대면적 기판의 투명 전극용 SnO₂ 박막 증착을 위한 APCVD 공정

김병국,김현수,김형준,박준우,김윤석,박승호,Kim, Byung-Kuk,Kim, Hyunsoo,Kim, Hyoung June,Park, Joonwoo,Kim, Yoonsuk,Park, Seungho 대한기계학회 2013 대한기계학회 논문집. Transactions of the KSME. C, 산업기술과 혁신 Vol.1 No.1

$SnO_2$ (tin oxide) 박막은 물리적, 전기적 성질이 우수하여 첨단산업의 다양한 분야에서 널리 응용/개발되고 있다. 이의 응용대상은 다양한 센서, 윈드쉴드(windshield) 윈도우의 히팅 요소, 태양전지, flat panel diplay에서의 투명전극을 들 수 있다. 본 연구에서는 대면적 기판에 대한 APCVD 공정개발을 위하여 실험용 2세대 크기의 유리기판에 $SnO_2$ 박막증착 실험을 수행하였다. 증착 온도가 증가함에 따라 증착 두께가 두꺼워지고 이에 따라 면저항은 감소, 투과도는 감소, 연무도 (haze)는 증가함을 확인하였다. 증착을 위한 전구체인 $SnCl_4$의 유량이 증가함에 따라 증착 두께 역시 증가하고 이에 따라 면저항은 감소한다. 그러나 투과도와 연무도는 $SnCl_4$ 유량의 영향을 거의 받지 않는다는 것을 확인하였다. Tin oxide thin-films have been widely applied in various fields of high-technology industries due to their excellent physical and electric properties. Those applications are found in various sensors, heating elements of windshield windows, solar cells, flat panel displays as tranparent electrodes. In this study, we conducted an experiment for the deposition of $SnO_2$ on glass of 2nd Gen. size for the effective development of large-scale backplanes. As deposition temperatures or flow rates of the $SnCl_4$ as a precursor changed, the thickness of tin oxide thin-films, their sheet resistances, transmittances, and hazes varied considerably.

Bi-2212산화물 고온초전도체의 결정학적 위치에 의존하는 $^{16}\textrm{O}^{18}\textrm{O}$ 교환반응

김병국,Kim, Byeong-Guk 한국재료학회 1997 한국재료학회지 Vol.7 No.2

$Bi_{2}Sr_{2}Ca_{0.8}Y_{0.2}Cu_{2}^{16}O_{8+\delta}$의 $^{16}O$이 $^{18}O$으로 치환되는 $^{16}O-^{18}O$ 교환반응의 결정학적 위치 의존성에 대하여 고찰하였다. $Bi_{2}Sr_{2}Ca_{0.8}Y_{0.2}Cu_{2}^{16}O_{8+\delta}$의 라만스펙트럼 측정결과 297, 464, $623cm^{-1}$에서 라만밴드가 관찰되었으며 이들은 모두 시료중의 $^{16}O$이 $^{18}O$으로 치환됨에 따라 저파수측으로 이동하였다. 이러한 동위체 치환에 따른 저파수측으로의 이동속도는 297, $464cm^{-1}$ 라만밴드의 경우 거의 같았지만 $623cm^{-1}$ 라만밴드의 경우 두 라만밴드보다 현저히 늦었다. 이는 $^{16}O-^{18}O$ 교환반응이 산소의 결정학적 위치에 의존한다는 사실을 시사한다. 이로부터 정방정계를 가정하고 623, 464, $297cm^{-1}$ 라만밴드를 각각 $O_{pl}(A_{g}),\;O_{ap}O_{Bi}$의 모드로 귀속하였다. The crystallographic site dependent substitution of $^{18}O$ for $^{16}O$ in $Bi_{2}Sr_{2}Ca_{0.8}Y_{0.2}Cu_{2}^{16}O_{8+\delta}$ has heen investigated. In the Kaman spectra of $Bi_{2}Sr_{2}Ca_{0.8}Y_{0.2}Cu_{2}^{16}O_{8+\delta}$ three prominent Raman bands are observed at 297. 464, and $623cm^{-1}$. As the $^{16}O$ arc replaced hy $^{18}O$, all the three bands shift to lower wavewnumbers. The rate of this isotopic shift is similar for the hands at 397 and $464cm^{-1}$. whereas it is quite slower for the hand at $623cm^{-1}$ '['his implys that the $^{16}O-^{18}O$ exchange reaction is crystallographic sites dependent. .Assuming a tetragonal symmetry, we assign the bands at 623. 464, and $297cm^{-1}$ to the vibrations of $O_{pl}(A_{g}),\;O_{ap}\;and\;O_{Bi}$ respectively.

안정적인 UAV 운영을 위한 GCS의 통신메시지의 암호화 제안

김병국,홍성화,강지헌,Kim, Byoung-Kug,Hong, Sung-Hwa,Kang, Jiheon 한국정보통신학회 2021 한국정보통신학회논문지 Vol.25 No.10

IoT(Internet of Things) 기술은 통신, 마이크로 프로세서 그리고 임베디드 소프트웨어 기술의 발전과 융합으로 인해 탄생 되었다. 그에 따른 응용 중 하나로 UAV(Unmanned Aerial Vehicle, 무인 항공기) 시스템에도 적용되고 있다. 운용상 유인용 항공기(manned aircraft)는 지상에 있는 관제 시스템을 통해 운항의 지시를 받아, 조종사가 직접 비행 기체를 제어하는 방식으로 운영되지만, UAV는 GCS(Ground Control System, 지상 제어시스템)를 통해 직접 비행 제어를 받는다. 따라서 UAV와 GCS 간의 통신을 위한 프로토콜로 개방형인 MAVLink (Macro Air Vehicle Link)가 주로 사용이 되고 있으나, 범용이고 공개적이다 보니 일부구간에서 제삼자에 의해 쉽게 노출되어 비행체의 상태 및 기타 제어 정보 등의 정보 보안에 취약하다. 본 제안은 UAV를 안전하게 운영하기 위한 GCS 내 통신메시지의 암호화 적용 방안을 제시한다. IoT (Internet of Things) emerges from various technologies such as communications, micro processors and embedded system and so on. The IoT has also been used to UAV (Unmanned Aerial Vehicle) system. In manned aircraft, a pilot and co-pilot should control FCS (Flight Control System) with FBW(Fly By Wire) system for flight operation. In contrast, the flight operation in UAV system is remotely and fully managed by GCS (Ground Control System) almost in real time. To make it possible the communication channel should be necessary between the UAV and the GCS. There are many protocols between two systems. Amongst them, MAVLink (Macro Air Vehicle Link) protocol is representatively used due to its open architecture. MAVLink does not define any securities itself, which results in high vulnerability from external attacks. This paper proposes the method to enhance data security in GCS network by applying cryptographic methods to the MAVLink messages in order to support safe UAV operations.

A Pilot Study of Bortezomib in Korean Patients with Relapsed or Refractory Myeloma

김병국,박선양,김노경,이근욱,송은기,이재훈,윤성수,이종석,방수미,Yun Tak,Kim Jee Hyun,나임일,Shin Hyunchoon,Lee Seung Tae 대한의학회 2005 Journal of Korean medical science Vol.20 No.4

광학기구기법을 이용한 가속기 진공챔버의 변형관측

김병국,Kim, Byung Guk 대한토목학회 1992 대한토목학회논문집 Vol.12 No.3

광학기구기법을 이용하여, 포항방사광가속기(浦項放射光加速器) 본체(本體)의 일부인 진공챔버의 시제품 상하판(上下板)의 용접에 의한 변형과 초고진공(超高眞空)을 위한 Baking에 의한 변형을 관측(觀測)하였다. 이 변형의 관측(觀測)은 진공챔버 본 제품의 설계와 주변 설치물과의 간섭상태 파악 및 상대적 위치 관계를 정립하는데 기본자료를 제공함을 그 목적으로 하였다. 챔버의 변형관측(觀測)을 성공적으로 수행함으로써, 광화기구기법은 기계적(機械的) 정밀관측(觀測)의 대체안(代替案)으로서 그 효용성이 입증되었다. Deformations of a prototype vacuum chamber for the Storage Ring of the Pohang Light Source Project, due to both welding and baking, have been measured using the Optical Tooling Technique. The measurements aim for the acquisition of data for inspection of the chamber design and for the establishment of positional relationship with the components surrounding the chamber. The effectiveness of the Optical Tooling Technique, as a replacement for the conventional mechanical precision measurement, has been proved by the successful measurements of the vacuum chamber deformations.

Industrial Measuring System(IMS)과 그 소프트웨어의 구조

김병국,Kim, Byung Guk 대한토목학회 1992 대한토목학회논문집 Vol.12 No.4

데오돌라이트를 이용한 정밀측량시스템인 IMS가 개발되어 기계구조물의 정밀측량에 사용되고 있다. CMM(Coordinate Measuring Machine)과 같은 종래의 기계적 정밀측정장비에 비하여 측량대상물의 크기와 모양에 거의 제한이 없으며, 대상물이 설치되어 있는 현장에서 측량을 실시할 수 있다는 장점이 있으며, 또한 자료의 실시간 표현이 가능하여 대상물에 대한 관측과 위치수정을 동시에 수행할 수 있다는 장점도 가지고 있다. 본 논문에서는 IMS의 구성과 기능에 관한 고찰과 더불어, 새로이 개발된 소프트웨어의 수학적 모델이 제시되었는데, 그 모델은 해석사진측량에서의 광속조정법을 IMS의 특수성에 맞게 변형한 형태이다. 관측에서의 단계별 진행방법이 설명되었고, 그 배경 및 해석사진측량 기법과의 차이에 대하여 논의되었다. 데오돌라이트 외부표정요소와 대상물 공간좌표의 초기치를 더욱 근사(近似)하게 계산할 수 있는 새로운 IMS Calibration의 방법도 제시되었다. 대상물 관측전에 광속조정접을 적용하여 데오돌라이트 외부표정요소와 대상물 공간좌표의 초기치를 산출하도록 하였으며, 측량작업이 완료된 후 광속조정법을 이용하여 결과치를 재보정할 수 있게 하였다. IMS, a precision coordinate measuring system using theodolites, is being used to survey and align precision mechanical structures. Compared to conventional mechanical devices for precision measurement, such as CMM (Coordinate Measuring Machine), the target objects of IMS have little limitations in their sizes and shapes, and can be measured in place. Also since IMS displays the coordinate values in real-time, it is possible to perform measurement and alignment of the objects simultaneously. In this paper, the elements and functions of IMS are introduced and a mathematical model of the new software, which utilizes an altered version of the 'Bundle' adjustment algorithm of analytical photogrammetry for the specific use of IMS, is demonstrated. Differences of the mathematical model of IMS from that of analytical photogrammetry are discussed by following the steps of the 'Measurement' option in the 'Main Menu' of the software. A new IMS calibration method is proposed to calculate better first approximations for the 4 unknown theodolite parameters and the coordinates of target objects. The software provides the 'Bundle' procedure for the first approximations of the unknowns before the real-time measurement. It also provides an opportunity of 'bundling' to re-adjust the collected positional data at the end of the measurement.

SOD방법을 이용한 저가 EFG 리본 실리콘 태양전지의 효율 향상에 관한 연구

김병국,임종엽,저호,오병진,박재환,이진석,장보윤,안영수,임동건,Kim, Byeong-Guk,Lim, Jong-Youb,Chu, Hao,Oh, Byoung-Jin,Park, Jae-Hwan,Lee, Jin-Seok,Jang, Bo-Yun,An, Young-Soo,Lim, Dong-Gun 한국전기전자재료학회 2011 전기전자재료학회논문지 Vol.24 No.3

The high cost of crystalline silicon solar cells has been considered as one of the major obstacles to their terrestrial applications. Spin on doping (SOD) is presented as a useful process for the manufacturing of low cost solar cells. Phosphorus (P509) was used as an n-type emitters of solar cells. N-type emitters were formed on p-type EFG ribbon Si wafers by using a SOD at different spin speed (1,000~4,000 rpm), diffusion temperatures ($800^{\circ}C{\sim}950^{\circ}C$), and diffusion time (5~30 min) in $N_2+O_2$ atmosphere. With optimum condition, we were able to achieve cell efficiency of 14.1%.

저가 다결정 EFG 리본 웨이퍼의 표면 반사도 특성 최적화

김병국,이용구,저호,오병진,박재환,이진석,장보윤,안영수,임동건,Kim, Byeong-Guk,Lee, Yong-Koo,Chu, Hao,Oh, Byoung-Jin,Park, Jae-Hwan,Lee, Jin-Seok,Jang, Bo-Yun,An, Young-Soo,Lim, Dong-Gun 한국전기전자재료학회 2011 전기전자재료학회논문지 Vol.24 No.2

Ribbon silicon solar cells have been investigated because they can be produced with a lower material cost. However, it is very difficult to get good texturing with a conventional acid solution. To achieve high efficiency should be minimized for the reflectance properties. In this paper, acid vapor texturing and anti-reflection coating of $SiN_x$ was applied for EFG Ribbon Si Wafer. P-type ribbon silicon wafer had a thickness of 200 ${\mu}m$ and a resistivity of 3 $\Omega-cm$. Ribbon silicon wafers were exposed in an acid vapor. Acid vapor texturing was made by reaction between the silicon and the mixed solution of HF : $HNO_3$. After acid vapor texturing process, nanostructure of less than size of 1 ${\mu}m$ was formed and surface reflectance of 6.44% was achieved. Reflectance was decreased to 2.37% with anti-reflection coating of $SiN_x$.

어촌관광 - 바다와 마주하기

김병국,Kim, Byeong-Guk 한국어촌어항협회 2011 어항어장 Vol.96 No.-

산소플라즈마 전처리된 Polyethylene Naphthalate 기판 위에 증착된 ZnO:Ga 투명전도막의 특성

김병국,김정연,오병진,임동건,박재환,우덕현,권순용,Kim, Byeong-Guk,Kim, Jeong-Yeon,Oh, Byoung-Jin,Lim, Dong-Gun,Park, Jae-Hwan,Woo, Duck-Hyun,Kweon, Soon-Yong 한국재료학회 2010 한국재료학회지 Vol.20 No.4

Transparent conducting oxide (TCO) films are widely used for optoelectronic applications. Among TCO materials, zinc oxide (ZnO) has been studied extensively for its high optical transmission and electrical conduction. In this study, the effects of $O_2$ plasma pretreatment on the properties of Ga-doped ZnO films (GZO) on polyethylene naphthalate (PEN) substrate were studied. The $O_2$ plasma pretreatment process was used instead of conventional oxide buffer layers. The $O_2$ plasma treatment process has several merits compared with the oxide buffer layer treatment, especially on a mass production scale. In this process, an additional sputtering system for oxide composition is not needed and the plasma treatment process is easily adopted as an in-line process. GZO films were fabricated by RF magnetron sputtering process. To improve surface energy and adhesion between the PEN substrate and the GZO film, the $O_2$ plasma pre-treatment process was used prior to GZO sputtering. As the RF power and the treatment time increased, the contact angle decreased and the RMS surface roughness increased significantly. It is believed that the surface energy and adhesive force of the polymer surfaces increased with the $O_2$ plasma treatment and that the crystallinity and grain size of the GZO films increased. When the RF power was 100W and the treatment time was 120 sec in the $O_2$ plasma pretreatment process, the resistivity of the GZO films on the PEN substrate was $1.05\;{\times}\;10^{-3}{\Omega}-cm$, which is an appropriate range for most optoelectronic applications.