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- 저자 : 장성환(S.H.Jang) (검색결과 20 건)
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HVPE 후막 a-plane GaN 결정의 성장과 특성
이충현,황선령,김경화,장근숙,전헌수,안형수,양민,배종성,김석환,장성환,이수민,박길한,Lee, C.H.,Hwang, S.L.,Kim, K.H.,Jang, K.S.,Jeon, H.S.,Ahn, H.S.,Yang, M.,Bae, J.S.,Kim, S.W.,Jang, S.H.,Lee, S.M.,Park, G.H.,Koike, M. 한국결정성장학회 2007 한국결정성장학회지 Vol.17 No.1
본 연구에서는 HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 방법으로 r-plane 사파이어 기판 위에 무극성의 (11-20) a-plane GaN을 성장하여 구조적인 특성을 관찰하였다. HVPE 방법으로 저온($500/550/600/660^{\circ}C$)에서 성장한 AIN 버퍼층이 고온의 a-GaN에 미치는 영향을 확인하였다. 또한, AIN 버퍼층과의 비교를 위하여 저온에서 성장한 GaN 버퍼층과 InGaN 버퍼층 같은 다양한 버퍼층을 이용하여 a-plane GaN의 성장도 실시하였다. 고온에서 성장된 a-GaN의 구조적 형상은 저온버퍼층의 성장 조건에 크게 영향을 받음을 알 수 있었다. $GaCl_3$ 전 처리를 실시하고 $820^{\circ}C$에서 성장한 경우에 가장 평탄한 표면을 가지는 a-GaN을 얻을 수 있었다. The structural and morphological properties of planar, nonpolar (11-20) a-plane GaN layers grown by hydride vapor phase epitaxy on (1-102) r-plan sapphire substrates are characterized. We report on the effect of low temperature ($500/550/600/660^{\circ}C$) AIN buffer layers on the structural properties of HVPE grown a-GaN kayers. and for the comparison, low temperature GaN and InGaN buffer layers are also tried for the growth of a-plane GaN layers. The structural geometry of a-GaN layers is severely affected on the growth condition of low temperature buffer layers. The most planar a-GaN could be obtained with $GaCl_3$ pretreatment at the growth temperature of $820^{\circ}C$.
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R-plane 사파이어 기판위의 GaN/InGaN 이종접합구조의 HVPE 성장
전헌수,황선령,김경화,장근숙,이충현,양민,안형수,김석환,장성환,이수민,박길한,Jeon, H.S.,Hwang, S.L.,Kim, K.H.,Jang, K.S.,Lee, C.H.,Yang, M.,Ahn, H.S.,Kim, S.W.,Jang, S.H.,Lee, S.M.,Park, G.H.,Koike, M. 한국결정성장학회 2007 한국결정성장학회지 Vol.17 No.1
R-plane 사파이어 위에 a-plane GaN층이 성장된 기판에 혼합소스 HVPE(mixed-source hydride vapor phase epitaxy) 방법으로 GaN/InGaN의 이종접합구조(heterostructure)를 구현하였다. GaN/InGaN 이종접합구조는 GaN, InGaN, Mg-doped GaN 층으로 구성되어 있다. 각 층의 성장온도는 GaN층은 $820^{\circ}C$, InGaN 층은 $850^{\circ}C$, Mg-doped GaN 층은 $1050^{\circ}C$에서 성장하였다. 이때의 $NH_3$와 HCl 가스의 유량은 각각 500 sccm, 10 sccm 이었다. SAG-GaN/InGaN 이종접합구조의 상온 EL (electroluminescence) 특성은 중심파장은 462 nm, 반치폭(FWHM : full width at half maximum) 은 0.67eV 이었다. 이 결과로부터 r-plane 사파이어 기판위에 multi-sliding boat system의 혼합소스 HVPE 방법으로 이종접합구조의 성장이 가능함을 확인하였다. The a-plane GaN layer on r-plane $Al_2O_3$ substrate is grown by mixed-source hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The GaN/InGaN heterostructure is performed by selective area growth (SAG) method. The heterostructure consists of a flown over mixed-sourec are used as gallium (or indium) and nitrogen sources. The gas flow rates of HCl and $NH_3$ are maintained at 10 sccm and 500 sccm, respectively. The temperatures of GaN source zone is $650^{\circ}C$. In case of InGaN, the temperature of source zone is $900^{\circ}C$. The grown temperatures of GaN and InGaN layer are $820^{\circ}C\;and\;850^{\circ}C$, respectively. The EL (electroluminescence) peak of GaN/InGaN heterostructure is at nearly 460 nm and the FWHM (full width at half maximum) is 0.67 eV. These results are demonstrated that the heterostructure of III-nitrides on r-plane sapphire can be successfully grown by mixed-source HVPE with multi-sliding boat system.
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조성학(S.H. Cho),박정규(J.K. Park),유재용(J.Y. Yu),박종권(J.K. Park),최지연(J.Y. Choi),김재구(J.G. Kim),장원석(W.S. Jang),황경현(K.H. Whang),장성환(S.H. Chang),전은채(E.C. Jeon),고지수지오카(Koji Sugioka),홍종욱(Jong Wook Hong),허원하(Own Ha 한국생산제조학회 2011 한국생산제조시스템학회 학술발표대회 논문집 Vol.2011 No.4
선박엔진용 크랭크샤프트는 기술적인 측면과 가격적인 측면에서 선박엔진의 핵심부품이며, 특히 대형선박용을 제작하는 데에 있어 크기의 제약으로 인해 중소형크랭크샤프트처럼 일체형 제작이 불가능하게 되어 여러 개의 단품들의 열 박음에 의한 조립공정에 의해 완성품 형태의 형상을 갖추게 되는데 그 크기가 지름3.5m, 길이10m, 무게100톤에 달하는 대형 공작물이 된다. 이 복잡한 형상을 갖는 제품을 가공하기 위해 기본적인 선삭 장비에 특수한 핀 터닝 장치를 부가한 크랭크샤프트 가공기의 개발이 필요하게 되었으며, 이 가공기의 핵심원천기술로는 저널 부 선삭을 하기 위한 주축대와 핀 부를 공구를 회전시켜 선삭할 수 있는 핀 터닝장치이다. 이 핵심요소들은 크기가 크면서도, 높은 강성과 정밀도가 요구되며, 이를 개발하기 위해서는 주축대 본체, 스핀들, 핀 터닝장치 본체, Revolving Ring과 같은 대형의 핵심부품들에 대해 최적공정설계, 가공치공구제작, 가공기술 개발, 정밀맞춤가공용 지그설계, 측정장치 및 방법 개발 등을 통한 고정밀도 가공을 수행할 수 있어야 한다.
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플레이너를 이용한 고 세장비 마이크로 사각채널가공에서 공정방법이 구조물 변형에 미치는 영향분석
박언석(E. S. PARK),최두선(D. S. CHOI),장성환(S. H. JANG),이응숙(E. S. LEE),제태진(T. J. JE) 한국생산제조학회 2011 한국생산제조시스템학회 학술발표대회 논문집 Vol.2011 No.4
Recently, machining technology of micro channel structure is applied to display, energy, optical communication and LED in the industry field. These products are required miniature of micro channels and high aspect ratio in order to increase performance and efficient but aspect ratio is so increased and thin that deformation of micro structures cause. This paper present that deformation of high aspect ratio micro structure is prevented by using three machining methods.
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박용디젤기관용 SCR 시스템의 NOx 정화율에 관한 연구
최재성(J.S.Choi),조권희(K.H.Cho),이재현(J.H.Lee),이진욱(J.W.Lee),장성환(S.H.Jang),김정곤(J.G.Kim),양희성(H.S.Yang),고준호(J.H.Ko),박준영(K.Y.Park) 한국마린엔지니어링학회 2003 한국마린엔지니어링학회 학술대회 논문집 Vol.2003 No.-
A diesel engine is utilized widely for industry and shipping because of its efficiency. However, diesel engine emits relatively high concentrated air pollution matters, which will become a competitive factor in the shipping as well as industry. In fact, the regulation has been already implemented from the year 2000. Nitrogen oxides (NOx) in particular is the main part of the regulation. IMO NOx levels are generally possible to meet by means of primary on-engine measures so called IMO tuning. But further significant follow-on reductions are likely to require a secondary after-treatment technique.<br/> SCR technology is used almost exclusively for NOx removal in stationary combustion systems. SCR system is currently the only available technology proven at full scale to meet the 90% NOx reduction levels. Accordingly, the use of an SCR system on board ship maybe provides the solution to minimize this primary pollutant without increasing fuel consumption.<br/> In order to develop a practical SCR system for marine application on board ship, a primary SCR system using urea was made. The SCR system was set up on the ship, HANNARA as a test vessel, employed a two-stroke cycle diesel engine as main propulsion, which is a training ship in KMU (Korea Maritime Univ.). The purpose of this paper is to report the results about the basic effects of the above system parameters which is investigated from practical application through its trial use. The preliminary results are presented that the degree of NOx removal depends on some parameters. such as the amount of urea solution added, space velocity, reaction gas temperature and activity of catalyst.<br/>
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