http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
고경현,김주철,이충휘,Ko, Kyung-Hyun,Kim, Ju-Cheol,Yi, Chung-Hwi 대한물리치료과학회 1994 대한물리치료과학회지 Vol.1 No.1
The purpose of this study was to determine whether vasodilation occurs when interferential current is applied to the cervical sympathetic chain and peripheral sympathetic nerves. A digital thermometer was used to record skin temperature change. The protocols used for interferential stimulation were 90-100 Hz, applied for 20 minutes via two pairs of electrodes 1) to the throat and 2) to the forearm. Forty subjects were stimulated at each of the two sites. There was no significant correlation between inital skin temperature, sex or age and temperature change. Even though there was a statistically significant temperature increase with cervical sympathetic chain stimulation, this had no clinical vasodilatory effect. More research on interferential current stimulation is needed so that the potential benefits to normal subjects and patients is better understood.
Ti(C, N) 피막의 내마모 특성에 대한 조성의 영향
고경현,안재환,배종수,정형식,Go, Gyeong-Hyeon,An, Jae-Hwan,Bae, Jong-Su,Jeong, Hyeong-Sik 한국재료학회 1995 한국재료학회지 Vol.5 No.8
반응 가스 분압의 조절에 의한 HCD식 이온 도금 법으로 다양한 조성의 Ti(C, N) 경질 피막을 ASP30 공구강에 도금하였고 이 피막의 내마모성에 대한 조성의 영향을 경도, 밀착력 및 마모기구의 변화 등의 관점에서 고찰하였다. 경도는 질소나 탄소와 같은 비금속 성분량의 증가에 비례하지만 탄소함유량의 중가는 밀착력을 오히려 감소시켰다. 이 경향은 피막 밀도가 비교적 작은 정략적비 이하인 구간([C+N]/Ti<1)에서 보다 그 이상인 조성에서 영향이 뚜렷하였다. 따라서 피막의 내마모 특성은 높은 경도를 유지할 수 있는 ([C+N]/Ti>1)인 구역 내에서 밀착력 저하에 의한 adhesive 형태로의 마모 기구 변이를 억제할 수 있는 저 탄소 조성을 가질 때 최대로 된다. Hard Ti(C, N) layers of various compositions were coated on ASP30 tool steel employing a reactive HCD ion plating technique. The effect of film composition on the wear characteristics were investigated in lights of hardness, adhesion and wear mechanism. With an increase in the amount of nonmetallic component(N, C), the hardness of films increased, but the increase in carbon content resulted in poor adhesion. Within the concentration range of ([C+N]/Ti<1), these trends became mute clear than in the concentration below stoichiometry. Therefore, the wear resistance could be maximized when the film is deposited with the concentration of ([C+N]/Ti<1) for high microhardness and, at the same time, with the low carbon contents not to wear out in adhesive mode.
고경현,안재환 한국세라믹학회 1991 한국세라믹학회지 Vol.28 No.2
LEC법으로 성장된 GaAs의intrinsic defect에 의해서 형성된electron 및 hole trap의 농도와 성장시의 melt stoichiometry 와의 정량적 상관 관계를 DLTS법을 이용하여 분석하였다. EL2는 melt중 As의 분을 ([As]/{[As]+[Ga]})이 1.5에서 0.42까지 변하면 그 농도가 $10^{16}cm^{-3}$에서 $10^{11}cm^{-3}$정도로 감소되며, 이때 분율이 0.46 이하에서는 그 이상에서보다 As의 감소에 따라 급격히 감소하였다. 68meV 및 77/220meV의 경우는 As의 분율이 감소하면 증가하여 각각 $10^{15}cm^{-3}$ 및 $10^{14}cm^{-3}$ 정도의 농도를 가진다. 따라서 이 trap들은$GS^{AS}$와 관련된 defect들에 의해서 형성되었음을 알 수 있다. The effects of the melt stoichiometry on the concentration of electron and hole traps formed by intrinsic defects of LEC GaAs were studied employing DLTS measurement technique. The concentration of EL2 were varied from $10^{16}cm^{-3}$ to $10^{11}cm^{-3}$ when the arsenic atomic fraction in the melt ([As]/{[As]+[Ga]} varied from 0.5 to 0.42. Specifically, when the fraction falls below 0.46, the 띠2 concentration start to decrease sharply. For 68meV and 77/200meV traps, their concentration increase inversely with the arsenic atomic fraction and have the values in the range of $10^{15}cm^{-3}$ and $10^{14}cm^{-3}$, respectively. It is, therefore, concluded that these hole traps originated from the intrinsic acceptor defects including $GS^{AS}$.