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- 저자 : 손대호(Dae-Ho Son) (검색결과 9 건)
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쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 구조를 적용한 실리콘 나노점 부유 게이트 비휘발성 메모리 특성
손대호,김은겸,김정호,이경수,임태경,안승만,원성환,석중현,홍완식,김태엽,장문규,박경완,Son, Dae-Ho,Kim, Eun-Kyeom,Kim, Jeong-Ho,Lee, Kyung-Su,Yim, Tae-Kyung,An, Seung-Man,Won, Sung-Hwan,Sok, Jung-Hyun,Hong, Wan-Shick,Kim, Tae-You,Jang, Moo 한국진공학회 2009 Applied Science and Convergence Technology Vol.18 No.4
쇼트키 장벽 관통 트랜지스터에 실리콘 나노점을 부유 게이트로 사용하는 비휘발성 메모리 소자를 제작하였다. 소스/드레인 영역에 어븀 실리사이드를 형성하여 쇼트키 장벽을 생성하였으며, 디지털 가스 주입의 저압 화학 기상 증착법으로 실리콘 나노점을 형성하여 부유 게이트로 이용하였다. 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터의 동작 상태를 확인하였으며, 게이트 전압의 크기 및 걸어준 시간에 따른 트랜지스터의 문턱전압의 이동을 관찰함으로써 비휘발성 메모리 특성을 측정하였다. 초기 ${\pm}20\;V$의 쓰기/지우기 동작에 따른 메모리 창의 크기는 ${\sim}5\;V$ 이었으며, 나노점에 충분한 전하 충전을 위한 동작 시간은 10/50 msec 이었다. 그러나 메모리 창의 크기는 일정 시간이 지난 후에 0.4 V로 감소하였다. 이러한 메모리 창의 감소 원인을 어븀 확산에 따른 결과로 설명하였다. 본 메모리 소자는 비교적 안정한 쓰기/지우기 내구성을 보여주었으나, 지속적인 쓰기/지우기 동작에 따라 수 V의 문턱전압 이동과 메모리 창의 감소를 보여주었다. 본 실험 결과를 가지고 실리콘 나노점 부유게이트가 쇼트키 장벽 트랜지스터 구조에 접목 가능하여 초미세 비휘발성 메모리 소자로 개발 가능함을 확인하였다. We fabricated a Si nano floating gate memory with Schottky barrier tunneling transistor structure. The device was consisted of Schottky barriers of Er-silicide at source/drain and Si nanoclusters in the gate stack formed by LPCVD-digital gas feeding method. Transistor operations due to the Schottky barrier tunneling were observed under small gate bias < 2V. The nonvolatile memory properties were investigated by measuring the threshold voltage shift along the gate bias voltage and time. We obtained the 10/50 mseconds for write/erase times and the memory window of $\sim5V$ under ${\pm}20\;V$ write/erase voltages. However, the memory window decreased to 0.4V after 104seconds, which was attributed to the Er-related defects in the tunneling oxide layer. Good write/erase endurance was maintained until $10^3$ write/erase times. However, the threshold voltages moved upward, and the memory window became small after more write/erase operations. Defects in the LPCVD control oxide were discussed for the endurance results. The experimental results point to the possibility of a Si nano floating gate memory with Schottky barrier tunneling transistor structure for Si nanoscale nonvolatile memory device.
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손대호(Dae Ho Son),이정흔(Jeng Heun Lee),이명선(Mung Sun Lee),현광석(Kwang Seok Hyun),조병준(Byung Jun Cho) 한국사회체육학회 2011 한국사회체육학회지 Vol.0 No.45
The purpose of this study was to analyze and compare the feature of sports injuries of high school students and to provide the basic information for prevention of sports injuries. A total of 140 questionnaires were distributed to high school students currently registered as players in Korea Association of Athletics Federations. Each questionnaires consisted of the cause and occurrence of sports injuries, injury type, and the location of the body that the injury affected. Chi square analysis was conducted using SPSS 18.0 for windows. The results indicated that regardless of gender, event, and career, overtraining was the most important cause of sports injuries in high school athletics. Sprinters, Jumpers, and middle distance runners suffered injuries most frequently in the lower extremities compared to wight throwers who mostly injured the upper extremities due to event specific differences. Women mostly experienced the injuries in workouts; whereas men tended to sustain injuries in practices and games. The most frequently experienced injures were sprains regardless of gender, events, and career. Finally, more experienced players tended to sustain injuries during practices and games, while less experienced players were more likely to become injured in workouts. All sports need a certain level of physical fitness and technique, so participants will always be exposed to the risk of the injuries. Because sports injuries affect both athletes` performance and daily life, athletes and couches should recognize the importance of the proper prevention and treatment of the sports injuries.
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국내 사육 유우군의 마이코플라스마균 유방감염에 관한 연구
한홍율,황철용,손대호,김미경,유종현,박선일,오태호,Han, Hong-ryul,Hwang, Cheol-yong,Sohn, Dae-ho,Kim, Mi-kyung,Ryu, Jong-hyun,Pak, Son-il,Oh, Tae-ho 대한수의학회 2000 大韓獸醫學會誌 Vol.40 No.3
This study was performed to investigate Mycoplasma (M) spp. infection status of dairy cow in South Korea. Among 8,485 bulk tank milk collected from dairy farms of the 5 areas, 26 samples (0.30%) were positive for Mycoplasma by direct culture method. The isolation rates of Mycoplasma spp. according to the areas were 0.51% in Kyonggi, 0.16% in Cholla, 0.23% in Gyoungsang, 0.12% in Chungchong, and 0.08% in Kangwon. In the species identification test by indirect immunoperoxidase test, 16 out of 26 isolates were identified as M bovis (61.53%), M bovigenitalium (23.07%), M californicum (7.69%), M alkalescens and Acholeplasma laidlawii (3.84%), respectively. The isolation rate of Mycoplasma spp. from 208 quarter milk samples in culling cows due to severe clinical mastitis was 3.0%. These Mycoplasma spp. were identified as M bovis (62.0%), M bovigenitalium (12.0%), M californicaum (12.0%), and M alkalescens (12.0%). This study shows that the bovine mammary gland infected by Mycoplasma spp. is present in some dairy farms and the routine culture test of bulk tank milk samples for Mycoplasma is needed for a high quality milk promotion services.
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월정사 단기출가 프로그램 참여 연구 : 일반인을 중심으로
손강숙 ( Shon Kang Suk ),조재성 ( Cho Jae Sung(Ji Il) ),정소미 ( Jeong So Mi ) 한국명상심리상담학회 2021 명상심리상담 Vol.26 No.-
본 연구는 중년기 위기를 경험하고 내·외적 변화에 처한 사람들의 단기출가 경험에 대해 탐색하는 것을 목적으로 하였다. 연구문제는 다음과 같다. 첫째, 중년의 단기출가의 동기는 무엇인가?, 둘째, 중년의 단기출가경험을 통한 변화 요인은 무엇인가?, 셋째, 단기출가를 통한 변화경험을 현재 일상생활에서 어떻게 활용하고 있는가?였다. 이를 위하여 단기출가 경험이 있는 40대~60대 중년 12명을 대상으로 반구조화된 인터뷰를 실시하고 합의에 의한 질적 분석의 방법으로 분석하였다. 연구의 결과는 다음과 같다. 첫째, 중년의 단기출가 동기를 살펴본 결과, 인지적인 측면과 정서적인 측면의 2개 영역이 도출되었다. 인지적인 측면 영역에서 ‘나는 누구인가?’라는 실존에 대한 질문, ‘나’라는 사람에 대한 객관적인 인식 2개 범주가 도출되었다. 둘째, 단기출가 경험이 자신을 변화하게 한 요인이 무엇이었는지를 탐색한 결과, 자기를 경험, 진정성을 경험의 2개 영역이 도출되었다. 자기를 경험 영역에서 ‘나’를 만난시간, ‘나’에 대한 반성과 성찰 2개 범주가 도출되었다. 진정성을 경험 영역에서 부처님을 닮고 싶은 마음, 스님을 닮고 싶은 마음, 도반을 닮고 싶은 마음 3개 범주가 도출되었다. 셋째, 단기출가 경험이 현재 일상생활에서 어떻게 활용되고 있는지를 탐색한 결과, 앞으로 삶의 새로운 방향 발견, 사회 환경과의 관계 변화의 2개 영역이 도출되었다. 본 연구를 통해서 도출된 결과는 추후 중년을 대상으로 한 단기출가 프로그램을 구성함에 있어서 고려해야 할 사항들에 대한 기초자료를 제공할 수 있을 것으로 기대한다. The purpose of this study was to explore the short-term export experience of people who experienced the middle-aged crisis and faced internal and external changes. For this purpose, semi-structured interviews were conducted with 12 middle-aged people in their 40s and 60s who had the Short-term Entering the Buddhist Priesthood experience and analyzed by a consensual qualitative analysis method. The results of the study are as follows. First, as a result of examining the motives for the Short-term Entering the Buddhist Priesthood among middle-aged people, two domains, cognitive and emotional, were derived. In the cognitive aspect, two categories were derived: the question of existence, ‘Who am I? and ‘objective awareness of ‘me’. Second, as a result of examining the factors that caused the short-term homework experience to change, two domains were derived: 'experience self and experience authenticity'. In the domain of 'experience self', two categories were derived: the time I met the ‘I’ and the reflection on ‘I’. Third, as a result of exploring how the Short-term Entering the Buddhist Priesthood experiences are currently being used in daily life, two domains were derived: discovery of a new direction of life in the future, and change of relationship with social environment. The results of this study will be the basic data for the composition of temple stays for middle-aged women.
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강진규 ( Jin-kyu Kang ),손대호 ( Dae-ho Son ),심준형 ( Jun-hyoung Sim ),황대규 ( Dae-kue Hwang ),성시준 ( Shi-joon Sung ),양기정 ( Kee-jeong Yang ),김대환 ( Dae-hwan Kim ) 한국공업화학회 2017 공업화학전망 Vol.20 No.2
태양전지는 온실 가스 감축에 효과가 큰 기후 변화 대응 기술이다. 현재 상업화에 성공한 실리콘 태양전지의 뒤를 이어 박막 태양전지, 페로브스카이트 태양전지 등 차세대 태양전지가 가격과 효율 등을 극복하기 위하여 매우 많이 연구되고 있다. CZT(S,Se) 박막 태양전지는 차세대 태양전지의 유력 후보군인 CIGS, CdTe, 페로브스카이트 태양전지 등에 비해 범용 무독성 원소를 광흡수층으로 사용한다는 장점을 가지고 있지만 아직까지는 이들보다 효율이 낮아 상용화하기에는 많은 문제를 가지고 있다. CZT(S,Se) 박막태양전지의 기본적인 물성, 공정 등을 알아보고 고효율을 달성하는 방법에 대하여 알아보고자 한다.
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Zn(O<sub>x</sub>,S<sub>1-x</sub>) 버퍼층 적용을 통한 Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub> 태양전지 특성 향상
양기정 ( Kee-jeong Yang ),심준형 ( Jun-hyoung Sim ),손대호 ( Dae-ho Son ),이상주 ( Sang-ju Lee ),김영일 ( Young-ill Kim ),윤도영 ( Do-young Yoon ) 한국화학공학회 2017 Korean Chemical Engineering Research(HWAHAK KONGHA Vol.55 No.1
본 실험에서는 Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>(CZTS) 태양전지의 흡수층 상부에 다양한 조성을 갖는 Zn(O<sub>x</sub>,S<sub>1-x</sub>) 버퍼층을 적용하여 특성 변화를 살펴보았다. Zn(O<sub>0.76</sub>,S<sub>0.24</sub>), Zn(O<sub>0.56</sub>, S<sub>0.44</sub>), Zn(O<sub>0.33</sub>,S<sub>0.67</sub>) 그리고 Zn(O<sub>0.17</sub>,S<sub>0.83</sub>)의 4가지 단일막의 경우, 전자-정공의 재결합 억제에 유리한 밴드갭 구조를 나타내는 Zn(O<sub>0.76</sub>,S<sub>0.24</sub>) 버퍼층을 소자에 적용했다. Zn(O<sub>0.76</sub>,S<sub>0.24</sub>) 버퍼층을 소자에 적용 시, 흡수층으로부터 S가 버퍼층으로 확산되어 소자 내에서의 버퍼층은 Zn(O<sub>0.7</sub>,S<sub>0.3</sub>)의 조성을 나타냈다. CdS 버퍼층의 EV보다 낮은 에너지 준위를 갖는 Zn(O<sub>0.7</sub>,S<sub>0.3</sub>) 버퍼층은 전자-정공 재결합을 효과적으로 억제하기때문에 CZTS 태양전지의 J<sub>SC</sub>와 V<sub>OC</sub> 특성을 향상시켰다. 이를 통해 CdS 버퍼층이 적용된 CZTS 태양전지의 효율인2.75%가 Zn(O<sub>0.7</sub>,S<sub>0.3</sub>) 버퍼층 적용을 통해 4.86%로 향상되었다. This experiment investigated characteristic changes in a Cu<sub>2</sub>ZnSnS<sub>4</sub>(CZTS) solar cell by applying a Zn (O<sub>x</sub>,S<sub>1-x</sub>) butter layer with various compositions on the upper side of the absorber layer. Among the four single layers such as Zn(O<sub>0.76</sub>,S<sub>0.24</sub>), Zn(O<sub>0.56</sub>, S<sub>0.44</sub>), Zn(O<sub>0.33</sub>,S<sub>0.67</sub>), and Zn(O<sub>0.17</sub>,S<sub>0.83</sub>), the Zn(O<sub>0.76</sub>,S<sub>0.24</sub>) buffer layer was applied to the device due to its bandgap structure for suppressing electron-hole recombination. In the application of the Zn(O<sub>0.76</sub>,S<sub>0.24</sub>) buffer layer to the device, the buffer layer in the device showed the composition of Zn(O<sub>0.7</sub>,S<sub>0.3</sub>) because S diffused into the buffer layer from the absorber layer. The Zn(O<sub>0.7</sub>,S<sub>0.3</sub>) buffer layer, having a lower energy level (E<sub>V</sub>) than a CdS buffer layer, improved the J<sub>SC</sub> and V<sub>OC</sub> characteristics of the CZTS solar cell because the Zn(O<sub>0.7</sub>,S<sub>0.3</sub>) buffer layer effectively suppressed electron-hole recombination. A substitution of the CdS buffer layer by the Zn(O<sub>0.7</sub>,S<sub>0.3</sub>) buf-fer layer improved the efficiency of the CZTS solar cell from 2.75% to 4.86%.
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