http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
기상인자와 관련한 소나무와 리기다소나무재의 천연건조 함수율감량 추정
이남호,정희석,한규성 한국목재공학회 1986 목재공학 Vol.14 No.6
This study was performed to develop the proper equations related to meteorological variables for estimating the weekly moisture content losses of air-drying for 2.5㎝ and 5㎝ Korean red pine and pitch pine. The equations developed were as follows. For 2.5㎝ Korean red pine : MC LOSS=-12.660-1-0.529MC+0.170TEMP+1.444WIND--0.078PRECIP For 5㎝ Korean red pine : MC LOSS=-6.478+0.333MC+0.230TEMP+1.465WIND-0.078PRECIP-0.044RH For 2.5㎝ pitch pine : MC LOSS=-30.421+0.511MC+0.115TEMP-0.199PPECIP+0.226RH+-2.853WIND For 5㎝ pitch pine : MC LOSS=-8.150+0.302MC+0.457TEMP+2.220WIND-0.123PRECIP-0.061RH Using these equations and historical meteorological data, air-drying calendars were developed. By the use of the air-drying calendars, industrial air-dying managers have a too to assist in :answering the question of when to move air-dried lumber into the kiln far a cost-efficient operation.
실리콘 에피-웨이퍼 기반의 펄스감마선 검출센서 최적화 연구
이남호,황영관,정상훈,김종열,조영,Lee, Nam-Ho,Hwang, Young-Gwan,Jeong, Sang-Hun,Kim, Jong-Yeol,Cho, Young 한국정보통신학회 2014 한국정보통신학회논문지 Vol.18 No.7
본 연구에서는 전자장비 내방사화 기술의 새로운 효율적 접근방법인 전원제어형 방호장치에서 핵심 기능을 수행하는 고속 반도체 센서를 개발하고 그 특성을 분석하였다. 먼저, 펄스방사선에 의한 다이오드 내부에서의 생성 전하를 계산한 후 TCAD로 모델링하여 $42{\mu}m$ 진성층의 실리콘 에피텍시 웨이퍼 기반의 고속 신호탐지용 PIN 다이오드 센서를 다양한 구조로 설계하였다. PAL의 Test LINAC의 전자빔 변환 감마방사선 4.88E8 rad(Si)/sec에 대한 실측시험에서 소자의 면적에 비례하는 광감도와 응답속도 증가 결과를 얻었으며 포화특성과 소자의 균일성을 기준으로 2mm직경의 센서를 최적으로 판단되었다. 선정 센서를 대상으로 한 펄스감마선 고출력 범위(2.47E8 rad(Si)/sec~6.21E8 rad(Si)/sec)로 선량률 가변시험에서는 개발한 소자가 시험장치의 고 선량률 영역에서 전원제어 신호처리에 충분한 60mA 이상의 광전류 피크값과 함께 350 ns 이하의 고속 응답특성을 가지는 선형적 센서임을 확인하였다. In this paper, we designed and fabricated a high-speed semiconductor sensor for use in power control devices and analyzed the characteristics with pulsed radiation tests. At first, radiation sensitive circular Si PIN diodes with various diameters(0.1 mm ~5.0 mm) were designed and fabricated using Si epitaxial wafer, which has a $42{\mu}m$ thick intrinsic layer. The reverse leakage current of the diode with a radius of 2 mm at a reverse bias of 30 V was about 20.4 nA. To investigate the characteristic responses of the developed diodes, the pulsed gamma-radiation tests were performed with the intensity of 4.88E8 rad(Si)/sec. From the test results showing that the output currents and the rising speeds have a linear relationship with the area of the sensors, we decided that the optimal condition took place at a 2 mm diameter. Next, for the selected 2 mm diodes, dose rate tests with a range of 2.47E8 rad(Si)/sec to 6.21E8 rad(Si)/sec were performed. From the results, which showed linear characteristics with the radiation intensity, a large amount of photocurrent over 60mA, and a high speed response under 350ns without saturation, we can conclude that the our developed PIN diode can be a good candidate for the sensor of power control devices.