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- 저자 : 박길한 (검색결과 9 건)
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박길만(朴吉万) 길림성민족사무위원회 2017 중국조선어문 Vol.209 No.-
어휘의미의 다의성의 형성과정에 대하여 여러면에서 살펴보는것은 어휘의미의 면모를 바로 인식하기 위한 하나의 조건인데 본 론문에서는 어휘의미의 다의성의 형성에 대하여 직관성이 어느 정도 보장되는 의미성분분석의 방법과 단어결합의 방법에 기초하여 분석서술하였다.
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박길한 ( Gilhan Park ),김희동 ( Heedong Kim ),윤세린 ( Serin Yoon ),이재환 ( Jaehwan Lee ),정소연 ( Soyeon Jeong ) 한국정보처리학회 2021 한국정보처리학회 학술대회논문집 Vol.28 No.2
급격한 차량 수요의 증가로 인한 주차공간의 부족으로 인력기반 주차관리의 한계점을 이용한 여러 위법 행위가 발생함에 따라 관리자의 정기적인 순찰 및 관리의 필요성이 증가하고 있다. 기존 인력기반 주차관리 시스템은 관리자에게 전적으로 의존하고 있어 관리의 정확도 및 효율성이 비교적 낮다. 본 논문에서는 엣지 컴퓨팅 기반의 클라우드 주차관리 시스템을 제안하며, 이는 효율적인 주차관리를 통한 시간과 노동력 절감에 기여한다. 본 시스템이 제공하는 주요 기능은 다음과 같다. 1) 주차구역 및 주차 차량 정보를 분석하여 입·출차를 관리하고 관리자에게 실시간 주차 현황 정보를 제공한다. 2) 추출된 차량 정보를 바탕으로 부정주차 여부를 감지하여 지정주차 구역 관리를 자동화한다. 3) 관리자에게 시간대별 주차구역 점유율 정보를 제공하여 거주자의 가용 주차공간을 확보한다. 4) 거주자의 선호 주차구역 및 시간대를 파악하여 거주자의 주차 편의성을 제공한다. 위 기능을 통해 기존 주차관리의 비효율성을 개선하고자 한다.
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除草劑(Lasso, Machete, Simazine, Lorox)가 大豆 草長에 미치는 影響
朴宗明,박길해 圓光大學校 園藝學硏究會 1971 園藝學會誌 Vol.- No.4
Lasso는 大豆에 처리함에 있어서 1cm 복토 8일후 10a당 성분량으로 100g을 점토, 砂土, 壤土에 사용하면 大豆에 장해 없이 잡초를 방제할 수 있고 이 농도의 범위를 넘어 사용하더라도 안심할 수 있다. (범위 농도, 100g/10a-300g/10a) (성분량) Machete는 Sasso와 같은 방법으로 살포하더라도 大豆의 생육에 지장 없이 제초 효과를 얻을 수 있으나 100g/10a(성분량)를 넘으면 草長이 낮아져 생육에 억제를 당한다.
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박순발,최경환,박길만 충남대학교 백제연구소 2007 百濟硏究 Vol.46 No.-
It is clear that Heukseok-dong mountain fortress is a stone-built fortress wall of sabi Baekje. But the another hand, we need to be concern about the hilly spot presumed to be an another small earthen wall in the mountain forteess. It could be an evidence of alteration of plane form after construction or a time lag of occupation. we can conjecture strategic significance of Heukseok-dong mountain fortress because The road From Daejeon to Yeonsan and Buyeo is in the range that Heukseok-dong mountain fortress can observe and control. moreover the scale of structure is never small. Heukseok-dong fort in the summit of the ridge that is lower then Heukseok-dong mountain fortress was detected by us for the first time. It is important as an example of complementary set between a mountain fortress and a fort. In future, investigation about a fort around a mountain fortress will be necessary to define complementary cooperation both strategic installations. Sungsang-gol tile-klin had been destroyed by construction of grave recently. but still there is some possibility of remain in the mountain slope. It is interpreted as the klin that supplied roof-tiles to Heukseok-dong mountain fortress and fort because it seems that scattered roof-tiles found around this klin and fragments of roof-tiles in both military facilities had been made and used in the same period. therefore some disposal plan for prevention of additional damages and elementary archaeological survey are needed urgently. 黑石洞 山城은 현재까지 지표 수습된 유물로 보아 백제 사비기의 테뫼식 석축산성임이 분명하다. 하지만 성 내부에 토축 성벽으로 추정되는 지형이 포함되어 있어 축조 이후의 평면형의 변화나 점용시점의 차이 등에 대한 관심도 요구된다. 대전방면에서 연산-부여지역으로 통하는 길목을 감제범위에 두고 있어 백제 당시의 전략적 전술적 비중을 짐작할 수 있거니와 성의 규모 역시 작지 않은 규모이다.흑석동 산성 아래의 능선 정상부에 위치한 黑石洞 堡壘는 이번 조사를 통해 처음으로 확인된 것인데, 산성과 보루의 배치가 상호보완의 세트를 이루는 예로서 중요하다. 금후 산성 주변의 보루유적에 대한 관심을 촉구하는 자료라 판단된다.승상골 瓦窯址는 최근 분묘 조성으로 인해 많은 부분이 훼손되었으나 아직 산사면의 일부에는 유구가 잔존할 가능성이 있다. 이 기와 가마터는 흑석동 산성 및 보루에서 수습된 와편과 시기적으로 같아 이들 유적 소용 기와를 소성한 가마터로 추정된다. 와요지의 훼손이 더 이상 진행되지 않도록 하는 조치와 함께 기초적인 고고학조사가 시급히 요구된다.
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R-plane 사파이어 기판위의 GaN/InGaN 이종접합구조의 HVPE 성장
전헌수,황선령,김경화,장근숙,이충현,양민,안형수,김석환,장성환,이수민,박길한,Jeon, H.S.,Hwang, S.L.,Kim, K.H.,Jang, K.S.,Lee, C.H.,Yang, M.,Ahn, H.S.,Kim, S.W.,Jang, S.H.,Lee, S.M.,Park, G.H.,Koike, M. 한국결정성장학회 2007 한국결정성장학회지 Vol.17 No.1
R-plane 사파이어 위에 a-plane GaN층이 성장된 기판에 혼합소스 HVPE(mixed-source hydride vapor phase epitaxy) 방법으로 GaN/InGaN의 이종접합구조(heterostructure)를 구현하였다. GaN/InGaN 이종접합구조는 GaN, InGaN, Mg-doped GaN 층으로 구성되어 있다. 각 층의 성장온도는 GaN층은 $820^{\circ}C$, InGaN 층은 $850^{\circ}C$, Mg-doped GaN 층은 $1050^{\circ}C$에서 성장하였다. 이때의 $NH_3$와 HCl 가스의 유량은 각각 500 sccm, 10 sccm 이었다. SAG-GaN/InGaN 이종접합구조의 상온 EL (electroluminescence) 특성은 중심파장은 462 nm, 반치폭(FWHM : full width at half maximum) 은 0.67eV 이었다. 이 결과로부터 r-plane 사파이어 기판위에 multi-sliding boat system의 혼합소스 HVPE 방법으로 이종접합구조의 성장이 가능함을 확인하였다. The a-plane GaN layer on r-plane $Al_2O_3$ substrate is grown by mixed-source hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The GaN/InGaN heterostructure is performed by selective area growth (SAG) method. The heterostructure consists of a flown over mixed-sourec are used as gallium (or indium) and nitrogen sources. The gas flow rates of HCl and $NH_3$ are maintained at 10 sccm and 500 sccm, respectively. The temperatures of GaN source zone is $650^{\circ}C$. In case of InGaN, the temperature of source zone is $900^{\circ}C$. The grown temperatures of GaN and InGaN layer are $820^{\circ}C\;and\;850^{\circ}C$, respectively. The EL (electroluminescence) peak of GaN/InGaN heterostructure is at nearly 460 nm and the FWHM (full width at half maximum) is 0.67 eV. These results are demonstrated that the heterostructure of III-nitrides on r-plane sapphire can be successfully grown by mixed-source HVPE with multi-sliding boat system.
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HVPE 후막 a-plane GaN 결정의 성장과 특성
이충현,황선령,김경화,장근숙,전헌수,안형수,양민,배종성,김석환,장성환,이수민,박길한,Lee, C.H.,Hwang, S.L.,Kim, K.H.,Jang, K.S.,Jeon, H.S.,Ahn, H.S.,Yang, M.,Bae, J.S.,Kim, S.W.,Jang, S.H.,Lee, S.M.,Park, G.H.,Koike, M. 한국결정성장학회 2007 한국결정성장학회지 Vol.17 No.1
본 연구에서는 HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 방법으로 r-plane 사파이어 기판 위에 무극성의 (11-20) a-plane GaN을 성장하여 구조적인 특성을 관찰하였다. HVPE 방법으로 저온($500/550/600/660^{\circ}C$)에서 성장한 AIN 버퍼층이 고온의 a-GaN에 미치는 영향을 확인하였다. 또한, AIN 버퍼층과의 비교를 위하여 저온에서 성장한 GaN 버퍼층과 InGaN 버퍼층 같은 다양한 버퍼층을 이용하여 a-plane GaN의 성장도 실시하였다. 고온에서 성장된 a-GaN의 구조적 형상은 저온버퍼층의 성장 조건에 크게 영향을 받음을 알 수 있었다. $GaCl_3$ 전 처리를 실시하고 $820^{\circ}C$에서 성장한 경우에 가장 평탄한 표면을 가지는 a-GaN을 얻을 수 있었다. The structural and morphological properties of planar, nonpolar (11-20) a-plane GaN layers grown by hydride vapor phase epitaxy on (1-102) r-plan sapphire substrates are characterized. We report on the effect of low temperature ($500/550/600/660^{\circ}C$) AIN buffer layers on the structural properties of HVPE grown a-GaN kayers. and for the comparison, low temperature GaN and InGaN buffer layers are also tried for the growth of a-plane GaN layers. The structural geometry of a-GaN layers is severely affected on the growth condition of low temperature buffer layers. The most planar a-GaN could be obtained with $GaCl_3$ pretreatment at the growth temperature of $820^{\circ}C$.
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