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초등학생들의 호흡 기작에 대한 협력적 모델링 수업에서 설명적 모델 수준과 인식론적 기준 및 상호작용 특징 분석
박철진,차희영 한국초등과학교육학회 2020 한국초등과학교육학회 학술대회 Vol.78 No.-
본 연구는 초등학교 5학년 학생들의 호흡 기작에 대한 협력적 모델링 수업을 통해 설명적 모델 수준 변화와 수준별 설명적 모델 생성 과정에서 사용된 인식론적 기준 및 상호작용 특징을 분석하였다. 첫째, 호흡에 대한 설명적 모델의 변화를 알아보기 위해 사전·사후 학생들이 구성한 설명적 모델을 구성 요소, 순서, 설명적 과정, 대응 차원으로 나누어 비교 분석하였다. 학생들은 호흡 기작에 중요한 영향을 미치는 가로막을 확인하여 구성 요소들의 변화 과정을 올바르게 설명하는 순서 차원의 향상은 높았지만, 호흡 기작을 설명하기 위해 필요한 실체인 압력과 부피에 대한 구성 요소 차원과 이를 활용한 설명적 과정의 차원의 변화는 차이가 있었다. 둘째, 수준별 설명적 모델 생성 과정에서 활용된 인식론적 기준을 분석하였다. 설명적 모델의 수준이 높아질수록 권위 기반의 기준과 피상적 기준의 활용은 줄어들고, 실증적·간접적 증거와 정합성을 활용하여 자신의 주장을 정당화하여 설명적 모델을 정교화하였다. 또한 설명적 모델의 수준향상이 높은 소집단에서 인식론적 기준의 활용 빈도가 높았다. 셋째, 담화 분석과 소셜네트워크 분석을 통해 수준별 설명적 모델의 생성 과정에서 학생들의 지식 구성의 참여 정도를 분석하였다. 연구 결과, 학생들의 지식 구성의 참여가 높은 소집단에서는 두 경쟁 모델에 대한 논변활동이 활발하게 이루어졌음을 알 수 있었다. 이러한 높은 학생들의 참여는 다른 맥락에서 설명적 모델의 활용을 높이는 학습의 전이에 기여했음이 드러났다. 또한 설명적 모델의 수준이 높아질수록 교사의 지식 구성에 대한 영향력은 커짐을 알 수 있었다. 교사는 논변활동의 촉진자로써 학생들의 상호작용을 촉진하는 역할과 지식의 전달자로써 역할을 하였다. 결론적으로 본 연구를 통해 협력적 모델링 수업에서 학생들의 설명적 모델 향상 과정에서 인식론적 기준의 활용과 교사와 학생들 간 상호작용의 중요성을 확인하였다. 그러므로 수업에서 인식론적 기준의 활용을 통한 학생들의 참여를 향상시킬 수 있는 연구가 추가적으로 수행될 필요가 있다.
비정질-결정질 가역적 상변환 소자용 Ge<sub>8</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>11</sub> 박막의 W 도핑에 따른 상변환 특성 평가
박철진,여종빈,공헌,이현용,Park, Cheol-Jin,Yeo, Jong-Bin,Kong, Heon,Lee, Hyun-Yong 한국전기전자재료학회 2017 전기전자재료학회논문지 Vol.30 No.3
We evaluated the structural, electrical and optical properties of tungsten (W)-doped $Ge_8Sb_2Te_{11}$ thin films. In a previous work, GeSbTe alloys were doped with different materials in an attempt to improve thermal stability. 200 mm thick $Ge_8Sb_2Te_{11}$ and W-doped $Ge_8Sb_2Te_{11}$ films were deposited on p-type Si (100) and glass substrates using a magnetron co-sputtering system at room temperature. The fabricated films were annealed in a furnace in the $0{\sim}400^{\circ}C$ temperature range. The structural properties were analyzed using X-ray diffraction (X'pert PRO, Phillips). The results showed increased crystallization temperature ($T_c$) leading to thermal stability in the amorphous state. The optical properties were analyzed using an UV-Vis-IR spectrophotometer (Shimadzu, U-3501, range : 300~3,000 nm). The results showed an increase in the crystalline material optical energy band gap ($E_{op}$) and an increase in the $E_{op}$ difference (${\Delta}E_{op}$). This is a good effect to reduce memory device noise. The electrical properties were analyzed using a 4-point probe (CNT-series). This showed increased sheet resistance ($R_s$), which reduces programming current in the memory device.
박철진,오성기 한국농화학회 1991 Applied Biological Chemistry (Appl Biol Chem) Vol.34 No.2
最近 食品의 代替 着色劑로서 天然 色素의 利用은 食品의 安定性면에서 重要한 硏究 課題이다. 本 硏究는 天然 食品 色素 開發의 一環으로 山菜菓(Cornus Fruit) anthocyanin 色素의 安定性을 檢討하기 爲하여 溫度, pH, ascorbic acid, 糖類 및 그 分解産物, 無機鹽類, 金屬이온, UV 照射 等에 依한 影響을 調査한바 色素의 安定性은 pH 2.0∼3.0과 2℃에서 높았고, 無機鹽과 金屬이온, 특히 Cd^(2-) 이온은 綠色保存率을 높인 反面, 24時間의 UV 照射로 색소의 52% 파괴되었다.
A Study on Pressure Distribution for Uniform Polishing of Sapphire Substrate
박철진,정해도,이상직,김도연,김형재 한국트라이볼로지학회 2016 한국트라이볼로지학회지 (Tribol. Lubr.) Vol.32 No.2
Total thickness variation (TTV), BOW, and surface roughness are essential characteristics for high quality sapphire substrates. Many researchers have attempted to increase removal rate by controlling the key process parameters like pressure and velocity owing to the high cost of consumables in sapphire chemical mechanical polishing (CMP). In case of the pressure approach, increased pressure owing to higher deviation of pressure over the wafer leads to significant degradation of the TTV. In this study, the authors focused on reducing TTV under the high-pressure conditions. When the production equipment polishes multiple wafers attached on a carrier, higher loads seem to be concentrated around the leading edge of the head; this occurs because of frictional force generated by the combination of table rotation and the height of the gimbal of the polishing head. We believe the skewed pressure distribution during polishing to be the main reason of within-wafer non-uniformity (WIWNU). The insertion of a hub ring between the polishing head and substrate carrier helped reduce the pressure deviation. Adjusting the location of the hub ring enables tuning of the pressure distribution. The results indicated that the position of the hub ring strongly affected the removal profile, which confirmed that the position of the hub ring changes the pressure distribution. Furthermore, we analyzed the deformation of the head via finite element method (FEM) to verify the pressure non-uniformity over the contact area Based on experiment and FEM results, we determined the optimal position of hub ring for achieving uniform polishing of the substrate.