공정 호환성측면에서 장점을 가지지만, 금속 인쇄전자가 가장 확립된 분야인 반면 탄소 필름 공정과 패키징 응용은 아직 적용 범위와 검증 수준이 제한적이다. 또한 좁은 공정 윈도우, 재료 적층 구조 의존성, 공정 중 관측의 한계, 신뢰성 검증을 포함한 스케일업 부족이 주요 과제로 남아 있다. Pulsed light processing (PLP) has emerged as a rapid photothermal route for electronic materials and, more recently, for low-thermal-budget electronic packaging. By delivering intense broadband optical energy within a short duration, PLP enables selective heating of functional layers while reducing thermal exposure of heat-sensitive substrates. This review provides a concise overview of representative application domains spanning the transition from material-level photothermal processing to package-level interconnection, with emphasis on metallic nanoparticle sintering, graphene-oxide-based carbon film processing, and emerging packaging-related joining and bonding. PLP offers clear advantages in processing speed, localized energy delivery, and compatibility with temperature-sensitive structures. However, the maturity of the evidence is not uniform: metallic printed conductors are the most established application area, whereas graphene-oxide-based carbon processing remains more selective in scope, and packaging-oriented joining is still at an earlier stage of validation. Key challenges include narrow process windows, strong material-stack dependence, limited process observability, and insufficient reliability-qualified scale-up. Overall, PLP is a promising bridge between rapid electronic-material fabrication and advanced package integration, but its broader manufacturing impact will depend on predictive control, in situ monitoring, and packaging-specific process qualification.
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질소분위기 전자빔 조사에 의한 졸-겔 IGZO 박막 트랜지스터의 전기적 특성 향상
박지호,송영석,배수강,김태욱 한국마이크로전자및패키징학회 2023 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.30 No.3
본 연구에서는 졸-겔 IGZO(Indium-Gallium-Zinc Oxide) 박막을 만들고 이에 전자빔을 조사 한 후 박막 트랜지스터로 제작하여 전자빔 조사가 박막 트랜지스터의 전기적 특성에 미치는 영향을 비교 분석하였다. 특히 전자빔이 조사되는 환경을 대기 중과 질소 분위기(<200 ppm O2)로 두고 전자빔 조사 선량 세기를 100kGy와 200kGy로 각각 조사한 후350℃ 온도에서의 열처리만 진행한 비교군과 비교 분석을 진행하였다. 전자빔 조사에 따른 졸-겔 IGZO 박막의 물성 변화를 분석하기 위해 UV-Visible spectroscopy, X-ray diffraction(XRD)와 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)를 분석 결과, 전자빔 조사 전·후의 모든 조건 하에서 가시광 영역에서의 80% 이상의 높은 투과도를 보여줌을 확인할 수 있었고, XRD 분석 결과를 통해 전자빔 조사와 관계없이 비정질 특성을 유지함을 확인하였다. 특히 전자빔 조사에 따라 졸-겔 IGZO 박막에 화학적 조성 변화가 있음을 확인하였는데, 질소 분위기에서 전자빔을 조사하게 되면 M-O결합과 관련된 peak이 차지하는 비율이 높아짐을 확인할 수 있었다. 질소 분위기에서 전자빔이 조사된 TFT들은 on/off 비율, 전자 이동도에서 향상된특성을 보여주었으며, 시간에 따라 트랜지스터의 특성들(on/off 비율, 문턱전압, 전자이동도, 하위임계값 스윙)의 수치 또한큰 변화 없이 유지됨이 확인되어, 졸-겔 공정 TFT 제작에 있어서 질소 분위기에서의 전자빔 조사공정이 IGZO기반 박막트랜지스터의 전기적특성의 개선에 기여할 수 있을 것으로 기대된다. In this paper, we studied the effect of electron beam irradiation on sol-gel indium-gallium-zinc oxide (IGZO) thin films under air and nitrogen atmosphere and carried out the electrical characterization of the s ol-gel IGZO thin f ilm transistors (TFTs). To investigate the optical properties, crystalline structure and chemical state of the sol-gel IGZO thin films after electron beam irradiation, UV-Visible spectroscopy, X-ray diffraction (XRD), and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) were carried out. The sol-gel IGZO thin films exhibited over 80% transmittance in the visible range. The XRD analysis confirmed the amorphous nature of the sol-gel IGZO films regardless of electron beam irradiation. When electron beam irradiation was conducted in a nitrogen (N2) atmosphere, we observed an increased proportion of peaks related to M-O bonding contributed to the improved quality of the thin films. Sol-gel IGZO TFTs subjected to electron beam exposure in a nitrogen atmosphere exhibited enhanced electrical characteristics in terms of on/off ratio and electron mobility. In addition, the electrical parameters of the transistor (on/off ratio, threshold voltage, electron mobility, subthreshold swing) remained relatively stable over time, indicating that the electron beam exposure process in a nitrogen atmosphere could enhance the reliability of IGZO-based thin-film transistors in the fabrication of sol-gel processed TFTs.
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