이온펌프의 초고진공영역에서의 배기특성 개선

김정선(J. S. Kim), 여환욱(H. W. Yeo), 박종윤(C. Y. Park) 한국진공학회(ASCT) 1994 Applied Science and Convergence Technology Vol.3 No.4

초고진공영역에서 배기특성 개선을 위하여 재질 및 구조가 다른 세 가지 형태의 60(l/s)형 이온펌프를 제작하여 그 배기특성을 측정하였다. 그 결과 음극판에 Ta선을 전기용접한 펌프와 양극 cell의 구조에 변화를 준 펌프의 배기속도가 상용으로 이용되고 있는 펌프에 비해 약 50% 이상 개선되었다. For the improvement in pumping characteristics, we constructed the sputter ion pumps of new three types made of a different materials and structures, with 60(l/s). The pumping speed of pumps which were consisted of the Ta-welded cathode plate and the anode cells of a modified structure improved in pumping speed by ~50% more than that of the conventional sputter ion pump.

Growth of Ti on Si(111) - 7×7 Surface and the Formation of Epitaxial C54 TiSi₂ on Si(111) Substrate

김건호(Kun Ho Kim), 김인호(In Ho Kim), 이정주(Jeoung Ju Lee), 서동주(Dong Ju Seo), 최치규(Chi Kyu Choi), 홍성락(Sung Rak Hong), 양수정(Soo Jeong Yang), 박형호(Hyung Ho Park), 이중환(Joong Hwan Lee), 백문철(Mun Cheol Paek), 권오준(Oh Joon Kwon) 한국진공학회(ASCT) 1992 Applied Science and Convergence Technology Vol.1 No.1

고에너지 반사 전자회절기(RHEED) 및 투과전자현미경(HRTEM)을 이용하여 Si(111)-7×7 면에서의 Ti박막의 성장 mode와 Si(111) 면에서의 C54 TiSi₂의 정합성장을 조사하였다. 초고진공에서 Si(111)-7×7 표면에 상온에서 Ti를 증착하면 Ti/Si 계면에서 비정질의 Ti-Si 중간막이 먼저 형성되고 그 위에 Ti 박막은 다결정으로 성장하였다. 160 ML의 Ti를 증착한 시료를 초고진공 내에서 750℃로 10분 열처리하면 C54 TiSi₂가 정합성장하였으며 이는 HRTEM 격자상 및 TED pattern으로 확인할 수 있었다. TiSi₂/Si(111) 시료를 다시 900℃로 가열하면 TiSi₂ 위에 단결정 Si층이 [111] 방향으로 성장하였다. The growth of Ti on Si(111)-7×7 and the formation of epitaxial C54 TiSi₂ were investigated by using reflection high energy electron diffraction(RHEED) and high resolution transmission electron microscopy(HRTEM). Polycrystalline Ti layer is grown on the amorphous Ti-Si interlayer which is formed at the Ti/Si interface by Ti deposition on Si(111)-7×7 at room temperature (RT). HRTEM lattice image and transmission electron diffraction (TED) showed that epitaxial C54 TiSi₂ grown on Si substrate with 160 ML of Ti on Si(111)-7×7 surface at RT, followed by annealing at 750℃ for 10 min in UHV. Thin single crystal Si overlayer with [111] direction is grown on TiSi₂ surface when TiSi₂/Si(111) is annealed at ~900℃ in UHV, which was confirmed by Si(111)-7×7 superstructure.

사중극 질량분석기에 의한 초고진공 응용시스템 진단

임채영(Jae-Young Leem), 이철로(Cheul-Ro Lee), 정광화(Kwang-Hwa Chung), 노삼규(Sam-Kyu Noh), 이연환(Yeon-Han Lee) 한국진공학회(ASCT) 1994 Applied Science and Convergence Technology Vol.3 No.2

박막성장을 위한 초고진공 응용시스템을 제작하고 이것의 특성을 사중극질량분석계로 측정하였다. 초고진공 시스템을 박막성장에 활용하기 위해서는 챔버 뿐만 아니라 펌프, 이온게이지, 전자총 등도 베이킹이 요구되었다. 또한 이온게이지와 전자총은 적어도 박막성장 20분 전에 탈가스를 하여야함을 알았다. 이 시스템으로 달성된 진공도는 7×10^(-11) torr이었다. An ultra high vacuum application system for growing thin film has been fabricated, and characteristics of the system have been measured by quadrupole mass spectrometer. Pumps, ion gage, electron gun as well as main chamber in order to use the system for thin film growth have to be baked. And also, Ion gage and electron gun must be degassed during at least 20 min before growing thin film. An ultra high vacuum of 7×10^(-11) torr was achieved using the system.

한국진공학회지 투고 요령 외

편집부(편집자) 한국진공학회(ASCT) 2004 Applied Science and Convergence Technology Vol.13 No.2

포항 가속기 저장링 진공 chamber 설계

김창균(C. K. Kim), 길계환(K. H. Kil), 최우천(W. C. Choi), 박수용(S. Y. Park) 한국진공학회(ASCT) 1992 Applied Science and Convergence Technology Vol.1 No.1

포항 가속기 연구소는 2 GeV 규모의 방사광 가속기를 제작하고 있다. 가속기 저장링에 저장되는 전자빔의 수명을 5시간 이상 보장하기 위하여 저장링 진공 chamber내의 평균압력을 nano Torr 이하로 유지할 계획이다. 진공 Chamber는 상하판으로 구성되어 있고 각각은 따로 기계 가공되어 용접으로 접합된다. 진공 chamber 재료는 Al 5083-H321이다. pumping system으로는 lumped NEG와 ion pump의 combination pump를 가스발생이 심한 photon stop 밑에 부착하고 ion pump를 따로 설치한다. 진공 chamber 시제품을 사용하여 여러 종류의 test를 한 후에 본제품 설계를 수정 보완할 계획이다. The Pohang Accelerator Lab is constructing a 2 GeV synchrotron radiation source. In order to achieve a beam lifetime of 5 hours or more, the average pressure in the vacuum chamber will be kept in the nano Torr range. Each chamber consists of a top and a bottom piece, which are machined separately and welded together. The chamber material is Al 5083-H321. The pumping system has nine sets of lumped NEGs in tandem with ion pumps installed beneath photon stops, and six ion pumps per superperiod. A prototype chamber will be machined by February 1992. After various tests with the prototype chamber, the vacuum chamber design will be refined.

한국진공학회 경과보고 외

편집부(편집자) 한국진공학회(ASCT) 1992 Applied Science and Convergence Technology Vol.1 No.1

한국진공학회지 투고 요령 외

편집부(편집자) 한국진공학회(ASCT) 1994 Applied Science and Convergence Technology Vol.3 No.1

한국진공학회지 투고 요령 외

편집부(편집자) 한국진공학회(ASCT) 2004 Applied Science and Convergence Technology Vol.13 No.3

한국진공학회지 투고 요령 외

편집부(편집자) 한국진공학회(ASCT) 2004 Applied Science and Convergence Technology Vol.13 No.4

수소함유 다이아몬드 박막과 MS 및 MIS 다이아몬드 다이오드의 전기적 특성

이철로(C. R. Lee), 임재영(J. Y. Leem), 천병선(B. S. Chun) 한국진공학회(ASCT) 1994 Applied Science and Convergence Technology Vol.3 No.1

기전력 증가에 따라 균일 두께로 4종류 다이아몬드 박막을 성장하였다. 이들에 대해 성장 직후 및 진공소둔 후 전기전도도를 조사한 결과 성장 중 기전력이 증가하면 다이아몬드 결정내에 원자상 수소의 혼입이 증가되어 높은 전기전도도를 나타낸다. 고진공소둔에 의해 탈가스를 하면 원자상 수소가 제거되어 전기전도도를 감소시킬 수 있다. 그러므로 다이아몬드 박막을 유전체 박막에 응용하기 위해서는 진공 탈가스가 필요하다. MS 및 MIS구조 다이아몬드 다이오드를 제조하여 정류특성을 평가한 결과 저농도 MS구조는 극히 낮은 정류특성을 나타내며 고농도는 Ohmic 거동을 하였다. MIS구조에서는 저농도 및 고농도 모두 우수한 정류특성을 나타냈다. 그러므로 다이아몬드 박막으로 MIS구조에 의한 다이오드를 제조하므로써 고속, 고출력 전자소자 및, 고온, 고방사, 원자로, 우주 등 열악한 환경하에서 사용될 수 있는 전자소자의 가능성이 높다고 사료된다. Four kinds of diamomd thin film of same thickness were grown as the potential between substrates and filament increases. The electrical conductivity increase as the potential increases due to the increment of atomic hydrogen content in the films. But it is possible to decrease the electrical conduction for using it to dielectric film by degassing of atomic hydrogens in high vacuum. The MS and MIS diamond semiconductor diodes were made with Schottky and Ohmic contacts in order to evaluate the rectifing characteristics. High and low doped MS diodes showed Ohmic behavior and low rectification respectively. But both high and low doped MIS diodes showed the excellent rectifing behaviors. Therefore, it is possible to obtain the MIS diode having excellent rectifing behavior using diamond thin film usable under high temperature, high radition, nuclear reactor, bad enviromental condition and etc.