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배전계통의 태양광 수용용량 증대를 위한 지원금 기반 프로슈머 자가소비 최적화 기법
손예지(Ye-Ji Son),임세헌(Se-Heon Lim),윤성국(Sung-Guk Yoon) 대한전기학회 2021 전기학회논문지 Vol.70 No.4
In the power industry, renewable energy has been adopting into the power system to reduce global warming. However, renewable energy expansion such as solar photovoltaic (PV) raises a voltage stability issue for distribution systems. This work proposes a prosumers’ self-consumption optimization scheme through subsidy to increase the hosting capacity of solar PV in distribution systems. Therefore, it reduces cost and increases the utilization of solar PV. We investigate a case study using the IEEE 15 bus test model. The case study confirms that the overvoltage problem is solved by changing the prosumers’ power consumption pattern due to the subsidy. Therefore, the hosting capacity increases without system reinforcement and curtailment.
유사 외상 상황에서 인지적 처리 양식에 따른 주의 소실 양상
손예지(Ye Ji Son),최윤경(Yun-Kyeung Choi) 대한스트레스학회 2024 스트레스硏究 Vol.32 No.1
본 연구의 목적은 유사 외상 경험 이후 인지적 처리가 순간적 주의 소실(Attentional Blink, AB)에 미치는 영향을 확인하고자 하는 것이다. 연구 참가자는 교통사고를 직접 경험한 적이 없는 대학생 37명으로, 단일 과제(상향식 처리) 집단과 이중 과제(하향식 처리) 집단 중 하나에 무선 할당되어 신속 순차 시각 제시과제를 수행하였다. 자극 유형 및 자극의 제시 간격에 따른 집단간 표적 자극의 정확반응률을 비교하였다. 그 결과, 이중 과제 집단에서 유의한 차이가 나타나지 않았으나, 단일 과제 집단에서는 외상 자극이 제시된 후 200 ms 후에 표적 자극에 대한 정확반응률이 감소하는 경향성(즉, AB 양상)이 관찰되었다. 이러한 경향성은 외상 자극에 의한 자동적 주의 포착으로 설명될 수 있으며, 상향식 처리와 주의 편향의 관련성을 시사한다. Background: This study attempted to examine the impact of each cognitive processing style (bottom-up, top-down) on attention patterns following a traumatic experience by measuring attentional blink (AB). Methods: Participants were 37 university students with no direct experience of traffic accidents. They were randomly assigned to either a single-task (bottom-up processing) group or a dual-task (top-down processing) group, who performed the Rapid Serial Visual Presentation (RSVP) after watching an analogue trauma video. The correct response rate to target stimuli was then compared between groups based on stimulus type and stimulus presentation interval. Results: In the dual-task group, no significant differences were found. However, in the single-task group, a trend towards a decrease in the correct response rate to the target stimulus was observed 200 ms after the presentation of the traumatic stimulus (i.e., AB). Conclusions: This tendency can be explained by the phenomenon of automatic attentional capture by traumatic stimuli, suggesting a relationship between bottom-up processing and attentional bias.
HVPE 방법으로 성장된 알파-갈륨 옥사이드의 전처리 공정에 따른 특성 변화
최예지,손호기,라용호,이영진,김진호,황종희,김선욱,임태영,전대우,Choi, Ye-ji,Son, Hoki,Ra, Yong-Ho,Lee, Young-Jin,Kim, Jin-Ho,Hwang, Jonghee,Kim, Sun Woog,Lim, Tae-Young,Jeon, Dae-Woo 한국전기전자재료학회 2019 전기전자재료학회논문지 Vol.32 No.5
In this study, we report the effect of pre-treatment of alpha-$Ga_2O_3$ grown on a sapphire substrate by halide vapor phase epitaxy (HVPE). During the pre-treatment process, 10 sccm of GaCl gas was injected to the sapphire substrate at $470^{\circ}C$. The surface morphologies of the alpha-$Ga_2O_3$ layers grown with various pre-treatment time (3, 5, and 10 min) were flat and crack-free. The transmittance of the alpha-$Ga_2O_3$ epi-layers was measured to analyze their optical properties. The transmittance was over 80% within the range of visible light. The strain in the alpha-$Ga_2O_3$ grown with a pre-treat 5 min was measured, and was found to be close to the theoretical XRD peak position. This can be explained by the reduction of strain having caused a lattice mismatch between the alpha-$Ga_2O_3$ layer and sapphire substrate. The calculated dislocation density of the screw and edge were $2.5{\times}10^5cm^{-2}$ and $8.8{\times}10^9cm^{-2}$, respectively.
HVPE 방법으로 성장된 alpha-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>의 특성에 대한 VI/III ratio 변화 효과
손호기,최예지,이영진,이미재,김진호,김선욱,라용호,임태영,황종희,전대우,Son, Hoki,Choi, Ye-Ji,Lee, Young-Jin,Lee, Mi-Jai,Kim, Jin-Ho,Kim, Sun Woog,Ra, Yong-Ho,Lim, Tae-Young,Hwang, Jonghee,Jeon, Dae-Woo 한국결정성장학회 2018 한국결정성장학회지 Vol.28 No.3
본 연구에서는 HVPE 성장법을 이용하여 사파이어 기판 위에 알파 갈륨옥사이드를 성장시키며 VI/III 비의 변화에 따른 효과를 확인하였다. 성장된 알파 갈륨옥사이드의 표면은 평평하고 crack 없이 성장되었다. 성장된 갈륨옥사이드의 광학적 특성을 분석하기 위해 투과율을 측정하고 광학 밴드갭을 얻었다. 광학 밴드갭은 약 5.0 eV로 나타났고 VI/III 비가 증가함에 따라 비례하여 증가하는 결과를 보여주었다. 이론적 광학 밴드갭에 가장 근접한 VI/III 비가 23인 조건에서 성장된 알파 갈륨옥사이드의 결정성을 확인하기 위해 HR-XRD를 이용하여 FWHM을 측정하였고 이를 바탕으로 전위밀도를 계산하였을 때 나선형 전위밀도는 $1.5{\times}10^7cm^{-2}$, 칼날 전위 밀도는 $5.4{\times}10^9cm^{-2}$로 계산되었다. In this study, we report the effect of VI/III ratio on ${\alpha}-Ga_2O_3$ epilayer on sapphire substrate by halide vapor phase epitaxy. The surface of ${\alpha}-Ga_2O_3$ epilayer grown with various VI/III ratios was flat and crack-free. To analyze the optical properties of the ${\alpha}-Ga_2O_3$ epilayers, the transmittance and an optical band gap were measured. The optical band gap was shown to be around 5 eV and showed a proportional increase in VI/III ratios. To determine the crystal quality of alpha gallium oxide grown with a ratio of 23, closed to the theoretical optical band gap, the FWHM was measured by HR-XRD. The calculated dislocation density of screw and edge were $1.5{\times}10^7cm^{-2}$ and $5.4{\times}10^9cm^{-2}$, respectively.
원뿔 형태의 patterned sapphire substrate 위에 성장한 α-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>의 특성분석
손호기,최예지,이영진,김진호,김선욱,라용호,임태영,황종희,전대우,Son, Hoki,Choi, Ye-Ji,Lee, Young-Jin,Kim, Jin-Ho,Kim, Sun Woog,Ra, Yong-Ho,Lim, Tae-Young,Hwang, Jonghee,Jeon, Dae-Woo 한국결정성장학회 2019 韓國結晶成長學會誌 Vol.29 No.4
본 연구에서는 halide vapor phase epitaxy 성장법을 이용하여 원뿔 형태의 패턴이 주기적으로 형성된 patterned sapphire substrate(PSS) 위에 ${\alpha}-Ga_2O_3$를 성장하고 그 특성에 변화에 대해 분석하였다. PSS의 패턴의 유무에 따른 영향을 알아보기 위해 c-plane 사파이어 기판과 원뿔의 크기가 다른 두 개의 PSS 위에 ${\alpha}-Ga_2O_3$를 성장하여 비교 분석하였다. 또한 PSS 위에 성장된 ${\alpha}-Ga_2O_3$의 성장과정을 알아보기 위해 점차 성장 시간을 증가해가며 관찰하였고 성장 온도를 $470-550^{\circ}C$까지 변화해가며 성장하였다. 이를 통해 원뿔 형태의 패턴이 형성된 PSS 위에서의 최적 성장 조건과 그 성장 mechanism에 대해 분석이 가능하였고 그 결과로 성장과정에서 발생하는 수평 성장에 의해 ${\alpha}-Ga_2O_3$의 비대칭면인 (10-14) 반치폭 값을 크게 감소시킬 수 있었다. In this study, we demonstrated a characterization of ${\alpha}-Ga_2O_3$ grown on a cone-shape patterned sapphire substrate by using the halide vapor phase epitaxy. An ${\alpha}-Ga_2O_3$ was grown on different size of PSS and c-plane sapphire substrate for comparison to confirm the effect of PSS. In addition, growth time of ${\alpha}-Ga_2O_3$ was gradually increased to confirm growth mechanism of ${\alpha}-Ga_2O_3$ grown on the PSS. A growth temperature was changed to $470-550^{\circ}C$. It can be analyzed growth conditions and mechanisms on the cone-shape PSS, resulting in a significant decrease in the FWHM value of an asymmetric plane (10-14) of ${\alpha}-Ga_2O_3$, due to lateral growth that occurs during the growth process.