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문환구,문일,Moon Hwan-Goo,Moon Il 한국공학교육학회 2001 공학교육연구 Vol.4 No.2
신입생의 대학생활 적응지원과 전공선택지도를 위하여 연세대학교에서는 학사지도교수제도를 도입하였다. 본 논문에서는 학사지도교수제도가 다양한 형태로 발달된 미국 대학의 사례를 중심으로 유형별 학사지도 체제의 장단점을 조사한 뒤, 연세대학교의 체제를 분석하였다. 신입생이 소속되는 학부대학과 학사지도교수로 대표되는 연세대학교 학사지도 체제는 분산형과 전체흡수형의 장점을 취하기 위한 절충형으로 분류된다. An academic advising program has been initiated by Yonsei University to help first-year students formulate sound educational and career plans. We analysed the program on the basis of organizational models of advising of American colleges. Represented by University college and academic advisor, it can be categorized as a compromised system of Split and Total-Intake models.
문환구(Hwan-Goo Moon),김동원(Dong-Won Kim),한철현(Cheol-Hyun Han),김영남(Young-Nam Kim),심태언(Tae-Earn Shim) 한국진공학회(ASCT) 1992 Applied Science and Convergence Technology Vol.1 No.1
SIMS는 뛰어난 원소검출감도와 깊이 분해능을 가지고 있어서 깊이에 따른 미량불순물 분석에 필수적인 장비이지만, 시료와 불순물의 변화에 따라 이온화율과 깍이는 속도가 달라서 일어나는 matrix effect 때문에 표준시료 없이 정량분석을 할 수 없는 문제점이 있다.<br/> 이런 SIMS의 단점을 보완하기 위한 방법으로 개발된 여러 가지 SNMS 기술 중 SIMS에 아무런 기계장치를 덧붙이지 않고도 정량화 개선효과를 가져오는 CsX^+ SNMS에 대한 연구를 진행하여, 지금까지 밝혀진 실리콘 산화막 등에서의 주성분원소 조성비분석을 통해 SNMS 기능을 확인하고 SIMS의 주 분석대상인 불순물농도분석에의 적용가능성을 실험해 보았다. 이를 위해 실리콘에 BF₂ 이온주입후 붕소분포 분석시 강한 matrix effect를 나타내는 불소의 효과를 SNMS와 SIMS로 비교하였으며, 검출한계와 dynamic range도 조사하였다. 실험결과 CsX^+ SNMS 기술은 matrix effect 때문에 실제분포와 다른 값으로 검출되는 불순물 시료분석에 적용할 수 있음을 알았다. SIMS is an indispensable surface analysis instrument in trace element depth profiling because of high detection sensitivity and excellent depth resolution, however, it requires a standard sample to do quantitative analysis due to matrix effect depending on the species of impurities and sample matricies and on the sputtering rates.<br/> Among the SNMS technology developed to supply the deficiency, we researched into CsX^+ SNMS which improved the result quantitatively without any extra epuipments. So basic SNMS functions were confirmed through matrix element composition rate analysis using SiO₂ layer etc., and adaptability to trace element concentration alaysis was tried. For that purpose we compared SIMS depth profile data for Boron which presented strong matrix effect on account of Fluorin existence after BF₂ ion implantation on silicon substrate with SNMS data. Also detection limit and dynamic range were investigated.<br/> After these experements we concluded that CsX^+ SNMS reduced matrix effect and we could apply it to profile impurity elements.
조현주,박흥진,황보창권,문환구,김진태,손승현,이재철 한국광학회 1997 한국광학회지 Vol.8 No.4
Scattering measurement on high reflection dielectric multilayer mirrors deposited on quartz substrate in a vacuum chamber were performed using a total integrated scattering method. Scattering of (Ta$_2$$O_5$/SiO$_2$) multilayer mirrors deposited at 250-30$0^{\circ}C$ was 0.048-0.050% and did not change with an annealing at 30$0^{\circ}C$ for 4 hours. On the other hand, scattering of (TiO$_2$/SiO$_2$) multilayer mirror at 25$0^{\circ}C$ was 0.029% and it showed the heavy tensile stress after an annealing. The rms roughness of (Ta$_2$$O_5$/SiO$_2$) multilayer mirror was almost the same as that of (TiO$_2$/SiO$_2$)multilayer mirror. The column size of Ta$_2$$O_5$ film was smaller than that of TiO$_2$film and the packing density of (Ta$_2$$O_5$/SiO$_2$) multilayer mirrors was higher than that of (TiO$_2$/SiO$_2$) multilayer mirror. It seems that the higher packing density and smaller column size of Ta$_2$$O_5$ films lead to more scattering. 진공 증착법으로 수정 기판 위에 증착된 유전체 고반사 다층 박막의 산란을 TIS 방법을 이용하여 측정하였다. 기판온도 250~300.deg. C에서 증착한(Ta$_{2}$O$_{5}$/SiO$_{2}$) 다층 박막의 산란율은 0.048~0.050%이며 300.deg. C에서 4시간 열처리에 의하여 영향을 받지 않았다. 기판온도 250.deg. C에서 증착한 (TiO$_{2}$/SiO$_{2}$) 다층 박막의 산란율은 0.029%이며 열처리에 의하여 심한 인장 응력을 받았다. 두 다층 박막의 표면 거칠기는 거의 차이가 없었고 Ta$_{2}$O$_{5}$ 박막의 기둥이 TiO$_{2}$ 박막보다 작고 조밀도는 (Ta$_{2}$O$_{5}$/SiO$_{2}$) 다층 박막이 큰 것을 알 수 있었다. (Ta$_{2}$O$_{5}$/SiO$_{2}$) 다층 박막의 산란율이 큰 것은 Ta$_{2}$O$_{5}$ 박막이 더 조밀하고 기둥 크기가 작으므로 박막 내에 기둥 수가 증가하여 체적 산란이 증가하였기 때문인 것으로 판단된다. 것으로 판단된다.
WSi2/CVD-Si/SiO2 구조의 게이트 전극 특성
박진성,정동진,이우성,이예승,문환구,김영남,손민영,이현규,강성철 한국세라믹학회 1993 한국세라믹학회지 Vol.30 No.1
In the WSi2/CVD-Si/SiO2 polycide structure, electrode resistance and its property were studied as a function of deposition temperature and thickness of CVD-Si, diffusion condition of POCl3, and WSi2 being deposited or not. Resistivity of poly-Si is decreased with increment of thickness in the case of POCl3 diffusion of low sheet resistance, but it is increased in the case of high sheet resistance. The resistivity of amorphous-Si is generally lower than that of poly-Si. Initial sheet resistance of poly-Si/WSi2 gate electrode is affected by the thickness and resistance of poly-Si layer, but final resistance after anneal, 900$^{\circ}C$/30min/N2, is only determined by WSi2 layer. Flourine diffuses into SiO2, but tungsten does not. In spite of out-diffusion of phosphorus into WSi2 layer, the sheet resistance is not changed.