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실시간 데이터베이스 시스템에서의 이동통신 트랜잭션 스케줄링에 관한 연구
김기완(Gi-Wan Kim),구홍서(Heung-Seo Koo),배해영(Hae-Young Bae) 한국정보과학회 1991 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.18 No.2
실시간 시스템에 대량의 데이터 처리에 유용하도록 구축된 실시간 데이터베이스 시스템은 방생하는 각 트랜잭션들이 실시간 제약을 만족하면서 처리 가능하도록 하는 스케줄링 방법이 필요하다. 본 연구에서는 실시간 시스템인 이동 통신 시스템에서 발생할 수 있는 트랜잭션의 종류를 불석하고 이를 실시간 처리 하기 위해 최근접 데드라인을 갖는 트랜잭션에게 높은 우선권을 할당 하는 방법을 사용하여 긴급한 트랜잭션을 효과적으로 스케줄링 하도록 한다. 또한 서로 성질이 다른 로밍 등록 트랜잭션(Roaming Restration Transaction:RRT)와 호처리 트랜잭션(Call Handling Transaction:CHT)이 동일한 객체에 동시 접근하여 충돌이 발생할 경우 호 처리 트랜잭션을 종속하는 로밍 등록 트랜잭션을 우선권에 관계없이 우선처리 함으로써 시스템의 효율을 향상 시킬 수 있는 스케줄링 방법을 제안한다.
박성근,전병억,김진수,김지현,최병진,남기홍,류기홍,김기완,Park, Seong-Geun,Jeon, Byeong-Eok,Kim, Jin-Su,Kim, Ji-Hyeon,Choe, Byeong-Jin,Nam, Gi-Hong,Ryu, Gi-Hong,Kim, Gi-Wan 한국재료학회 2001 한국재료학회지 Vol.11 No.1
The growth characteristics of 4-fold grain which was appeared in KLN deposition on $Pt/Ti/SiO_2/Si(100)$ substrate was studied by varying process variables. Substrate temperature, sputtering pressure, rf power were selected as process variables, and experiment was carried out near optimum fabrication condition. When using K and Li enriched target, the optimum fabrication conditions were substrate temperature of $600^{\circ}C$, sputtering pressure of 150mTorr, rf power of 100 W and its surface morphology is sensitively varied by small deposition condition changes. KLN is composed of elements which have large difference of boiling point. And it is difficult to fabricate thin film at high temperature and high vacuum deposition condition. Furthermore the phenomenon during deposition process can not be explained by using Thorton's model which explains the relation between thin film structure and melting point of thin film materials. These phenomenon can be explained using boiling point of elements which consist of thin film material. 본 실험에서는 $Pt/Ti/SiO_2/Si(100)$ 기판 위에 KLN 박막을 형성할 때 나타나는 4-fold 그레인의 성장 특성을 조사하기 위하여 공정 변수를 변화시키면서 박막을 제작하였다. 공정 변수는 기판 온도, 스퍼터링 압력, 고주파 전력을 선택하여 최적의 증착 조건 근방에서 공정 변수를 변화시키면서 실험하였다. K와 Li가 과량된 타겟을 사용하여 KLN 박막을 제조할 때 최적의 성장 조건은 고주파 전력 100 W, 공정압력 150 mTorr, 기판온도 $600^{\circ}C$이며 공정변수의 작은 변화에도 박막의 표면 형상은 매우 민감하게 변화하였다. KLN은 화합물을 구성하는 원소 사이의 증기화 온도의 차이가 많이나는 물질로서 고온 고진공의 환경에서 박막을 제조할 때 어려움이 있으며, 녹는점과 기판 온도와의 관계를 설명한 Thornton의 모델로 설명하기 어려운 현상이 나타났다. 이러한 것은 박막 물질을 이루는 구성 원소의 증기화 온도를 이용하여 이 현상을 간단하게 설명할 수 있었다.
Texturization을 이용한 Al-MIS 태양 전지의 효율 개선
김진섭,이우일,김기완,정호선,Kim, Jin-Seop,Lee, U-Il,Kim, Gi-Wan,Jeong, Ho-Seon 대한전자공학회 1982 전자공학회지 Vol.19 No.5
태양 전지의 효율을 개선하기 위한 여러 가지 방법중 실리콘 표면을 이방성 부식하여 태양광의 수광 효율을 증대시켜 태양 전지의 효율을 높이는 texturization방법을 Al-MIS 태양 전지에 적용하였다. MIS 태양 전지를 제조하기 위해 질소 분위기에서 행한 산화 조건은 500℃에서 20분간이 가장 좋았으며, 알루미늄 장벽금속(barrier metal)의 두께는 약 100Å이 적합하였다. Texturization 용액으로서 hydratinehydrate와 pyrocathecol을 혼합하여 사용하였다. 실리콘 표면을 texturization함으로써 texturization하지 않은 MIS태양 전지에 비해 100mW/㎠의 조명하에서 1.2∼1.6%의 효율을 개선할 수 있었다. Texturization technique has been employed to improve the efficiency of Al-MIS solar cells. The best condition for the formation of insulating layer was 50$0^{\circ}C$ in N2 ambient for 20 minutes, and the appropriate thickness of the Al barrier metal layer was about 100$\AA$ For the texturization of the face a mixture of hydrazinehydrate and pyrocathecol was used. The efficiency improvement of the texturized cells ranged from 1.2 to 1.6% under 100mW/$\textrm{cm}^2$ illumination.
형상기억합금의 열처리가 마르텐사이트 변태 온도에 미치는 영향
박성근,유병길,진광수,김기완,Park, Seong-Geun,Yu, Byeong-Gil,Jin, Gwang-Su,Kim, Gi-Wan 한국재료학회 1997 한국재료학회지 Vol.7 No.7
급냉온도에 따른 전기 저항 측정으로 Cu-17, 25Zn-15AI 및 Cu-17.25Zn-15AI-1Ag형상기억합금의 열처리에 의한 마르텐사이트 변태온도의 영향을 연구하였다. DSC 측정으로 고온 모상에서의 상전이 온도롸 종류를 구별하였고 XRD측정으로 구조 변화를 연구하였다. 그리고 열처리에 의한 온도 변화의 원인을 연구하였17.25Zn-15AI 합금에서 고온 모상의 규칙-불규칙 전이온도인 $T_{2}$, $T_{L21}$은 각각 809K와 610K였다. CuZnAI의 경우 $T_{2}$근방에서의 급냉은 마르텐사이트 변태온도를 높이지만 $T_{L21}$ 근방에서의 급냉은 마르텐사이트 변태온도를 낮춘다. 실험결과 열처리에 따른 상전이온도 변화의 원인은 석출물의 형성이라기 보다는 급냉전의 모상의 구조에 가장 큰 영향을 받는다.받는다.