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직접 광여기 Photo-CVD에 의한 이산화실리콘 박막의 증착 특성
김윤태,김치훈,정기로,강봉구,김보우,마동성,Kim, Youn-Tae,Kim, Chi-Hoon,Jung, Ki-Ro,Kang, Bong-Ku,Kim, Bo-Woo,Ma, Dong-Sung 대한전자공학회 1989 전자공학회논문지 Vol. No.
실리콘계 절연박막 형성을 위한 저온공정을 개발하기 위하여 photo-CVD장치를 제작하여 $SiO_2$ 박막을 $50{\sim}250^{\circ}C$ 범위에서 증착시켰다. 이때 $SiH_4/N_2O$ 혼합가스는 수은증감반응법을 사용하지 않고 저압수은램프의 직접 광여기에 의해 분해시켰다. AES와 ESCA 분석결과 Si와 O의 화학량론적 구성이 거의 모든 공정조건에서 1:2로 나타났고, Si와 O원자의 결합상태가 $SiO_2$의 형태로 이루어져 있음을 보여주었다. 그리고 박막의 굴절율은 $1.39{\sim}1.44$의 범위로 나타나, 저온증착에 의해 밀도가 비교적 낮은 박막이 형성됨을 보였다. We developed a photo-CVD equipment for the deposition of silicon based insulating materials. Silicon dioxide thin films were deposited at various process conditions especially low temperature range $50-250^{\circ}C$. Low pressure mercury lamp was used in the direct excitation of $SiH_4/N_2O$ mixture gas without mercury sensitization. AES and ESCA analysis showed that oxygen to silicon atomic ratio and binding state of Si-O bond was nearly 2.0 and $SiO_2$ type, respectively. The refractive indices were measured to be 1.39-1.44, indicating that films were in relatively low density.
이수헌 ( Lee Swoo-heon ),김보우 ( Kim Bo-woo ) 한국구조물진단유지관리공학회 2017 한국구조물진단유지관리공학회 학술발표대회 논문집 Vol.21 No.2
Externally post-tensioning steel rods led to a 25~66% increase of load-carrying shear capacity in damaged reinforced concrete beams when compared to a control beam. And the shear strength of a beam with two deviators was larger than that of a beam with one deviator. That shows how important a deviator location is for strengthening effect.
김윤태,박성호,배남진,김보우,마동성,Kim, Youn-Tae,Park, Sung-Ho,Bae, Nam-Jin,Kim, Bo-Woo,Ma, Dong-Sung 대한전자공학회 1988 전자공학회논문지 Vol. No.
독립적인 nitridation step이 포함된 급속 열처리 공정을 이용하여 125-180A 두께의 이중 절연박막을 단결정 실리콘 상에 형성하였다. HCl 가스의 첨가량과 공정시간의 변화에 따른 박막 특성의 변화를 고찰하였고, 이에 따른 박막의 전기적 특성을 관찰하였다. HCl 가스의 첨가에 의해 초기의 산화막 두께의 성장은 현저하게 나타났으나, nitridation 후의 박막두께의 변화는 10A 이하로 매우 저조하였다. 이중 절연박막의 항복전압은 HCl 가스의 첨가량에 비례하여 점차 증가하였고, 절연강도는 furnace나 독립적인 nitridation step이 포함되지 않은 급속 열처리 공정으로 형성한 같은 두께의 박막에 비해 높은 것으로 분석되었다. The dual dielectric films have been grown on single-crystalline silicon substrates with the thickness ranging from 125A to 180A at various gas and temperature conditions by using rapid thermal process that included independent nitridation step. The film characteristics and their dependence on the contents of the hydrochloric gas and the processing time have been studied. By the addition of the hydrochloric gas, the initial oxide thickness was significantly changed, but after sequential nitridation processes the thickness of the films was nevertheless a little bit varied within 10A. All the samples of the dual dielectric films show the increased breakdown voltages in proportion to the additive contents of the hydrochloric gas and also show the higher breakdown strengths than the thermal oxide and nitrided oxide films grown by the conventional furnance process or the rapid thermal nitridation process that was composed of the dependent nitridation cycles.
Etch Rate Dependence of Differently Doped Poly-Si Films on the Plasma Parameters
박성호,김윤태,김진섭,김보우,마동성,Park, Sung-Ho,Kim, Youn-Tae,Kim, Jin-Sup,Kim, Bo-Woo,Ma, Dong-Sung 대한전자공학회 1988 전자공학회논문지 Vol. No.
플리즈마 변수로서 가스조성과 압력 및 RF 전력이 인 및 붕소가 각각 다른 양으로 주입된 다결정 실리콘의 식각율 변화에 미치는 영향을 고찰하였다. $POCl_3$에 의해 인이 주입된 경우, 염소조성보다 불소조성이 많은 영역, 즉 $Cl_2$와 $SF_4$의 비가 17대 33일 때, 가장 큰 비등방성과 가장 작은 선폭손실을 달성하였다. 플라즈마 조건에 관계없이 주입된 불순물 농도의 증가에 다라, 인이 주입된 경우는 식각율이 증가하였고, 붕소가 주입된 경우는 식각율이 반대로 감소하였다. 또한, 급속 열처리에 의한 활성화 시간의 함수로서 인이 주입된 다결정실리콘의 식각율변화를 측정한 결과, 도우핑 농도뿐 아니라 활성화된 운반자, 즉 전자의 농도가 그 식각율 증가에 중요한 역할을 한다는 것을 확인하였다. The dependence of the etch rates of differently doped poly-Si films on the gas composition, the chamber pressure and the RF power was investigated in detail. The highest anisotropy and the lowest CD loss were achieved at the $SF_6$-rich compositions, i.e., $Cl_2:SF_6$=17:33 (SCCM), in the $POCl_3$-doped poly-Si. The etch rates increased for n-type dopant (phosphorus), while decreased for p-type (boron) with increasing the doping levels irrespective of plasma parameters. And from the results of the activation of doped poly-Si films the active carrier concentrations as well as the doping concentrations were found to be responsible for the increase of the etch rate of the phosphorus-doped poly-Si.
SONOS 구조의 EAROM Cell제조 및 그 전기적 특성에 관한 연구
정곤,정호선,강진영,김보우,Jong, Gon,Chung, Ho-Sun,Kang, Jin-Young,Kim, Bo-Woo 대한전자공학회 1985 전자공학회지 Vol.22 No.6
An electrically alterable read only memory with polysilicon gate is experimently realized employing a SONOS structure. The SONOS memory cells are proposed to achieve lower programming voltage with thin nitride (70A, 170$\AA$) layer. Its programming voltage is 10V (Tnit=70$\AA$), 22V(Tnit=170$\AA$). And the SONOS cell is able to, erasc biasing negative gate pulse, then its voltage is about -24V for nitride thickness of 170$\AA$.