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국내 공공망(Public Network)에서의 네트워크 공유 방안
안상권,박평수,박상훈 한국통신학회 2016 정보와 통신 Vol.33 No.3
통합공공용 주파수로 분배된LTE(Long Term Evolution) 718~728Mhz(상향) 및 773~783MHz(하향)에서 재난안전 통신망, 철도무선 통신망, 차세대 해상무선 통신망 등과 같은 LTE기반의 공공통신망(Public Network, 이하 공공망)이 상호공존하여 사용하는 방안에 대하여 연구하였다. 두 개 이상의 복수의 LTE 네트워크가 동일 주파수를 사용하여 서비스하는 경우 통신 커버리지가 겹치는 영역에서의 간섭은 불가피하다. 셀간 간섭에 의하여Mission Critical한 요구사항이 중요시되는 공공망에서의 품질 열화가 야기되며, 경우에 따라 심각한 상황을 초래할 수 있다. 본고에서는 국내 공공망의 현황을 살펴보고 네트워크 공유방식에 대한 기술 및 표준화 동향, 그리고 해외의 사례를 알아보았다. 국내 통합공공용 주파수에서 동일 주파수를 사용하게 될 공공망 간의 간섭을 최소화 하여 네트워크를 구축 및 연계를 위해서 개별 공공망간의 네트워크를 공유하는 방안을 고려하였다. 국내 공공망의 효율적인 네트워크 연계를 위해서는 개별 공공망의 서비스 특성과 내부 환경을 반영 할 수 있는 연계 방식이 추가적으로 필요하다.
Ni과 Pd을 이용한 비정질 실리콘의 저온 측면 결정화에 관한 연구
이병일,김광호,정원철,신진욱,안평수,주승기,Lee, Byeong-Il,Kim, Gwang-Ho,Jeong, Won-Cheol,Sin, Jin-Uk,An, Pyeong-Su,Ju, Seung-Gi 한국재료학회 1996 한국재료학회지 Vol.6 No.9
비정질 실리콘의 표면에 Ni과 Pd를 형성하여 측면으로의 결정화 속도를 향상시켰다. Ni에 의해 비정질 실리콘이 측면으로 결정화될 때 그 성장 속도는 50$0^{\circ}C$에서 3w$\mu\textrm{m}$/hour였으며 이때의 활성화 에너지는 2.87eV로 나타났다. Pd의 경우는 Pd2Si의 형성에 의해 압축 응력이 유발되어 Pdrks의 간격이 좁을수록 측면으로의 결정화 속도가 증가하였다. Ni과 Pd을 각각 다른 부분에 증착시키고 결정화시키면 Ni에 의해 측면으로 결정화되는 속도가 Ni만으로 결정화시킬 때 보다 약 2배 이상의 측면결정화 속도를 보였다.
이중 금속 측면 결정화를 이용한 40$0^{\circ}C$ 다결정 실리콘 박막 트랜지서터 제작 및 그 특성에 관한 연구
이병일,정원철,김광호,안평수,신진욱,조승기 대한전자공학회 1997 電子工學會論文誌, D Vol.d34 No.4
The crystallization temperature of an amorphous silicon (a-Si) can be lowered down to 400.deg. C by a new method : Double-metal induced lateral crystallization (DMILC). The a-Si film was laterally crystallized from Ni and Pd deposited area, and its lateral crystallization rate reaches up to 0.2.mu.m/hour at that temperature and depends on the overlap length of Ni and Pd films; the shorter the overlap length, the faster the rate. Poly-Silicon thin film transistors (poly-Si TFT's) fabricated by DMILC at 400.deg. C show a field effect mobility of 38.5cm$^{3}$/Vs, a minimum leakage current of 1pA/.mu.m, and a slope of 1.4V/dec. The overlap length does not affect the characteristics of the poly-Si TFT's, but determines the lateral crystallization rate.
Ni 에 의한 비정질 실리콘의 저온 측면 결정화 속도향상 및 그 기구에 관한 연구
김광호,이병일,주승기,정원철,안평수,신진욱 대한금속재료학회(대한금속학회) 1997 대한금속·재료학회지 Vol.35 No.2
In order to increase the growth rate of Ni Metal Induced Lateral Crystallization(MILC) of amorphous Si which shows acceptable electrical properties. Pd thin films were deposited on amorphous Si with a distance to Ni deposited area. The shorter the space between the Ni and Pd films, the faster the rate of Ni MILC, and when the space was 60 ㎛ the growth rate was 7.5 ㎛/hr. Through TEM microstructural analysis and investigation on relationships between the space and growth rate the enhanced growth rate of Ni-MILC turned out to be due to stresses generated by the formation of Pd₂Si under/at Pd deposited area. Using Pd assisted. Ni-MILC method, 0.8 ㎛/hr of MILC growth rate could be obtained at the temperature as low as 450℃.