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A survey on depth profile of aluminum anodized films
Kim,D.Y.,Kim,Y.H.,Lee,Y.H.,Oh,Y.T. 동국대학교 자연과학연구소 1988 자연과학연구 논문집 Vol.8 No.-
알루미늄을 기판금속으로 하는 Al?O?/Al 금속산화물 박막을 H?PO? 전해질 용액내에서 양극산화법에 의해 성장시켰다. 양극산화박막의 제작방법에는 일정전압방식과 일정전류방식이 있는데 본 연구에서는 이 두가지 방식을 모두 이용하였다. Jacquet법에 의한 H?PO? 용액내에서의 양극산화는 직류전압 35V부터 75V사이에 일어나며 이에 해당하는 전류밀도는 6.5mA/㎠부터 3.5mA/㎠사이이댜. 한편 제작된 Al 양극산화 박막의 depth profile을 AES(Auger electron spectroscopy)와 SIMS(secondary ion mass spectroscopy)를 이용하여 조사하였다. Metal-oxide thin film Al?O?/Al is grown on the Al substrate by anodization on a solution of H?PO? electrolyte. There are two kinds of methods in anodic oxidation: constant voltage mode and constant current mode. In this work, we used both methods. Anodization voltage region of Al metal in H?PO? solution, according to the Jacquet method, is 35V to 75V in DC, corresponding current density is 6.5mA/㎠ to 3.5mA/㎠. The depth profile of anodized thin films have been investigated by Auger electron spectroscopy (AES) and secondary ion mass spectroscopy(SIMS).
임재영,김득녕,강태원,홍치유,김성일 동국대학교 자연과학연구소 1987 자연과학연구 논문집 Vol.7 No.-
반절연성 GaAs의 광전도 특성을 조사하였다. 그 결과 파장변화에 따른 광여기 peak는 intrinsic 광여기 peak가 1.42eV에서, extrinsic 광여기peak가 1.35eV에서 나타났으며, 이 시료의 재결합 중십에서의 이온화에너지는 0.656eV이었다. We investigated the photoconductivity of semi-insulating GaAs. For the experimental results, the spectral response curve of photoconductivity of semi-insulating GaAs showed an intrinsic photoexcitation peak(1.42eV), at 300K. The electron ionization energy of dominant recombination center was 0.656eV