Igongsan reduces testosterone-induced benign prostate hyperplasia by regulating 5α-reductase in rats

강종욱,이근혁,Yunu Jung,Dong-Hyun Youn,임선아,Jinbong Park,Jae-Young Um 대한독성 유전단백체 학회 2018 Molecular & cellular toxicology Vol.14 No.2

Backgrounds: Igongsan (IGS) is a traditional Korean herbal medication composed of five different herbs; Citri Unshius Pericarpium, Poria Sclerotium, Glycyrrhizae Radix et Rhizoma, Atractylodis Rhizoma Alba, and Ginseng Radix. In this study, we evaluated the effect of IGS on benign prostatic hyperplasia (BPH), a disease resulting from a noncancerous size increase of the prostate which is common in aging men. Methods: We induced BPH by a 4-week daily injection of testosterone propionate and investigated the effects IGS on BPH. After pre-treatment, the rats were divided into four groups and treated by each drugs for 4 weeks. Histological alteration was observed by hematoxylin and eosin (H&E) staining. Type-2 5α-reductase (5AR-2), androgen receptor (AR), estrogen receptor-α (ERα) and prostate specific antigen (PSA) were confirmed by western blot analysis and immunohistochemistry staining. Results: IGS reduced the enlarged prostate and prostatic index, while the epithelium thickness and enlarged lumen area returned to their normal state in BPH-induced rats. In particular, 5AR-2, which is a major target for BPH medication, was inhibited by IGS. IGS also regulated the factors including AR and ERα to interact with 5AR-2. Consequently, PSA, a major diagnostic marker for BPH, was suppressed by IGS treatment. Conclusion: Based on our findings, this study shows that IGS can alleviate BPH by regulating 5AR, suggesting its potential as a new, effective medication for BPH treatment.

Co-doped MgGa2O4 결정 성장과 광학적 특성

강종욱,방태환 인문사회과학기술융합학회 2018 예술인문사회융합멀티미디어논문지 Vol.8 No.6

Co-doped MgGa2O4 결정은 solid-state sintering 방법으로 성장하였다. Co-doped MgGa2O4 결정을 성장하기 위해서 고순도의 MgO와 Ga2O3 분말를 사용하였으며, 불순물로 첨가한 Co는 1mol%가 되도록 하였다. 상온에서 1500℃까지 승온 영역을 갖는 고온 전기로를 이용하여 1350℃ 온도에서 Co-doped MgGa2O4 결정을 성장하였다. EDS(Energy Dispersive Spectrometer)와 XRD(X-ray diffraction) 측정을 통해서 Co-doped MgGa2O4 결정의 구조와 조성을 분석하였다. XRD 분석으로부터 성장된 Co-doped MgGa2O4 결정의 구조는 cubic 결정구조이며, 격자상수값 a = 8.289Å으로 주어졌다. 측정된 광흡수 스펙트럼의 기초흡수단으로부터 구한 Co-doped MgGa2O4 결정은 직접전이 에너지 밴드 갭의 형태를 보였다. 293K에서 측정된 직접전이형 광학적 에너지 간격 Eg = 4.703 eV로 주 어졌다. Co-doped MgGa2O4 결정의 광발광 스펙트럼은 293 K온도에서 600 ~ 800 nm 영역에서 측정하여, Co2+ 이온에 기인한 광발광 스펙트럼이 689.8 nm 영역에서 관측되었다. Co-doped MgGa2O4 crystal was grown by solid-state sintering method. Growth of the Co-doped MgGa2O4 crystalline crystal was achieved by employing high-purity MgO and Ga2O3 powders, and the Co added as impurities was 1 mol%. Co-doped MgGa2O4 crystal growth was to use a high-temperature electric furnace having a temperature rising region from room temperature to 1500 ℃, was grown at 1350 ℃. The structure and composition of Co-doped MgGa2O4 crystals were analyzed by EDS (Energy Dispersive Spectrometer) and XRD (X-ray diffraction) measurements. XRD analysis revealed that Co-doped MgGa2O4 crystal adopt a cubic structure with respective lattice constants of a = 8.289 Å. The optical absorption spectrum obtained near the fundamental absorption edge showed that this compound has a direct energy band gap. The direct optical energy gap of the Co-doped MgGa2O4 crystal was given as Eg = 4.703 eV, respectively, at 293 K. The PL(Photoluminescence) spectrum of the Co-doped MgGa2O4 crystal was measured wavelength range 600 ~ 800 nm at 293 K, and a high intensity emission peak due to the Co2+ ion.

Mechanical Alloying에 의한 Ti_xCu_90-xAl_10(x=50,60)의 비정질화 및 열적성질

강종욱,김현구,김혜숙,이상열 조선대학교 기초과학연구소 1996 自然科學硏究 Vol.19 No.1

Amorphous powders of the Ti_xCu_(90-x)Al_10(x=50,60) system were synthesized by mechanical alloying method under an argon atmosphere. The amorphization process of the Ti_xCu_(90-x)Al_10(x=50,60) powders after milling by MA were studied by XRD, SEM and DSC experiments. We found that the best milling conditions of the Ti_xCu_(90-x)Al_10(x=50,60) powders were a ball-to powder weight ratio of 15 : 1 and a revolving velocity of 250rev min^-1 in this experiment. XRD patterns of the Ti_xCu_(90-x)Al_10(x=50,60) powders obtained by MA showed broad peaks as the increasing of milling times of the powders. So we confirmed the amorphization of the powders. The position of peak intensity 2θ(max.) of amorphous powders decreased nearly linearly with the increase of titanium concentration. Average particle size of the Ti_xCu_(90-x)Al_10(x=50,60) powders were 20∼26㎛ from SEM micrograph. In the DSC experiment, crystallization temperature and peak temperature were observed to increase for the Ti_xCu_(90-x)Al_10(x=50,60) powders with increased titanium concentration. The activation energy of the Ti_50Cu_40Al_10 and Ti_60Cu_30Al_10 powders were 260.57 and 253.10KJ/mole, respectively. the crystallization fraction of the Ti_50Cu_40Al_10 and Ti_60Cu_30Al_10 powders were found to be 3.02% at 458℃ and 1.32% at 477.2℃.

SnO2 박막의 전기적 성질과 결함과의 관계

강종욱,방태환,정진 사단법인 인문사회과학기술융합학회 2017 예술인문사회융합멀티미디어논문지 Vol.7 No.8

RF 스퍼터 방법을 이용하여 산화주석 박막을 증착 하였다. 스퍼터 쳄버의 증착 온도는 300도로 고정하고 외부에서 산소를 쳄버내로 흘려주어 실리콘(100) 기판위에 산소층을 만들었다. 쳄버내 파워의 세기를 100, 150, 200W 로 변화시켜서 각각의 SnO2박막을 만들었다. 증착된 산화주석 박막의 구조를 알아보기 위하여 X-선 회절장치를 이용하여 산화주석 박막을 분석하였다. X선 회절 결과에서 SnO2박막은 공급된 파워의 세기가 증가되었을 때 박막의 주성장면인 (110)면, (211)면, (101)면등 모든 성장면의 세기가 일정한 변화를 보였다. 산화주석 박막의 표면 사진에서 공급된 파워의 세기가 증가됨에 따라 산화주석 박막의 형상은 원형 형상을 보였고, 공급된 파워 세기가 증가됨에 따라서 박막 표면의 입자 사이즈 크기도 증가되었다. 공급된 파워의 세기가 증가될 때 SnO2박막의 홀 표면 전하 밀도는 2.646×1014, 3.071×1014, 1.747×1015 cm-2 으로 증가되어서 공급된 파워의 세기가 박막내의 수송 전하 밀도에 영향을 주었다. 박막의 증착환경의 변화가 박막내의 표면 형상과 전기적 성질에 영향을 미치는 것으로 확인 되었다. SnO2 thin film was deposited using Radio Frequency sputtering method. The deposition temperature of the sputter chamber was fixed at 300 degrees, and oxygen was flowed into the chamber from the outside to form an oxygen layer on the silicon (100) substrate. In order to investigate the structure of the deposited tin oxide thin film, the SnO2 thin film was analyzed using an X-ray diffractometer. X-ray diffraction showed (110), (211) and (101) plane increased with increasing supplied power. As the power supplied was increased, the shape of the thin film showed a circular shape, and the particle size of the thin film was increased as the power intensity was increased. The hall carrier density increased to 2.646×1014, 3.071×1014, 1.747×1015 cm-2, respectively, as the intensity of supplied power was increased, so that the intensity of power supplied affected the transport charge density in the thin film. It is confirmed that the change of the deposition environment of the thin film affected the surface shape and electrical properties of the thin film.

수온과 염분 조건에 따른 동죽의 여수율과 먹이섭취

강종욱,이선식,한경남,Kang, Joung Wook,Lee, Seon Sik,Han, Kyung Nam 한국패류학회 2014 The Korean Journal of Malacology Vol.30 No.2

인공종묘로 생산된 동죽, Mactra veneriformis의 크기, 수온, 염분 변화에 대한 여수율과 먹이섭이량의 차이를 조사하였다. 수온의 경우 소형, 대형그룹의 여수율은 $5^{\circ}C$에서 최소값을 보였으며 $20^{\circ}C$에서 가장 높은 값을 보였으나, $25^{\circ}C$에서 급격한 감소 경향을 보였다. 염분에 대한 소형그룹의 여수율은 26‰에서 가장 높은 값을 보였고 8‰에서 가장 낮은 값을 보였다. 대형그룹은 32‰에서 가장 높은 값을 보였고, 8‰에서 가장 낮은 값을 보였다. 본 연구를 통해 동죽의 최적 수온, 염분 환경은 $20^{\circ}C$, 27-32‰이며, $10^{\circ}C$ 이하 또는 $25^{\circ}C$ 이상의 수온과 20‰ 이하의 저염분에서 여수율이 낮아진다는 사실을 확인할 수 있었다. Clearance rate and feeding of surf clam, Mactra veneriformis were determined for 5 different water temperature regime (5, 10, 15, 20, $25^{\circ}C$) and salinity regime (8, 14, 20, 26, 32 ‰) with small group ($86.62{\pm}7.10mm$ in shell length) and large group ($147.99{\pm}10.83mm$ in shell length). Clearance rate and feeding increased with water temperature up to $20^{\circ}C$, but rapidly decreased at $25^{\circ}C$. The minimal clearance rate and feedign was recorded at $5^{\circ}C$. surf clam showed low clearance rate and feeding at low salinity (below 20 ‰) and maximum values at high salinity (26-32 ‰).

블록형 잡음에 근거한 H.264/AVC영상의 무참조 화질 평가 방법

강종욱(Kang Jong-wook),진주경(Jin Ju-kyung),정동석(Jeong Dong-seok) 한국통신학회 2010 한국통신학회 학술대회논문집 Vol.2010 No.11

자돈에 있어 게르마늄 용질액의 급여가 성장 및 혈액학적 변화에 미치는 영향

홍종욱,권오석,민병준,조진호,진영걸,손경승,강종욱,김인호 한국국제농업개발학회 2004 韓國國際農業開發學會誌 Vol.16 No.4

HgGa₂S₄:Co²⁺ 단결정에서 Co²⁺ 이온에 의한 광흡수 특성에 관한 연구

이상열,강종욱 한국전기전자재료학회 2003 전기전자재료학회논문지 Vol.16 No.7

HgGa$_2$S$_4$: Co$^{2+}$ single crystal were grown by the chemical transport reaction(CTR) method. In the optical absorption spectrum of the HgGa$_2$S$_4$: Co$^{2+}$ single crystal measured at 298K, three groups of impurity optical absorption peaks consisting of three peaks, respectively, were observed at 673nm, 734nm, and 760nm, 1621nm, 1654nm, and 1734nm, and 2544nm, 2650nm, and 2678nm. At 10K, the three peaks(673nm, 734nm, and 760nm) of the first group were split to be twelve peaks. These impurity optical absolution peaks are assigned to be due to the electronic transitions between the split energy levels of Co$^{2+}$ sited in the S$_4$ symmetry point.

증착 조건 변화에 따른 SnO2 박막의 구조와 전기적 특성에 관한 연구

방태환,강종욱,정진 한국물리학회 2017 새물리 Vol.67 No.7

SnO$_2$박막을 RF 스퍼터를 이용하여 실리콘 기판 위에 증착 하였다. X-선 회절 분석에서는 공급된 파워 증가에 따라 산소분위기에 소결된 박막의 결정성은 증가 되었다. 전자 현미경 사진에서는 산소 분위기에서 형성된 박막의 평균 입자 사이즈 간격이 순수한 SnO$_2$ 박막의 평균 사이즈 간격보다 작았다. 홀효과 측정에서 순수한 SnO$_2$ 박막에서는 파워증가에 따라서 수송 전하 밀도는 감소하였지만 산소분위기에서 소결된 SnO$_2$ 박막에서는 파워증가에 따라서 수송 전하 밀도는 증가하였다. 수송전하밀도가 산소공공형성이나 Si기판과 박막 사이에 있는 SiO$_2$층과 상관 관계가 있음을 보였다. SnO$_2$ thin films were grown on Si substrates by using the radio-frequency magnetron sputtering method. X-ray diffraction showed that the crystallinity of of the SnO$_2$ thin films pre-annealed by exposure to oxygen increased as the power was increased. The images obtained using scanning electron microscopy indicated that the average grain size of the thin films formed in the oxygen atmosphere was smaller than that of the pure SnO$_2$ thin films. Hall measurements on the pure SnO$_2$ thin films showed that the carrier density increased as the power was increased. However, for the pre-annealed SnO$_2$ thin films, the carrier density decreased with increasing power. The carrier density of thin films can depend on whether or not they are formed in an oxygen due to the formation of oxygen vacancies or a SiO$_2$ layer between the Si substrates and the SnO$_2$ thin films.

최인접 거리 비율 정합을 이용한 영상 특징점 선택 방법

이준우,정재협,강종욱,나상일,정동석,Lee, Jun-Woo,Jeong, Jea-Hyup,Kang, Jong-Wook,Na, Sang-Il,Jeong, Dong-Seok 대한전자공학회 2012 전자공학회논문지 Vol.50 No.8

본 논문에서는 현재 진행 중인 MPEG(Motion Picture Experts Group, ISO/IEC JTC1 SC29 WG11)의 표준화 작업 중 CDVS(Compact Descriptor for Visual Search)의 CE-7(Core Experiment)인 특징점 선택에 대한 방법을 제안한다. 서술자의 경량화를 위해서는 영상으로부터 추출된 많은 수의 특징점들 중에서 영상 정합에 사용될 중요한 특징점들을 선택해야 한다. 본 논문에서는 최 인접 거리 비율 정합(Nearest Neighbor distance ratio matching) 방법에 의해 영상 정합 단계에서 사용되지 않고 버려지는 특징점들을 미리 추출 단에서 제거하는 방법 제안하였다. 제안된 방법을 통하여 적은 비트 전송률을 요하는 시스템에서 특징점의 낭비를 피할 수 있고 결과적으로 추가적인 특징점을 사용할 수 있으므로 전체적인 성능 향상을 얻을 수 있었다. 제안된 알고리즘을 통하여 Pair-wise 정합 실험에서 기존의 Test Model 대비 최고 2.3%의 성공율(True positive rate)의 향상을 보였다. In this paper, we propose a feature point selection method for MPEG CDVS CE-7 which is processing on International Standard task. Among a large number of extracted feature points, more important feature points which is used in image matching should be selected for the compactness of image descriptor. The proposed method is that remove the feature point in the extraction phase which is filtered by nearest neighbor distance ratio matching in the matching phase. We can avoid the waste of the feature point and employ additional feature points by the proposed method. The experimental results show that our proposed method can obtain true positive rate improvement about 2.3% in pair-wise matching test compared with Test Model.