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CHF₃ / C₂F6 플라즈마에 의한 실리콘 표면 잔류막의 특성
권광호(K.-H. Kwon),박형호(H.-H. Park),이수민(S. M. Lee),강성준(S. J. Kang),권오준(O.-J. Kwon),김보우(B.W. Kim),성영권(Y.-K. Sung) 한국진공학회(ASCT) 1992 Applied Science and Convergence Technology Vol.1 No.1
실리콘을 CHF₃/C₂F_6 가스 플라즈마를 이용하여 식각하면 실리콘위에 탄소, 불소 및 산소로 이루어진 잔류막이 형성된다. 이 잔류막을 XPS로 분석한 결과 탄소는 C-Si, C-Si, C-C/H, C-CF_x(x≤3), C-F, C-F₂, C-F₃ 결합을 하고 있으며, 불소는 F-Si, F-C 및 F-O 결합으로 이루어져 있음을 알았다. 한편 산소는 O-Si 및 O-F 결합으로, 실리콘은 Si-Si, Si-C 및 Si-O 결합상태를 나타낸다. 잔류막의 수직분포 연구를 통하여 Si-O 및 Si-C 결합이 탄소와 불소의 결합층 아래에 존재하고, 잔류막의 표면부에 F-O 결합이 분포함을 알았다. 또한 건식식각 변수가 잔류막 형성에 미치는 영향이 조사되었으며 CHF₃/C₂F_6 가스 유량비, RF power 벚 압력 등이 잔류막의 두께, 조성비 및 잔류막의 결합상태에 영향을 미침을 알 수 있었다. Si surfaces exposed to CHF₃/C₂F_6 gas plasmas in reactive ion etching (RIE) have been characterized by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). CHF₃/C₂F_6 gas plasma exposure of Si surface leads to the deposition of residual film containing carbon and fluorine. The narrow scan spectra of C 1s show various bonding states of carbon as C-Si, C-Si, C-C/H, C-CF_x(x≤3), C-F, C-F₂, and C-F₃. The chemical bonding states of fluorine are described with F-Si, F-C, and F-O. And the oxygen and silicon are also detected. The effects of parameters for reactive ion etching as CHF₃/C₂F_6 gas ratio, RF power, and pressure are investigated.
권오형(O. H. Kwon),김상우(S. W. Kim),박재홍(J. H. Park),홍성제(S. J. Hong),김종(J. Kim),김보우(B. W. Kim) 한국정보과학회 1997 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.24 No.2Ⅱ
대용량 메모리의 결함을 검출하기 위한 기능 테스트는 메모리의 각 셀에 대한 반복된 읽기와 쓰기 동작으로 결함을 검출한다. 그러나 대용량 메모리에는 셀의 수가 너무 많기 때문에 기능 테스트에 장시간이 소요된다. 이러한 문제의 해결 방법으로 병렬 테스팅이 가능한 1Gb 메모리 구조를 제안한다. 제안한 1Gb 메모리는 4096배 빠른 테스팅을 수행 할 수 있다. 또한 제안한 메모리에서 고착 결함, 천이 결함, 결합 결함 및 어드레스 결함을 검출하는 march 테스트 알고리즘에 대하여 보였다.
박건식,박종문,윤용선,김보우,강진영,Park, K.S.,Park, J.M.,Yoon, Y.S.,Kim, B.W.,Kang, J.Y. 한국전자통신연구원 2007 전자통신동향분석 Vol.22 No.5
X-선 측정 및 영상장치를 포함한 다양한 응용분야에서 방사선에 대한 고해상도의 영상을 얻기 위한 목적으로 반도체 검출기에 대한 개발이 활발히 진행되고 있다. 본 고에서는 방사선 검출을 위해 요구되는 반도체 물질의 주요 특성에 대해서 조사하였다. 또한 반도체를 이용한 플랫 패널(flat panel) 시스템, 픽셀 디텍터(pixel detector)와 스트립 디텍터(strip detector) 등의 혼성형 디텍터(hybrid detector), MAPS와 DEPFET 등의 단일형 픽셀 디텍터(monolithic pixel detector)의 디바이스 동작 원리 및 특성과 국내외 기술 동향에 대하여 살펴보았다.
초고속 무선 멀티미디어(인터넷) 서비스를 위한 밀리미터파 대역 Pico Cell 광무선 통신 기술
김호영,전동석,이상석,남은수,김제하,김해천,조경익,김보우,이우용,Kim, H.Y.,Jeon, D.S.,Lee, S.S.,Nam, E.S.,Kim, J.H.,Kim, H.C.,Cho, K.I.,Kim, B.W.,Lee, W.Y. 한국전자통신연구원 2005 전자통신동향분석 Vol.20 No.6
최근 국내외에서 연구되고 있는 가입자에 초고속 멀티미디어 서비스가 가능하도록pico cell 가입자 통신망을 구성하여 100Mbps-수 Gbps의 대용량 초고속 데이터를 통신할 수 있는 밀리미터파 pico cell 광무선 통신 기술의 개념, 필요성, 기술 동향과ETRI를 중심으로 연구 개발되고 있는 핵심 부품들의 개발 현황과 기술의 활용성에 대하여 조사하였다.
무수 불화수소와 메탄올의 기상식각에 의한 실리콘 표면 미세 가공
장원익,최창억,이창승,홍윤식,이종현,백종태,김보우 한국센서학회 1998 센서학회지 Vol.7 No.1
In silicon surface micro-machining, the newly developed GPE(gas-phase etching) process was verified as a very effective method for the release of highly compliant micro-structures. The developed GPE system with anhydrous HF gas and CH₃OH vapor was characterized and the selective etching properties of sacrificial layers to release silicon micro-structures were discussed. P-doped polysilicon and SOI(silicon on insulator) substrate were used as a structural layer and TEOS(tetraethyorthosilicate) oxide, thermal oxide and LTO(low temperature oxide) as a sacrificial layer. Compared with conventional wet-release, we successfully fabricated micro-structures with virtually no process-induced suction and residual product.