학교모래놀이 집단상담이 초등학교 저학년의 정서·행동 문제에 미치는 효과

이명복(Myoung-Bok Lee),김은정(Eun-Jung Kim) (사)한국학교공공모래놀이학회 2020 학교상담 및 모래놀이 Vol.2 No.1

본 연구에서는 초등학교 저학년의 아동을 대상으로 학교모래놀이 집단상담을 실시하고 정서·행동문제에 미치는 효과를 알아보았다. 연구대상은 천안시 소재 C초등학교 2학년 19명이었으며 단일집단 설계로 실험집단을 구성하고 2017년 9월 중반부터 12월 초까지 12주 동안 주 1회, 회기 당 40분씩, 총 10회기의 프로그램을 실시하였다. 효과 검증을 위해 한국청소년자기행동평가척도(K-YSR)를 사용하여 사전-사후 검사를 실시하였다. 수집된 자료는 SPSS 18.0을 이용하여 모수 검정 대응 표본 t-test를 실시하였다. 분석결과, 모래놀이 시행 후 Baseline에 비해 문제행동총점이 통계적으로 유의한 차이를 보였고, 문제행동 총점 중에서 내재화의 신체증상과 소척도 사고문제에서 통계적으로 유의한 차이를 보였다. 이러한 결과는 학교모래놀이 집단상담이 초등학교 저학년의 정서문제에서 신체증상을 개선시키고 행동문제를 감소시키는데 긍정적인 효과가 있는 것으로 추정된다. In this study, group counseling was conducted for low school children in elementary school, and the effects on emotional and behavioral problems were investigated. The subject of study was 19 students in the 2nd grade of C Elementary School in Cheonan-si and composed of a single group design and conducted a program of 10 sessions once a week, 40 minutes per session, for 12 weeks from mid-September to early December 2017. To verify the effectiveness, pre- and post-examination was conducted using the Korea Youth Self-Evaluation Scale (K-YSR). The collected data was analyzed using the SPSS 18.0 parameter test t-test, and the analysis showed that the total number of problem behaviors showed statistically significant difference compared to the baseline after sand play, and the physical symptoms of internalization among the total of problem behaviors. Socheokdo showed statistically significant differences in accident problems. These results suggest that school sand play group counseling has a positive effect on improving physical symptoms and reducing behavioral problems in elementary school s emotional problems.

소형 Si 압력센서의 제작 및 특성 평가

주병권,이명복,이정일,김형곤,강광남,오명환,Ju, Byeong-Kwon,Lee, Myoung-Bok,Lee, Jung-Il,Kim, Hyoung-Gon,Kim, Kwang-Nham,Oh, Myung-Hwan 대한전자공학회 1990 전자공학회논문지 Vol. No.

표준 Si 공정기술을 이용하여 칩의 크기가 $1.7{\times}1.7{mm^2}$인 소형 압저항형 Si 압력센서를 제작하고 그 동작 특성을 평가하였다. 제작된 센서는 크기 $1.0{\times}1.0{mm^2}$, 두께 $20{\mu}m$의 n형 Si 다이아프램상에 4개의 붕소 확산저항이 브릿지 형태로 연결된 칩 구조를 가지며 최종적으로 게이지압을 측장할 수 있도록 상온 상압하에서 패키징하였다. 이 센서의 동작특성은 상온에서 압력감도 $14.2{\mu}V/V{\cdot}mmHg$ 정격 압력범위 0~760mmHg, 최대 비선형성 $1.0{\%}$ FS로 평가되었다. On the basis of standard Si processing, the miniaturized piezoresistive-type Si pressure sensor with a chip size of $1.7{\times}1.7{mm^2}$ was fabricated and its operating characteristics were investigated. The sensor chip has a full-bridge type of 4 boron-diffused resistors which is formed on an $1.0{\times}1.0{mm^2}$ area, $20{\mu}m$ thick n-type Si diaphragm and finally, encapsulated under room temperature, 1 atm in order to measure a gauge pressure. The operating characteristics of this sensor were determined as a pressure sensitivity of $14.2{\mu}$V/VmmHg, a rated pressure range of 0~760 mmHg, and a maximum nonlinearity of $1.0{\%}$ FS at room temperature.

LDD MOSFET의 기생저항에 대한 간단한 모형

이정일,윤경식,이명복,강광남,Lee, Jung-Il,Yoon, Kyung-Sik,Lee, Myoung-Bok,Kang, Kwang-Nham 대한전자공학회 1990 전자공학회논문지 Vol. No.

본 논문에서는 LDD(lightly doped drain)구조를 갖는 짧은 채널 MOSFET에서의 기생저항의 게이트 전압 의존도에 대한 모형을 제시하였다. 게이트 전극 밑에 위치한 LDD 영역에서는 게이트 전압에 의해 준 이차원적인 축적층(quasi two-dimensional accumulation layer)이 형성된다. 소오스 측 LDD 기생저항을 축적층의 저항과 벌크 LDD 저항의 병렬 연결로 취급하였으며 별크 LDD 저항은 채널의 반전층 끝으로부터 ${n^+}$영역의 경계까지 퍼짐 저항으로 근사하였다. 그리고 접합에서의 도우핑 농도 구배가 LDD 저항에 미치는 영향이 토의하였다. 본 모형의 결과로 선형 영역에서는 LDD 저항이 게이트 전압의 증가에 따라 감소하고, 포화영역에서는 채널과 LDD에서 속도포화를 고려한 결과, 게이트 전압에 대해 준 일차적으로 증가하는 것으나 나타나 발표된 실험결과들과 일치하였다. In this paper, a simple model is presented for the gate-voltage dependence of the parasitic resistance in MOSFETs with the lightly-doped drain (LDD) structure. At the LDD region located under the gate electrode, an accumulation layer is formed due to the gate voltage. The parasitic resistance of the source side LDD in the channel is treated as a parallel combination of the resistance of the accumulation layer and that of the bulk LDD, which is approximated as a spreading resistance from the end of the channel inversion layer to the ${n^+}$/LDD junction boundary. Also the effects of doping gradients at the junction are discussed. As result of the model, the LDD resistance decreases with increasing the gate voltage at the linear regime, and increase quasi-linearly with the gate voltage at the saturation regime, considering th velocity saturation both in the channel and in the LDD region. The results are in good agreement with experimental data reported by others.

구리 전해도금을 이용한 Air-gap 변화 방식의 Tunable capacitor 제조

이재호(Jae Ho Lee),서창택(Chang Taeg Seo),이명복(Myoung Bok Lee),이종현(Jong Hyun Lee) 대한전기학회 2001 대한전기학회 학술대회 논문집 Vol.2001 No.11

플라즈마기반 표면 Texturing 공정에 따른 다결정 실리콘 웨이퍼 표면물성과 태양전지 동작특성 연구

박광묵,정지희,배소익,최시영,이명복,Park, Kwang-Mook,Jung, Jee-Hee,Bae, So-Ik,Choi, Si-Young,Lee, Myoung-Bok 한국진공학회 2011 Applied Science and Convergence Technology Vol.20 No.3

다결정 실리콘 태양전지 표면의 광흡수율을 극대화시키기 위하여 플라즈마기반의 reactive ion etching (RIE) 공정을 적용하였으며 maskless 표면 texturing조건을 최적화하여 310~1,100 nm 파장대역의 평균 표면반사율을 $4{\pm}1%$ 내외로 감소시킬 수 있는 grass-like 한 블랙실리콘을 제조할 수 있었다. Saw damage를 가진 $15.6{\times}15.6\;cm^2$ bare 웨이퍼에서부터 중요 공정단계별로 처리된 시료들의 평균반사율, 표면형상, 소수운반자 수명 등의 위치분포를 측정하여 최종 제작된 태양전지의 광전변환효율과 외부양자효율 등과 비교 검토하여 고효율 다결정 실리콘 태양전지 양산에 필요한 표면 texturing 조건들을 연구하였다. 평균 반사율을 4% 이하로 감소시키는 texturing 공정조건에서 웨이퍼 중앙에서 가장자리로 갈 수록 표면구조의 깊이 2배 반치폭 3배의 불균일성이 발생하였으며 이에 따라 입사광자의 다중반사확률이 높아져 평균반사율이 1% 정도 낮아지는 것으로 밝혀졌다. 비반사막이 코팅된 시료에서 측정된 소수운반자수명분포도 중앙에서 가장자리로 갈수록 약 40% 이상 더 긴 수명을 갖는 것으로 밝혀져 표면구조의 크기에 따른 사이즈효과가 발생하는 것으로 판단된다. 제조된 태양전지의 위치에 따른 광전변환효율도 낮은 반사율과 더 긴 소수운반자수명을 갖는 가장자리에서 2% 가량 높은 광전변환효율을 보였으며, 380~1,100nm 파장대역의 외부양자효율 측정결과도 이를 뒷받침하고 있다. 균일한 에미터 층 형성 및 ARC 증착에 있어서 구조적으로 가장자리 부분의 구조가 유리한 것으로 예상되며, 동시에 표면 구조의 사이즈 효과 때문에 표면 재결합확률이 중앙보다 가장자리에서 더 감소되어 더 높은 광전변환효율을 보이는 것으로 해석된다. Reactive ion etching (RIE) technique for maskless surface texturing of mc-silicon solar wafers has been applied and succeed in fabricating a grass-like black-silicon with an average reflectance of $4{\pm}1%$ in a wavelength range of 300~1,200 nm. In order to investigate the optimized texturing conditions for mass production of high quantum efficiency solar cell Surface characteristics such as the spatial distribution of average reflectance, micrscopic surface morphology and minority carrier lifetime were monitored for samples from saw-damaged $15.6{\times}15.6\;cm^2$ bare wafer to key-processed wafers as well as the mc-Si solar cells. We observed that RIE textured wafers reveal lower average reflectance along from center to edges by 1% and referred the origin to the non-uniform surface structures with a depth of 2 times deeper and half-maximum width of 3 times. Samples with anti-reflection coating after forming emitter layer also revealed longer minority carrier lifetime by 40% for the edge compared to wafer center due to size effects. As results, mc-Si solar cells with RIE-textured surface also revealed higher efficiency by 2% and better external quantum efficiency by 15% for edge positions with higher height.

Thin Film Effects on the Dipole Activity and Polarisation of Surface Phonons in Ionic Films on Metal Substrate

이명복,조경모 경북대학교 전자기술연구소 2001 電子技術硏究誌 Vol.22 No.2

Surface phonon spectra in ultra-thin α-Al₂O₃ films prepared on metallic substrates show excitation of modes in the frequency range of the surface dipole forbidden cu-branches according to dielectric theory of high resolution electron energy loss spectroscopy (HREELS). Qualitative comparisons were made between the calculated z-polarisation of the Fuchs-Kliewer (FK) modes based on the lattice dynamics, the dielectric theory and also semi-microscopic results for a simple NaCl lattice type thin film on metal substrate in the limit of small wave vector (k→0) appropriate to the dipolar scattering regime. The form of the primary beam energy dependence of the ω_-branch in thin α-Al₂O₃ films is similar to the lattice dynamics prediction but is of much greater intensity. While the strong k-dependence may be attributed in part to significant z-polarisation of the ω_-branch, mixing with microscopic surface modes seems most likely.

Dielectric Theory of High Resolution Electron Energy Loss Spectroscopy

이종현,이명복,이종희 경북대학교 전자기술연구소 2001 電子技術硏究誌 Vol.22 No.1

The dielectric theory (DT) of high resolution electron energy loss spectroscopy (HREELS) in the specular reflection geometry is reviewed to discuss both the characteristic feature of the HREEL spectra and how to better reproduce the experimental data. In terms of effective dielectric function of the system, a much used to calculate the vibrational spectra of the bulk and thin crystalline Al₂O₃ films on metal substrates. In order to give much mopre satisfactory explanation of some typical HREEL spectra, a theoretical model based on the Thomas-Fermi screening length is proposed and discussed.

높은 방출전류와 넓은 동작범위를 가지는 수평형 전계방출 3 극 소자의 전기적인 특성

이종현,최규만,함성호,권기록,이명복,이재훈,이정희 경북대학교 전자기술연구소 2001 電子技術硏究誌 Vol.22 No.1

Lateral-type polysilicon field emission triode W th a point of symmetrical gate was fabricated by using local oxidation of polysilicon (LOCOS) process. The fabricated device has the electrical characteristics of a low turn-on voltage of 13 and the emission anode current of 150 50tips at and open after high field activation treatment the turn-on voltage was down to 2 V and the emission current is increased up to 50 tie at V and open. Furthermore, using gate as a emitter, the emission current versus gate biases indicated a dramatic change of emission currents from gate tip-end resulting in an interesting operation characteristics.

낮은 턴온전압과 높은 방출 전류밀도를 가지는 수평형 전계방출 소자제작 및 전기적인 특성

이종현,서화일,권대혁,함성호,이명복,최규만,이재훈,이정희 경북대학교 전자기술연구소 2001 電子技術硏究誌 Vol.22 No.2

A lateral type poly-Si field emission device was fabricated by utilizing the LOCOS process. The fabricated device exhibited excellent electrical characteristics such as a very low turn-on voltage of 1 V and a high emission current of 64 μA/tip at the anode-to-cathode voltage of 13 V. These superior field emission characteristics was believed as a result of strong surface modification inducing a quasi-negative electron affinity and the increase of field emitting area due to local sharp protrusions by an appropriate activation treatment.

Pt 를 이용한 GaN Schottky 형 자외선 수광소자의 제작

김지현,이용현,신상훈,함성호,이명복,정영로,배성범,이정희 경북대학교 전자기술연구소 2001 電子技術硏究誌 Vol.22 No.1

The Schottky type GaN ultraviolet photo-detector was fabricated by depositing the A1 ohmic contact on n^+-GaN layer and Pt Schottky contact on undoped GaN layer. The undoped GaN(0.5 um)/n^- -GaN(0.1 um)/n^+-GaN(1.5 um) multi-layer structure was grown on sapphire substrate by MOCVD. The grown layers have the carrier concentrations of 7.71 x 10^(16)cm^(-3) respectively. And the mobility was 138 cm/V·s. The mesa structure was pattern to n^+-GaN layer using ECR(electron cyclotron resonance) dry etching. The contacts on all rectifiers were formed by lift-off, with the Ohmic metalization annealed at 580 C for 10 min under N. The measured I-V characteristics of Schottky diode between the Pt and A1 Ohmic layer. The leakage current of the fabricated Schottky diode was 39 nA at the reverse voltage of 5 V. It showed the photo current of 0.1 uA to 2 uA under the UV wavelength of 360 nm and UV rejection ratio of 10^(-2) at the reverse bias of 15V.