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군위성통신 차량용단말 X-대역 TWTA용 HVPS 개발
박재돈,장진상,동문호,Park, Jae-Don,Jang, Jeen-Sang,Dong, Moon-Ho 한국통신학회 2005 韓國通信學會論文誌 Vol.30 No.12A
The HVPS of the TWTA for military satellite communications is developed and tested. With 380 V input DC voltage, the HVPS provides -10.95 kV for Cathode, -4.27 kV for Collectorl and -6.57 kV for Collector2 of the TWT that generates 600 W X-band output signal power. The total output power of the HVPS is about 1.6 kW. The voltage ripples of Cathode, Collectorl and Collector2 are 6 V, 12 V and 6 V, respectively, which are only $0.055\%,\;0.281\%$ and $0.091\%$ compared to the absolute output voltages. 본 논문에서는 군위성통신의 차량용단말에 사용되는 X-대역 TQTA용 HVPS를 설계 및 제작하고 그 성능을 측정하였다. 본 HVPS는 X-대역에서 600 W의 RF 신호 출력을 발생시키는 TWT를 구동시키기 위하여 제작되었다. HVPS의 스위칭 주파수는 80 kHz로 설계되었고 입력전원은 380 V의 직류전원을 사용한다. HVPS의 출력전압은 Cathode 전극에 -10.95 kV의 최대전압을 발생시키고 두개의 Collector 전극에 각각 -4.27 kV, -6.57 kV의 고압 전원을 제공하며 총 출력 전력은 1.6 kW를 발생시킨다. 한편, ripple 전압의 peak-to-peak 크기는 Cathode 전극의 경우 6 V, Collectorl은 12 V, Collector 2는 6 V로서 출력전압에 비해 각각 $0.055\%,\;0.281\%,\;0.091\%$ 수준으로 상당히 안정된 전원특성을 얻었다.
이은주,박재돈,윤기완,Lee, Eun-Ju,Zhang, Ruirui,Park, Jae-Don,Yoon, Gi-Wan 한국정보통신학회 2009 한국정보통신학회논문지 Vol.13 No.11
N-doped ZnO thin films with c-axis preferred orientation were prepared on p-Si(100) wafers, using an RF magnetron sputter deposition. For ZnO deposition, $N_2O$ gas was employed as a dopant source and various deposition conditions such as $N_2O$ gas fraction and RF power were applied. The depth pofiles of the nitrogen [N] atoms incorporated into the ZnO thin films were investigated by Auger Electron Spectroscopy(AES) and the nano-scale structural characteristics of the N-doped ZnO thin films were also investigated by a scanning electron microscope (SEM) technique. 본 연구에서는 C-축 우선 배향 특성을 가지는 N-doped ZnO 박막을 증착하고 그 미세구조의 특성을 분석 비교하였다. ZnO박막은 $N_2O$ 가스 분위기에서 RF reactive magnetron sputtering 시스템을 사용하여 p-Si(100) 웨이퍼 위에 증착되었다. $N_2O$ 가스는 N doping source로 사용되었으며, 전체 가스 유량에 대한 $N_2O$ 가스의 비율 $N_2O/(N_2O+Ar)$과 증착 전력을 증착의 주요 공정 변수로 선택하여 다양한 가스 비율과 증착 전력에 대한 박막의 미세 구조 특성을 비교 분석하였다. 특히, Auger electron spectroscopy (AES)를 이용하여 ZnO 박막 내에 들어가 존재하는 불순물 N의 수직분포를 분석하였고, 여러 가지 증착 조건에서 제작된 ZnO 박막의 표면형상 및 미세구조 특성을 Scanning Electron Microscope (SEM)를 이용하여 분석하였다.
니켈 실리사이드의 상에 따른 전자구조가 Auger 스펙트럼에 미치는 효과
김성철,박재돈,황해선,김건호,이정주,김인호,서동주,황도원,최치규,이정용 동의대학교 기초과학연구소 1992 基礎科學硏究論文集 Vol.2 No.1
Nickel silicides were grown on Si(111) substrate by annealing Ni(400Å)/Si(111) samples at temperatures ranging from RT to 750℃ in ultra high vacuum. The Auger spectra taken from samples during annealing showed that the critical temperature for Ni diffusion in Si(111) substrates was ∼157℃, but no phases of nickel silicide were detected at this temperature range. The observed phases were identified as Ni₂Si(∼250℃), NiSi(∼450℃), and NiSi₂(∼750℃) by both analyzing the line shape of Auger spectra and calculating the atomic concentration of Ni and Si using modified Auger sensitivity factors. The fine structures observed at the Ni MMM and Si L_2.3VV spectra could be understood as reflecting the partial density of states of Ni d and Si p orbitals and were closely related with the chemical environments produced by the charge transfer from Ni to Si atoms.
니켈 실리사이드의 상에 따른 전자구조가 Auger 스펙트럼에 미치는 효과
김성철,박재돈,황해선,김건호,이정주,김인호,서동주,황도원,최치규,이정용 慶尙大學校 기초과학연구소 1992 基礎科學硏究所報 Vol.8 No.-
단결정 Si(111)면에 고진공에서 Ni를 400Å 증착하고 이를 초고진공내에서 실온으로부터 750℃까지 열처리하여 실리사이드를 형성시켰다. 열처리중 표면 원소에 대한 Auger 스펙트럼을 조사하여 Ni의 확산 임계온도가 ∼157℃임을 알았고 이 온도에서는 실리사이드의 phase가 고정되지 않음을 보았다. 초기 phase인 Ni_2Si는 ∼250℃에서 NiSi는 ∼450℃에서, 그리고 NiSi_2는 ∼750℃에서 형성되었고 그 stoichiometry는 보정된 Auger 감도인자를 써서 구할 수 있었다. Ni MMM 및 Si L_2.3VV 스펙트럼의 line shape에서 나타난 미시구조는 가전자대의 구조와 Ni로부터 Si로 이동한 전하량에 의존함을 보았다. Nickel silicides were grown on Si(111) substrate by annealing Ni(400Å)/Si(111) samples at temperatures ranging from RT to 750℃ in ultra high vacuum. The Auger spectra taken from samples during annealing showed that the critical temperature for Ni diffusion in Si(111) substrates was ∼157℃, but no phases of nickel silicide were detected at this temperature range. The observed phases were identified as Ni_2Si(∼250℃), NiSi(∼450℃)and NiSi_2(∼750℃) by both analyzing the line shape of Auger spectra and calculating the atomic concentration of Ni and Si using modified Auger sensitivity factors. The fine structures observed at the Ni MMM and Si L_2.3VV spectra could be understood as reflecting the partial density of states of Ni d and Si p orbitals and were closely related with the chemical environments produced by the charge transfer from Ni to Si atoms.
ZnTe의 Memory-Switching 作用에 關한 硏究
羅炳旭,朴載燉 慶北大學校 1976 論文集 Vol.21 No.-
ZnTe Polycrystalline thin film may be obtained o glass substrates by vacuum evaporation method. The sandwich devices of Al-ZnTe-Al exhibited memory switching characteristics, which may be called "non-polarized memory effects". The characteristics were symmetric in the 1st and 3rd quadrants. The average resitance ratio was about 103. The ON-state was ohmic. The current-voltage characteristics in the OFF state showed the space-change limited behavior. The memory switching effect may be explained as follows; in the voltage region close to the threshold voltageVth, current constriction occurs, so that current flows in the filamentary path and causes switching from off to on, then the filamentary path is heated to some critical temperature and thermal rupture is created to bring out switching from ON to OFF.