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- 저자 : 정동근(Donggeun Jung) (검색결과 6 건)
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Pulsed laser depostion (PLD)법으로 증착된 BaTiO₃ / SrTiO₃ 산화물 초격자의 성장 및 유전특성
김주호(Juho Kim),김이준(Leejun Kim),정동근(Donggeun Jung),김용성(Young Sung Kim),이재찬(Jaichan Lee) 한국진공학회(ASCT) 2002 Applied Science and Convergence Technology Vol.11 No.3
BaTiO₃(BTO)/SrTiO₃(STO) 산화물 인공 초격자가 MgO (100) 단결정 기판위에 Pulsed laser deposition(PLD)법으로 증착되었다. 다층구조에서 BTO/STO 층의 적층 주기는 BTO_(1 unit cell)/STO_(1 unit cell)에서 BTO_(125 unit cell)/STO_(125 unit cell) 두께로 변화시켰고 초격자 전체 두께는 100 ㎚으로 고정시켰다. X-ray 회절 결과는 다양한 주기의 BTO/STO 산화물 박막에서 초격자의 특성을 보였고 투과형 전자 현미경을 통해서 BTO와 STO의 두 층간의 계면에서 상호확산이 일어나지 않고 초격자가 잘 성장된 것을 확인하였다. 초격자의 유전율은 임계 두께 내에서 적층주기가 감소함에 따라 증가하였다. 이러한 초격자의 유전율은 낮은 주기 즉 BTO_(2 unit cell)/STO_(2 unit cell)주기에서 1230으로 높게 나왔으며 이러한 원인은 격자 변형(c/a ratio)에 기여된 것으로 분석되었다. Artificial BaTiO₃(BTO)/SrTiO₃(STO) oxide superlattice have been deposited on MgO (100) single crystal substrate by pulsed laser deposition(PLD) method. The stacking periodicity of BTO/STO superlattice structure was varied from BTO_(1 unit cell)/STO_(1 unit cell) to BTO_(125 unit cell)/STO_(125 unit cell) thickness with the total thickness of 100 ㎚. The result of X-ray diffraction showed the characteristics of superlattice in the BTO/STO multilayer structure. we have also confirmed that there was no interdiffusion at the interface between BTO and STO layers by high resolution transmission electron microscopy(HRTEM). The dielectric constant of superlattice increased with decreasing stacking periodicity of the BTO/STO superlattice within the critical thickness. The dielectric constant of the BTO/STO superlattice reached a maximum i.e., 1230 at a stacking perioicity of BTO_(2 unit cell)/STO_(2 unit cell).
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Al / TiO₂ - SiO₂ / Mo 구조를 가진 Antifuse의 전기적 특성 분석
홍성훈(Sunghun Hong),노용한(Yonghan Roh),배근학(Geunhag Bae),정동근(Donggeun Jung) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.3
본 논문에서는 낮은 구동 전압에서 동작하고 안정된 on/off 상태를 갖는 Al/TiO₂-SiO₂/Mo 형태의 안티퓨즈를 제작하였다. 하부전극으로 사용된 Mo 금속은 표면상태가 부드럽고 녹는점이 높은 매우 안정된 금속으로, 표면 위에 제조된 SiO₂의 특성을 매우 안정되게 유지시켰다 또한 TiO₂ 절연막을 SiO₂ 절연막 위에 복층 구조로 증착하여, Ti 금속의 침투로 인한 SiO₂ 절연막의 약화로 동일 두께(100 Å)의 SiO₂ 단일막에 비하여 향상된 절연파괴 전압을 얻을 수 있었다. TiO₂-SiO₂ 이중 절연막을 사용하여 적정 철연파괴전압 및 ON-저항을 구현하였으며, 두께가 두꺼워짐으로 인해 바닥금속의 거칠기의 영향을 최소화시킬 수 있었다. 이중 절연막의 두께는 250 Å이고 프로그래밍 전압은 9.0V이고 약 65Ω의 on 저항을 얻을 수 있었다. This paper is focused on the fabrication of reliable Al/TiO₂-SiO₂/Mo antifuse, which could operate at low voltage along with the improvement in on/off state properties. Mo metal as the bottom electrode had smooth surface and high melting point, and was being kept as-deposited SiO₂ film stable. The breakdown voltage of TiO₂-SiO₂ stacked antifuse was better than that of same-thickness (100 Å) SiO₂ antifuse because of Ti diffusion in SiO₂. The improving breakdown-voltage and on-resistance can be obtained as well as the influence of hillock in the bottom metal is reduced by using double insulator. Low on-resistance (65 Ω) and low programming voltage (9.0V) can be obtained in these antifuses with 250 Å double insulator.
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등가 회로 모델을 이용한 다층 유기발광 소자의 특성 분석
박형준(Hyungjun Park),김현민(Hyunmin Kim),이준신(Junsin Yi),남은경(Eunkyoung Nam),정동근(Donggeun Jung) 대한전기학회 2006 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2006 No.10
The impedance spectroscopy is one of the effective ways to understand the electrical properties of organic light emitting diodes. The frequency-dependant properties of small molecule based OLEDs have been studied. The equivalent circuit of single-layer device is composed of contact resistance (R<SUB>c</SUB>), bulk resistance (R<SUB>p</SUB>) and bulk capacitance (C<SUB>p</SUB>). The equivalent circuit of double layer device is composed of two parallel circuits connected in series, each of which is a parallel resistor and a capacitor. We have fabricated a double layer device indium-tin-oxide (ITO, anode), N,NV-diphenyl-N,NV-bis(3-methylphenyl)-1,1V-diphenyl-4,4V-diamine (TPD, hole-transporting layer), tris-(8-bydroxyquinoline) aluminum (Alq3, emitting layer), and aluminum (Al, cathode) and two single layer devices (ITO/Alq3/ Al, ITO/TPD/Al).
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절연체(CeO₂ / Si)위에 성장된 실리콘 박막의 특성 연구
양지훈(Ji Hoon Yang),문병식(Byung-Sik Moon),김관표(Kwan Pyo Kim),김종걸(Chong Geol Kim),정동근(Donggeun Jung),노용한(Yonghan Roh),박종윤(Chong-Yun Park) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.3(2)
CeO₂/Si 표면에 실리콘의 성장 과정을 연구했다. 실리콘 박막은 전자빔 증착 방법을 사용해 증착되었다. CeO₂ (111) 박막은 700℃의 증착 온도, 5×10^(-5) Torr의 산소 부분압에서 (111)방향의 실리콘웨이퍼 위에 적층 성장하였다. CeO₂/Si위의 실리콘 박막의 적층 성장 조건을 조사하기 위해 여러 온도에서 실리콘을 증착했다. 상부 실리콘은 x-ray diffraction(XRD), double crystal x-ray diffraction(DCXRD), 그리고 transmission electron microscopy(TEM)으로 분석하였다. 690℃보다 높은 증착 온도에서는 CeO₂에서 해리된 산소와 실리콘이 화학적 반응을 일으켜 Si/CeO₂의 계면에서 SiO₂층이 성장하는 것을 관찰했다. 620℃에서 CeO₂/Si 표면에 실리콘을 증착 했을 때 실리콘 박막이 (111)방향을 따라 적층 성장하였다. We have investigated the growing process of a silicon film on the CeO₂/Si surface. The silicon was deposited by using electron beam deposition method. The CeO₂ (111) film was grown on a (111)-oriented silicon substrate at 700℃ at oxygen partial pressure of 5×10^(-5) Torr. To investigate the condition of epitaxial growth of Si films on the CeO₂/Si substrate, we deposited Si at various temperatures. The overlayer silicon was characterized by using x-ray diffraction (XRD), double crystal x-ray diffraction (DCXRD), and transmission electron microscopy (TEM). At temperature higher than 690℃, SiO₂ layer was observed at the Si/CeO₂ interface, which was formed by chemical reaction with silicon and oxygen dissociated from CeO₂. When silicon was deposited on the CeO₂/Si at 620℃, silicon grew epitaxially along the (111)-direction.
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Rapid Thermal Annealing에 의한 TiO_2 박막의 누설전류특성 향상
배근학,송영일,정동근,노용한 성균관대학교 기초과학연구소 1999 論文集 Vol.50 No.-
The CeO₂ intermediate layer was inserted by rf-sputter system between the TiO_2 layer and the Si substrate. TiO₂films were deposited by metal-organic chemical-vapor-deposition (MOCVD) on Si substrates. The thickness of TiO₂ was 20 nm), and that of CeO₂ was in the 3-65 nm regime. The insertion of the CeO₂ intermediate layer reduced the leakage current significantly after rapid thermal annealing (RTA) in O₂ ambient for 3 min. After HTA, the TiO₂/CeO₂/Si structure showed a significantly lower leakage current than the TiO₂/Si structure. The CeO₂ thickness of the TiO₂/CeO₂/Si structure did not affect leakage current reduction. The formation of the intermixed structure of TiO₂ and CeO₂ at the TiO₂/CeO₂ interface by RTA was thought to contribute to the reduction of the leakage current.
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유도형 플라즈마 화학적 기상 증착법으로 증착된 저유전상수 플라즈마 중합 메틸사이클로헥산 박막
조현옥,권영춘,양재영,정동근 성균관대학교 기초과학연구소 1999 論文集 Vol.50 No.-
Low-k plasma polymerized thin films were deposited by inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICPCVD) using the methyl-cyclohexane precursor. Effects of the ICP power and the substrate bias (SB) power on the properties of the deposited films were studied. As ICP power was increased from 5W to 70W at the SB power of 10W, the relative dielectric constant increased from 2.65 to 3.14. As SB power was increased from 5W to 70W at the ICP power of 10W, the relative dielectric constant increased from 2.63 to 3.47. The thermal stability of deposited thin films was remarkably improved with the increase of the SB power, but not with the increase of the ICP power.
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