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KOH Etching을 통한 4H-SiC Epitaxy 박막에서의 전위결함 거동
신윤지,김원정,문정현,방욱,Shin, Yun-Ji,Kim, Won-Jeong,Moon, Jeong-Hyun,Bahng, Wook 한국전기전자재료학회 2011 전기전자재료학회논문지 Vol.24 No.10
The morphology of etch pits in commercial 4H-SiC epi-wafer were investigated by molten-KOH etching. The etching process was optimized in $525{\sim}570^{\circ}C$ at 2~10 min and the novel type of etch pits was revealed. This type of etch pits have been considered as TED (threading edge dislocation) II, its origin and nature, however, are not reported yet. In this work, the morphology and evolution of etch pits during epitaxial growth were analyzed and the different behavior between TED and TEDII was discussed.
딥러닝 기반 영상처리 기법 및 표준 운동 프로그램을 활용한 비대면 온라인 홈트레이닝 어플리케이션 연구
신윤지,이현주,김준희,권다영,이선애,추윤진,박지혜,정자현,이형석,김준호,Shin, Youn-ji,Lee, Hyun-ju,Kim, Jun-hee,Kwon, Da-young,Lee, Seon-ae,Choo, Yun-jin,Park, Ji-hye,Jung, Ja-hyun,Lee, Hyoung-suk,Kim, Joon-ho 국제문화기술진흥원 2021 The Journal of the Convergence on Culture Technolo Vol.7 No.3
최근 AR, VR 및 스마트 디바이스 기술의 발전에 따라 피트니스 산업에서도 비대면 환경을 기반으로 한 서비스 수요가 증가하고 있다. 비대면 온라인 홈트레이닝 서비스는 기존의 오프라인 서비스에 비해 시간과 장소의 제약이 없다는 장점이 있으나 운동 기구의 부재 및 사용자의 정확한 운동 자세 유지여부, 운동량의 측정이 어려운 단점이 존재한다. 본 연구에서는 이러한 단점을 보완할 수 있는 표준 운동 프로그램을 개발하고 딥러닝 기반 신체 자세 추정 영상처리를 통하여 새로운 비대면 홈트레이닝 어플리케이션 알고리즘을 제안한다. 본 연구의 알고리즘 기반 어플리케이션을 활용한다면 표준 운동 프로그램 영상의 트레이너를 사용자가 직접 보고 따라하면서 사용자 스스로 자세를 교정하며 정확한 운동이 가능하다. 나아가 본 연구의 알고리즘을 용도에 맞게 커스터마이징 한다면 공연, 영화, 동아리 활동, 컨퍼런스 분야로의 적용도 가능할 것이다. Recently, with the development of AR, VR, and smart device technologies, the demand for services based on non-face-to-face environments is also increasing in the fitness industry. The non-face-to-face online home training service has the advantage of not being limited by time and place compared to the existing offline service. However, there are disadvantages including the absence of exercise equipment, difficulty in measuring the amount of exercise and chekcing whether the user maintains an accurate exercise posture or not. In this study, we develop a standard exercise program that can compensate for these shortcomings and propose a new non-face-to-face home training application by using a deep learning-based body posture estimation image processing algorithm. This application allows the user to directly watch and follow the trainer of the standard exercise program video, correct the user's own posture, and perform an accurate exercise. Furthermore, if the results of this study are customized according to their purpose, it will be possible to apply them to performances, films, club activities, and conferences
EFG법을 이용한 (100) β-산화갈륨 단결정 성장 및 라만 특성 연구
신윤지 ( Yun-ji Shin ),조성호 ( Seong-ho Cho ),정운현 ( Woon-hyeon Jeong ),정성민 ( Seong-min Jeong ),이원재 ( Won-jae Lee ),배시영 ( Si-young Bae ) 한국전기전자재료학회 2022 전기전자재료학회논문지 Vol.35 No.6
A 100 mm × 50 mm-sized (100) gallium oxide (Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>) single crystal ingot was successfully grown by edge-defined film-fed growth (EFG). The preferred orientation and the quality of grown Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> ingot were compatible with a commercial Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> substrate by showing strong (100) orientation behaviors and 246 arcsec in X-ray rocking curve. Raman characterization was also performed for both samples; thereby providing various Raman-active characteristics of Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> crystals. In particular, we observed A<sub>g</sub>(5) and A<sub>g</sub>(10) peaks of Raman active mode, directly related to the impurity of the grown Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> crystal. Hence, the comparison of the crystal quality and Raman analysis might be useful for further enhancement of Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> single crystal quality in the future.
김경호,신윤지,정성민,배시영,Kim, Kyoung-Ho,Shin, Yun-Ji,Jeong, Seong-Min,Bae, Si-Young 한국전기전자재료학회 2019 전기전자재료학회논문지 Vol.32 No.6
We investigated the growth of $(Al_xGa_{1-x})_2O_3$ thin films on c-plane sapphire substrates that were grown by mist chemical vapor deposition (mist CVD). The precursor solution was prepared by mixing and dissolving source materials such as gallium acetylacetonate and aluminum acetylacetonate in deionized water. The [Al]/[Ga] mixing ratio (MR) of the precursor solution was adjusted in the range of 0~4.0. The Al contents of $(Al_xGa_{1-x})_2O_3$ thin films were increased from 8 to 13% with the increase of the MR of Al. As a result, the optical bandgap of the grown thin films changed from 5.18 to 5.38 eV. Therefore, it was determined that the optical bandgap of grown $(Al_xGa_{1-x})_2O_3$ thin films could be effectively engineered by controlling Al content.
다결정 산화갈륨/다이아몬드 이종 박막 성장 및 열처리 효과 연구
서지연,김태규,신윤지,정성민,배시영,Seo, Ji-Yeon,Kim, Tae-Gyu,Shin, Yun-Ji,Jeong, Seong-Min,Bae, Si-Young 한국결정성장학회 2021 한국결정성장학회지 Vol.31 No.6
본 연구에서는 산화갈륨의 방열 특성 향상을 위해 산화갈륨/다이아몬드 이종 박막 성장을 진행하였다. 먼저, 핫필라멘트 화학기상증착법을 이용하여 다결정 다이아몬드를 증착시킨 후, 미스트 화학기상증착법을 통해 450~600℃ 사이의 온도구간에서 산화갈륨 박막을 성장시켰다. 열처리 전후 비교를 통해 500℃에서 산화갈륨/다이아몬드 계면 분리 현상이 발생함을 확인하였다. 이는 비정질과 결정질이 혼재된 산화갈륨 박막이 성장된 후, 냉각 과정에서 열팽창계수의 차이로 인해 계면이 분리된 것으로 판단하였다. 따라서, 본 연구를 통한 산화갈륨/다이아몬드 계면의 물리적 안정성을 통해 산화갈륨의 열물성 보완및 고전력 반도체로의 활용이 기대된다. In this study, Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/diamond layers were grown on Si substrates to improve the thermal characteristics of Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> materials. Firstly, diamond thin film was grown on Si substrates by hot-filament chemical vapor deposition. Afterward, Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> layer was grown in the growth temperature range of from 450~600℃ by mist chemical vapor deposition. We found that layer separation happens at the Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/diamond interface at the growth temperature of 500℃. This is attributed to the different thermal expansion coefficient of the mixture of amorphous and crystalline structures during cooling process. Therefore, this study might contribute to the heat-sink-layer bonded power semiconductor applications by stabilizing the thermal properties at Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/diamond interface.
탄화규소 단결정 성장을 위한 종자결정모듈의 탄화규소-흑연 간 접합계면의 기계적 특성 평가
강준혁,김용현,신윤지,배시영,장연숙,이원재,정성민,Kang, June-Hyuk,Kim, Yong-Hyeon,Shin, Yun-Ji,Bae, Si-Young,Jang, Yeon-Suk,Lee, Won-Jae,Jeong, Seong-Min 한국결정성장학회 2022 한국결정성장학회지 Vol.32 No.5
고온의 탄화규소 단결정성장공정에서는 탄화규소-흑연간의 열팽창계수의 차이로 인한 열응력이 크게 발생할 수 있어 흑연부재로부터 탄화규소 종자정이 분리되어 성장 중에 종자정이 떨어지는 문제가 발생할 수 있다. 그러나 이러한 탄화규소 종자정 모듈의 접합특성에 대한 연구는 현재까지 거의 보고된 바가 없다. 본 연구에서는 탄화규소-흑연 간의 접합특성을 평가하기 위해 3점 굽힘시험법을 응용한 복합모드꺾임시험(Mixed-Mode Flexure Test)을 통해 탄화규소-흑연을 서로 다른 접합제를 적용하여 접합한 시편의 접합 특성을 확인하고, 흑연 접착제의 미세구조를 분석하기 위해 라만분광법(Raman spectroscopy), X선 광전자분광법(X-ray Photoelectron Spectroscopy) 및 X선 전산화 단층촬영법(X-ray Computed Tomography)을 활용하였다. 이러한 일련의 과정을 통하여 선별한 접착성이 우수한 접착제를 적용하여 직경 50 mm급의 탄화규소 종자결정모듈을 제작하고, 이를 적용하여 고온의 상부종자용액성장 공정을 이용하여 공정 중 종자정의 탈락없이 성공적으로 직경 50 mm급의 탄화규소 단결정을 성장시켰다.
Mist-CVD법으로 증착된 다결정 산화갈륨 박막의 MOSFET 소자 특성 연구
서동현,김용현,신윤지,이명현,정성민,배시영,Seo, Dong-Hyun,Kim, Yong-Hyeon,Shin, Yun-Ji,Lee, Myung-Hyun,Jeong, Seong-Min,Bae, Si-Young 한국전기전자재료학회 2020 전기전자재료학회논문지 Vol.33 No.5
In this research, we evaluated the electrical properties of polycrystalline-gallium-oxIde (Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>) thin films grown by mist-CVD. A 500~800 nm-thick Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> film was used as a channel in a fabricated bottom-gate MOSFET device. The phase stability of the β-phase Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> layer was enhanced by an annealing treatment. A Ti/Al metal stack served as source and drain electrodes. Maximum drain current (I<sub>D</sub>) exceeded 1 mA at a drain voltage (V<sub>D</sub>) of 20 V. Electron mobility of the β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> channel was determined from maximum transconductance (g<sub>m</sub>), as approximately, 1.39 ㎠/Vs. Reasonable device characteristics were demonstrated, from measurement of drain current-gate voltage, for mist-CVD-grown Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> thin films.
SiC 단결정의 TSSG 공정을 위한 전이금속 특성 연구
이승준,유용재,정성민,배시영,이원재,신윤지,Lee, Seung-June,Yoo, Yong-Jae,Jeong, Seong-Min,Bae, Si-Young,Lee, Won-Jae,Shin, Yun-Ji 한국결정성장학회 2022 한국결정성장학회지 Vol.32 No.2
본 연구에서는 SiC 단결정의 TSSG 공정중 결정 품질을 저하시키지 않으면서도 의도하지 않은 질소 도핑(N-UID)을 쉽게 제어하기 위해 지금까지 Co 또는 Sc 전이금속을 첨가한 신규 용융조성을 제안한다. Co 또는 Sc의 특성을 파악하기 위해 Ar 분위기에서 1900℃ 온도에서 약 2시간 동안 열처리 실험을 수행했다. 용융조성은 Si-Ti 10 at% 또는 Si-Cr 30 at%를 비롯하여, 탄소 용해도에 효과적이라고 알려진 Co 또는 Sc을 각각 3 at% 첨가하였다. 열처리 후 도가니 단면을 가공하여 도가니-용융물 계면에서 발생한 Si-C 반응층을 관찰하고, 탄소황분석을 통해 조성에 따른 탄소 용해도를 간접적으로 분석하였다. 그 결과, Si-Sc 기반 용융조성이 TSSG 공정에 적합한 특성을 갖는 Si-C반응층을 형성하고 있었다. 또한 탄소황분석 결과에서도 Cr 다음으로 높은 탄소량이 갖는 것으로 분석되었다. Sc는 Cr에 비해 질소와의 반응성이 낮은 이점을 가지므로 TSSG 공정에 Si-Sc 용융조성을 적용하면, 본 연구에서 의도한 대로 SiC 단결정 성장속도와 질소 UID를 모두 제어할 수 있는 것으로 고려된다.