고순도 나이오븀과 탄탈륨 희유금속의 물리적 특성평가

김일호,박종범,유신욱,조경원,최국선,서창열,김병규,김준수,Kim Il-Ho,Park Jong-Bum,You Sin-Wook,Cho Kyung-Won,Choi Good-Sun,Suh Chang-Youl,Kim Byoung-Gyu,Kim Joon-Soo 한국재료학회 2005 한국재료학회지 Vol.15 No.4

Thermal, electrical and mechanical properties of high purity niobium and tantalum refractory rare metals were investigated tn evaluate the physical purity. Higher purity niobium and tantalum metals showed lower hardness due to smaller solution hardening effect. Temperature dependence of electrical resistivity showed a typical metallic behavior. Remarkable decrease in electrical resistivity was observed for a high purity specimen at low temperature. However, thermal conductivity increased for a high purity specimen, and abrupt increase in thermal conductivity was observed at very low temperature, indicating typical temperature dependence of thermal conductivity for high purity metals. It can be known that reduction of electron-phonon scattering leads to increase in thermal conductivity of high purity niobium and tantalum metals at low temperature.

Skutterudite CoSb₃의 합성 및 열전특성

김일호,유신욱,박종범,이정일,어순철,장경욱,최국선,김준수,김현주,Kim I. H.,You S. W.,Park J. B.,Lee J. I.,Ur S. C.,Jang K. W.,Choi G. S.,Kim J. S.,Kim H. J. 한국재료학회 2005 한국재료학회지 Vol.15 No.10

Binary skutterudite $CoSb_3$ compounds were prepared by the arc melting and hot pressing processes and their thermoelectric properties were investigated in the range from 300 to 600 K. Annealing effect was correlated to phase transformation and homogenization. Thermoelectric properties of the arc-melted and hot-pressed $CoSb_3$ were discussed and compared. Undoped intrinsic $CoSb_3$ prepared by the arc melting showed p-type conduction, while it showed metallic behavior with increasing measuring temperature. However, hot pressed specimens showed n-type conduction, possibly due to Sb evaporation. Thermoelectric properties were remarkably improved by annealing In vacuum and they were closely related to phase transformation.

$Bi_{0.5}Sb_{1.5}Te_{3}/Bi_{2}Te_{2.4}Se_{0.6}$계 박막형 열전발전 소자의 제작과 작동 특성

김일호,장경욱,Kim Il-Ho,Jang Kyung-Wook 한국진공학회 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.2

[ $Bi_{0.5}Sb_{1.5}Te_{3}/Bi_{2}Te_{2.4}Se_{0.6}$ ]계 박막형 열전발전 소자에 의해 volt 단위의 비교적 고전압에서 microwatt 수준의 출력을 발생시킬 수 있었다. 최대 출력은 온도차와 2차 함수적인 관계가 있었고, 주어진 온도차에서 판형 모듈의 적층수에 비례하여 증가하였다. 판형 모듈의 적층수와 직렬/병렬 연결 조합의 변화에 의해 출력 전압과 전류를 조절할 수 있었다. 온도차에 대한 개회로 전압과 폐회로 전류의 변화는 직선성을 보였다. 개회로 전압은 직렬 연결의 경우 판형 모듈의 수에 의존하였지만, 병렬 연결의 경우에는 의존하지 않았다. 반면, 폐회로 전류는 직렬연결의 경우 판형 모듈의 적층수와 무관하게 일정한 값을 나타내었고, 병렬 연결의 경우 판형 모듈의 적층수에 비례하여 증가하였다. Microwatt power level at relatively high voltage(order of volt) was produced by $Bi_{0.5}Sb_{1.5}Te_{3}/Bi_{2}Te_{2.4}Se_{0.6}$ thin film thermoelectric generators, and maximum output power varied with temperature difference in the square-law relation. Output voltage and current were possible to control by changing the way of electrical connection as well as the number of stacking plate-modules. Variation of open circuit voltage and short circuit current with temperature difference showed a linear relationship. There were, however, some differences in variations; open circuit voltage were dependent on the number of plate-module when connected in series, but it was not for parallel connection. On the other hand, short circuit current showed the opposite behavior to the case of open circuit current.

'직업을 통한 사회봉사만이 정화의 지름길'

김일호,Kim, Il-Ho 대한건축사협회 1984 建築士 Vol.1984 No.3

PE 필름 두께와 온도에 따른 '상감둥시' 감의 MAP 탈삽 효과

김일호,김지영,남현진,이기우,조두현,이용재,Kim, Il-Ho,Kim, Ji-Young,Nam, Hyun-Jin,Lee, Ki-U,Cho, Doo-Hyun,Lee, Yong-Jae 한국식품저장유통학회 2017 한국식품저장유통학회지 Vol.24 No.6

상온($25^{\circ}C$)과 저온($-1^{\circ}C$)에서 modified atmosphere packaging(MAP)를 이용한 '상감둥시' 감의 탈삽처리를 통하여 각 온도에서 PE 필름의 적정 두께를 구명하고자 하였다. 60(상온에서만 사용), 80, 100, 115, $130{\mu}m$ 두께의 PE 필름을 이용하여 낱개 진공포장 후 각각 상온과 저온에서 탈삽하였다. 상온에서 탈삽은 필름 두께가 두꺼울수록 속도가 빠른 경향이었으나 모든 처리구에서 두께에 관계없이 5일 만에 식용이 가능한 상태로 탈삽되었다. 경도는 모든 처리구에서 비교적 높게 유지되었다. 과육갈변(top flesh browning)과 부패는 20일에 발생되었으며 과피흑변(peel blackening)과 과정부연화(style-end softening)는 적정 두께에서 거의 문제 되지 않았다. 상온 MAP 탈삽의 적정 PE 필름 두께는 $80-100{\mu}m$로, 이 두께에서 5일만에 탈삽되어 10일까지 상품성을 유지한 유통이 가능한 것으로 판단되었다. 저온에서의 탈삽도 필름 두께가 두꺼울수록 속도가 빨랐으며 50일경에 두께에 관계없이 완전히 탈삽되었다. 경도는 필름 두께에 따른 큰 차이는 없었으나 두꺼울수록 높은 경향을 보였다. 과육갈변과 부패는 필름 두께와 관계없이 모든 처리구에서 90일까지 발생되지 않았다. 과피흑변과 과정부연화는 90일에 발생되었으며 115와 $130{\mu}m$ 두께에서 이취가 발생되었다. 저온 MAP 탈삽의 적정 PE 필름 두께는 $80-100{\mu}m$로, 이 두께에서 50일만에 탈삽되어 80일까지 상품성을 유지한 유통이 가능한 것으로 판단되었다 We investigated the effect of PE film thickness on the modified atmosphere packaging (MAP) deastringency of 'Sanggamdungsi' (Diospyros kaki cv.) astringent persimmon at room temperature ($25^{\circ}C$) and low temperature ($-1^{\circ}C$). The fruits were individually packaged with PE film of which the thickness is 60, 80, 100, 115 or $130{\mu}m$ and stored at room or low ($-1^{\circ}C$) temperature. At room temperature, firmness shows the highest value (23.3-26.5) at $100{\mu}m$ thickness. Top flesh browning and decay was monitored at 20 days after storage, and peel blackening and style-end softening was negligible at optimal thickness. Therefore, optimal film thickness of deastringency at room temperature is $80-100{\mu}m$. At this thickness, the astringency was removed after 5 days and the fruits can be distributed until 10 days after the MAP. At low ($-1^{\circ}C$) temperature, firmness was maintained regardless of film thickness. However, the firmness is higher as the film is thicker. Top flesh browning and decay was not occurred even after 90 days after storage. Peel blackening and style-end softening was monitored at 90 days after storage. Off-flavor was monitored at 115 and $130{\mu}m$ thickness. Therefore, optimal film thickness of deastringency at low ($-1^{\circ}C$) temperature is $80-100{\mu}m$. At this thickness, the astringency was removed after 50 days and the fruits can be distributed until 80 days after the MAP.

고/액 계면에서의 Peltier 열 측정 및 결정성장에의 응용 II : 측정과 응용

김일호,장경욱,이동희,Kim, Il-Ho,Jang, Kyung-Wook,Lee, Dong-Hi 한국재료학회 1999 한국재료학회지 Vol.9 No.11

$\textrm{Bi}_{2}\textrm{Te}_{3}$의 고/액 계면을 통하여 전류밀도와 방향을 달리 하면서 통전시켰을 때 발생하는 고상, 액상 및 고/액 계면에서의 미소 온도변화를 측정하였다. 이 냉각(가열) 효과는 전류밀도, 통전방향 및 시간에 따라 다르게 나타났으며, 온도변화에 미치는 Peltier 열, Thomson 열 및 Joule 열의 영향을 이론 및 실험에 의해 각각 분류하였다. $\textrm{Bi}_{2}\textrm{Te}_{3}$의 고/액상간의 Peltier 계수는 -1.10$\times\textrm{10}^{-1}$V이었으며, 고상과 액상의 Thomson 계수는 각각 7.31\times\textrm{10}^{-4}V/K와 5.77\times\textrm{10}^{-5}V/K이었다. 직류를 통전하면서 Bi$_2$Te$_3$결정을 성장한 결과, 고상에서 액상으로 통전한 경우, Peltier 냉각에 의한 온도구배의 상승으로 방향성이 향상된 결정을 얻을 수 있었지만, 전류의 방향을 반대로 하면, 결정성 향상에 별 도움을 주지 못하였다. Thermoelectric effects on the temperature changes at the solid- and liquid-phase and its interface were studied by using the unidirectional solidification of $\textrm{Bi}_{2}\textrm{Te}_{3}$. Cooling or heating effects measured with current density. polarity and current passing time were quite different. By separating sole Peltier, Thomson and Joule heat theoretically and experimentally, the Peltier coefficient at the solid/liquid interface of $\textrm{Bi}_{2}\textrm{Te}_{3}$ was -1.10$\times\textrm{10}^{-1}$V, and the Thomson coefficients of solid- and liquid-phase were 7.31\times\textrm{10}^{-4}V/K, 5.77\times\textrm{10}^{-5}V/K, respectively. When D.C. passed from solid-phase to liquid-phase during the crystal growth of $\textrm{Bi}_{2}\textrm{Te}_{3}$ the crystal with more directionality was obtained owing to increase of the temperature gradient in liquid by the Peltier cooling. But in reverse current direction, the crystallinity was not changed significantly.

굽힘 하중하에서 유연 및 무연 솔더 조인트의 신뢰성 평가

김일호,이순복,Kim Il-Ho,Lee Soon-Bok 한국마이크로전자및패키징학회 2006 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.13 No.1

최근에 모바일 기기의 사용이 늘어남에 따라 굽힘 응력에 대한 패키지 접합부의 신뢰성에 대한 관심이 다시 높아지고 있다. 기존의 굽힘실험은 생산공정 및 운반 등에 파손을 방지하기 위해서 수행되었으나 최근에는 모바일 기기의 이동 및 사용에 따라 발생되는 응력에 대한 저항성 평가나 드롭시험의 대용으로 수행되고 있다. 본 연구에서는 정확한 4점 굽힘 실험 방법을 도입하여 유연 솔더 조인트와 무연 솔더 조인트의 굽힘 피로 시험에 대한 저항성을 평가하고, 단면 관찰과 유한요소법을 이용한 해석을 수행하였다. 높은 하중이 작용하게 되면, 유연 솔더 조인트가 보다 긴 피로수명을 갖으며, 낮은 하중이 작용할 때는 무연 솔더 조인트가 긴 수명을 가지게 된다. 크랙은 시편의 외각에서 발생되어 안쪽으로 진행하게 되며, 소성변형이 손상의 대부분을 자치하게 된다. Mobile products, such as cellular phones, PDA and notebook, are subjected to many different mechanical loads, which include bending, twisting, impact shock and vibration. In this study, a cyclic bending test of the BGA package was performed to evaluate the fatigue life. Special bending tester, which was suitable for electronic package, was developed using an electromagnetic actuator. A nonlinear finite element model was used to simulate the mechanical bending deformation of solder joint in BGA packages. The fatigue life of lead-free (95.5Sn4.0Ag0.5Cu) solder joints was compared with that of lead-contained (63Sn37Pb). When the applied load to the specimen is small, the lead-free solder has longer fatigue life than lead-contained solder. The fatigue crack is initialized at the exterior solder joints and is propagated into the inner solder joints.

Two New Species of Poecilostomatoid Copepods Associated with the Bivalve Dosinella penicillata in the Yellow Sea

김일호,Kim, Il-Hoi The Korean Society for Integrative Biology 1997 Korean journal of biological sciences Vol.1 No.1

Two new species of poecilostomatoid copepods, each belonging to the genera Myicola (Myicolidae) and Conchyliurus (Clausidiidae), are described, based on specimens taken from the mantle cavity of the bivalve Dosinella penicillata (Reeve). The host bivalve was collected from the intertidal mud flat near Inchon in the Yellow Sea.

N형 $Bi_2Te_{2.4}Se_{0.6}$ 박막의 열전 특성에 미치는 두께 및 열처리 효과

김일호,장경욱,Kim Il-Ho,Jang Kyung-Wook 한국진공학회 2005 Applied Science and Convergence Technology Vol.14 No.3

순간 증착법으로 제조한 n형 $Bi_2Te_{2.4}Se_{0.6}$ 박막에 대하여 유효 평균 자유 행로 모델을 적용하여 박막의 두께가 열전 특성에 영향을 미치지 않는 임계 두께를 구하였다. 또한 열처리 전후 전자 농도 및 이동도의 변화를 조사하여 열처리에 의한 열전 특성의 변화를 역구조 결함과 관련하여 설명하였다. Seebeck 계수와 전기 비저항 모두 두레의 역수와 직선적인 관계를 보였으며, 이로부터 구한 평균 자유 행로는 $5120\AA$이었다. 열처리에 의해 전자의 이동도가 증가하였지만, 역구조 결함의 감소로 인해 운반자의 전자 농도가 현저히 감소하여, 결국 전기전도도가 감소하고 Seebeck 계수가 증가하였다 473k에서 1시간 동안 열처리한 Seebeck 계수와 전기전도도는 각각 $-200\;\mu V/k$와 $510\omega^{-1}cm^{-1}$이었다 또한, 열처리에 의해 열전 성능 인자가 상당히 향상되어 $20\times10^{-4}\;W/(mK^2)$를 나타내었다. The effective mean free path model was adopted to examine the thickness effect on the thermoelectric properties of flash-evaporated n-type $Bi_2Te_{2.4}Se_{0.6}$ thin films. Annealing effects on the electron concentration and mobility were also studied, and their variations were analyzed in conjunction with antisite defects. Seebeck coefficient and electrical resistivity versus inverse thickness showed a linear relationship, and the mean free path was found to be $5120\AA$ Electron mobility was increased by annealing treatment and electron concentration was decreased considerably due to reduction of antisite defects, so that electrical conductivity was decreased and Seebeck coefficient was increased. When annealed at 473k for 1 hour, Seebeck coefficient and electrical conductivity were $-200\;\mu V/k\;and\;510\omega^{-1}cm^{-1}$, respectively. Therefore, the thermoelectric power factor was improved to be $20\times10^{-4}\;W/(mK^2)$.

AlGaAs/GaAs HBT 에미터 전극용 Pd/Ge계 오믹 접촉

김일호,Kim, Il-Ho 한국재료학회 2003 한국재료학회지 Vol.13 No.7

Pd/Ge/Ti/Pt and Pd/Ge/Pd/Ti/Au ohmic contacts to n-type InGaAs were investigated for applications to AlGaAs/GaAs HBT emitter ohmic contacts. In the Pd/Ge/Ti/Pt ohmic contact minimum specific contact resistivity of $3.7${\times}$10^{-6}$ $\Omega$$\textrm{cm}^2$ was achieved by rapid thermal annealing at $^400{\circ}C$/10 sec. In the Pd/Ge/Ti/Au ohmic contact, minimum specific contact resistivity of $1.1${\times}$10^{-6}$ $\Omega$$\textrm{cm}^2$ was achieved by annealing at 40$0^{\circ}C$/10 sec but the ohmic performance was degraded with increasing annealing temperature due to the reaction between the ohmic contact materials and the InGaAs substrate. However, non-spiking planar interface and relatively good ohmic contact (high-$10^{-6}$ /$\Omega$$\textrm{cm}^2$) were maintained after annealing at $450^{\circ}C$/10 sec. Therefore, these thermally stable ohmic contact systems are promising candidates for compound semiconductor devices. RF performance of the AlGaAs/GaAs HBT was also examined by employing the Pd/Ge/Ti/Pt and Pd/Ge/Pd/Ti/Au systems as emitter ohmic contacts. Cutoff frequencies were 63.5 ㎓ and 65.0 ㎓, respectively, and maximum oscillation frequencies were 50.5 ㎓ and 51.3 ㎓, respectively, indicating very successful high frequency operations.