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양성자 빔을 이용한 식물자원의 항산화 활성에 관한 연구(I)
문병식,손귀엽,최진국,서동원,이갑득,Moon, Byung-Sik,Son, Gui-Youp,Choi, Jin-Kuk,Seo, Dong-Won,Lee, Kap-Duk 한국생명과학회 2007 생명과학회지 Vol.17 No.8
합성항산화제 3종과 17종의 식물 추출물을 이용하여 양성자 빔을 1,000, 5,000, 10,000 Gray 수준으로 처리하여 에너지양에 따른 항산화 활성에 미치는 영향을 탐색 하고자 DPPH radical 소거능 과 ABTS cation radical 소거능의 활성에 대하여 조사하였다. 이중 6종류의 시료는 양성자 빔을 조사한 결과 활성이 감소하였으며, 2종류의 시료는 활성변화가 없었으며, 12종류의 시료는 활성이 증가하였다. DPPH radical 소거 효과는 1,000 Gray 에서 마황은 60%, 괄루인은 5,000 Gray 에서 77.8%로 활성이 증가하는 경향을 나타내었다. ABTS cation radical 소거효과에서 토천궁은 1,000 Gray의 양성자 빔을 조사한 결과 38.5% 활성이 감소하였으며, 합성 항산화제는 활성변화가 거의 없으나, 뼝쑥 추출물은 5,000 Gray에서 $IC_{50}$값이 2.4 ${\mu}g/ml$로 BHT의 $IC_{50}$값 2.3 ${\mu}g/ml$과 유사하였다. In proton therapy, the Bragg peak is spread out by modulating or degrading the energy of the particles to cover a well-defined target volume at a given depth. Proton transfer plays a key role in a variety of biological, the origin of the elements, tests of the standard model along with applications in medicine, industry and chemical phenomena such as water autoionization, fast proton diffusion, acid-base neutralization. We have studied the radiolysis of various natural resources and have evaluated the antioxidant activity of radiolysis products by proton beam. The most of antioxidant activities of natural resources were decreased with increasing proton fluence. Proton beam induced antioxidant activities both in 1,1-diphenyl-2-picrylhydrazyl radical (DPPH) assay and 2,2'-azinobis(3-ethylbenzot hialozinesulfonic acid) cation radical $(ABTS^{.+})$ assay by a dose dependent fashion.
식물자원의 양성자 빔 조사에 대한 라디칼 소거능활성의 민감도
문병식 ( Byung Sik Moon ),이갑득 ( Kap Duk Lee ) 대한화장품학회 2009 대한화장품학회지 Vol.35 No.3
식물 20종을 메탄올로 추출하여 양성자 빔 조사 에너지양(1, 5, 10 KGray)에 따른 항산화 활성 능을 탐색 하고자 DPPH 라디칼 소거활성과 ABTS free 라디칼 소거 활성에 대하여 조사하였다. 양성자 빔 조사 시 15종류는 활성이 증가하였으나 10 KGray에서 흑축(Pharbitis nil Choisy)은 활성이 감소하였으며, 4종류는 활성변화가 없었다. DPPH 라디칼 소거활성은 1 및 5 KGray에서 유근피(Ulmus macrocarpa) (84 %), 10 KGray (85 %)로 가장 높았으나 10 KGray에서 흑축(Pharbitis nil Choisy)은 6 % 감소하였다. IC50값을 무처리구와 빔 조사량에 대한 활성을 비교하면 1 KGray 에서 산약(Dioscorea batatas Decne.) 6.3배, 5 KGray에서 천화분(Trichosanthes kirilowii Max.) 2.1배, 산약(Dioscorea batatas Decne.) 2.8배 증가하였다. ABTS free 라디칼 소거활성에서 1 KGray의 양성자 빔 에너지를 조사 했을 경우, 가자 (Terminalia chebula Retzius)는 60 % 증가하였다. IC50값은 1 KGray 빔 조사 시 0 KGray보다 마황근(Ephedra sinica Stapf) 2.0배, 가자(Terminalia chebula Retz.) 2.5배, 우방자(Arctium lappa Linne) 2.4배 증가하였다. 20 species of plants were extracted with Methanol and were investigated for DPPH radical scavenging activity and ABTs free radical scavenging activity to quest anti-oxidation ability depending on the proton beam irra-diation quantity. In the proton beam irradiation, 15 species's activities increased but among them, Pharbities nil Choisy decreased at 10 KGray and 4 species' activity didn't change at all. In hydrogen ion radical elimination activity, Ulmus macrocarpa (84 %) showed the highest and Pharbitis nil Choisy showed 6 % decreasing at more than 1 KGray. By comparison with untreated IC50 value, the beam-treated IC50 value increased 6.3 times for Dioscorea bata-tas Decne. at 1 KGray, 2.1 times for Trichosanthes kirilowii Max., and 2.8 times for Dioscorea batatas Decne. at 5 KGray. In ABTs free radical elimination activity, the activity increased 60 % for Terminalia chebula Retzius com-pared with untreated one. Besides, the beam-treated IC50 value increased 2 times for Gray Ephedra sinica Stapf, 2.5 times for Terminalia chebula Retz. and 2.4 times for Arctium lappa Linne at 1 KGray.
능이버섯(Sarcodon aspratus)으로부터 분리한 diketopiperazine계 화합물의 화학구조 및 항산화활성
김진우 ( Jin Woo Kim ),문병식 ( Byung Sik Moon ),박영민 ( Young Min Park ),유남희 ( Nam Hee Yoo ),유인자 ( In Ja Ryoo ),유익동 ( Ick Dong Yoo ),김종평 ( Jong Pyung Kim ),( Nguyen Thi Chinh ) 한국응용생명화학회 2005 Applied Biological Chemistry (Appl Biol Chem) Vol.48 No.1
절연체(CeO₂ / Si)위에 성장된 실리콘 박막의 특성 연구
양지훈(Ji Hoon Yang),문병식(Byung-Sik Moon),김관표(Kwan Pyo Kim),김종걸(Chong Geol Kim),정동근(Donggeun Jung),노용한(Yonghan Roh),박종윤(Chong-Yun Park) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.3(2)
CeO₂/Si 표면에 실리콘의 성장 과정을 연구했다. 실리콘 박막은 전자빔 증착 방법을 사용해 증착되었다. CeO₂ (111) 박막은 700℃의 증착 온도, 5×10^(-5) Torr의 산소 부분압에서 (111)방향의 실리콘웨이퍼 위에 적층 성장하였다. CeO₂/Si위의 실리콘 박막의 적층 성장 조건을 조사하기 위해 여러 온도에서 실리콘을 증착했다. 상부 실리콘은 x-ray diffraction(XRD), double crystal x-ray diffraction(DCXRD), 그리고 transmission electron microscopy(TEM)으로 분석하였다. 690℃보다 높은 증착 온도에서는 CeO₂에서 해리된 산소와 실리콘이 화학적 반응을 일으켜 Si/CeO₂의 계면에서 SiO₂층이 성장하는 것을 관찰했다. 620℃에서 CeO₂/Si 표면에 실리콘을 증착 했을 때 실리콘 박막이 (111)방향을 따라 적층 성장하였다. We have investigated the growing process of a silicon film on the CeO₂/Si surface. The silicon was deposited by using electron beam deposition method. The CeO₂ (111) film was grown on a (111)-oriented silicon substrate at 700℃ at oxygen partial pressure of 5×10^(-5) Torr. To investigate the condition of epitaxial growth of Si films on the CeO₂/Si substrate, we deposited Si at various temperatures. The overlayer silicon was characterized by using x-ray diffraction (XRD), double crystal x-ray diffraction (DCXRD), and transmission electron microscopy (TEM). At temperature higher than 690℃, SiO₂ layer was observed at the Si/CeO₂ interface, which was formed by chemical reaction with silicon and oxygen dissociated from CeO₂. When silicon was deposited on the CeO₂/Si at 620℃, silicon grew epitaxially along the (111)-direction.
시험연소결과에 근거한 플라즈바 아크방식 유리화 시험 설비의 제염성능 평가(I) - 배기가스중의 유해중금속, 방사성핵종 모의물질 및 방사성핵종 제염특성 -
채경선,박윤환,민병연,장재옥,박준용,정원익,문병식,Chae, Gyung-Sun,Park, Youn-Hwan,Min, Byong-Yun,Chang, Jae-Ock,Park, Jun-Yong,Jeong, Weon-Ik,Moon, Byung-Sik 대한방사선방어학회 2000 방사선방어학회지 Vol.25 No.2
Through the results of off-gas analysis at 3 sampling points in Plasma Arc Melting vitrification pilot plant, it was evaluated the partitioning of spiked materials in off-gas and the decontamination characteristic of off-gas treatment system. Spiked materials are hazard_us heavy metals(Pb, Cd, Hg), radioactive surrogate(Co, Cs) and radioactive materials($^{60}Co,\;^{137}Cs$). Through the Trial burn tests, Decontamination factor of spiked materials in off-gas treatment system is calculated. 플라즈마 아크 용융방식 유리화 시험설비의 계통내 기체 및 최종배출구 전단의 배기체를 분석함으로써 배기체중에 포함된 분석용 첨가물의 거동 및 배기가스 처리장치의 제염성능을 평가하였다. 중금속 물질(Pb, Cd, Hg), 방사성 모의물질(Co, Cs) 그리고 방사성핵종($^{60}Co,\;^{137}Cs$)을 분석용 첨가물로 사용한 실험결과로부터 첨가물질의 거동에 따른 유리화 설비 배기체처리시스템의 제염특성 및 제염제수를 구하였다.
Indium이 도핑된 Si/CeO_2/Si 박막의 발광 현상
문병식,김종걸,양지훈,박종윤 성균관대학교 기초과학연구소 1998 論文集 Vol.49 No.-
Visible light with about 500 nm was observed from the indium doped Si/CeO_2/Si thin films at room temperature. CeO₂, indium, and silicon were in sequence deposited on the Si(111) substrate using electron beam evaporation. As the indium was increased the peak intensity of 500 nm was increased. After furnace annealing in nitrogen at 1100℃ the peak was observed at 400 nm. Secondary ion mass spectrometry(SIMS) showed the mixed layer of CeO₂, indium, and silicon. It seems that the peak around 500 nm would come from the mixed layer.