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- 저자 : 최시영 (검색결과 427 건)
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최시영,이지수,최영복 인문사회 21 2023 인문사회 21 Vol.14 No.2
This study is to analyze Pet Loss Syndrome and the companion animal funeral industry as the number of companions experiencing Pet Loss Syndrome increases, and to find out how to cope with Pet Loss Syndrome. The research examines existing literature and compares domestic and foreign pet post-mortem industries through statistics and press releases to identify gaps and opportunities for improvement. The study also evaluates the factors that impact Pet Loss Syndrome and suggests services that can help individuals overcome this type of grief. Additionally, the research identifies the limitations and implications of the domestic companion animal industry through comparison with foreign studies. The findings provide suggestions for future improvements and studies to better support individuals experiencing Pet Loss Syndrome. In addition, it was confirmed that sufficient funeral facilities and various services were needed to overcome Pet Loss Syndrome.
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최시영,이정희,이길식 경북대학교 센서기술연구소 1994 연차보고서 Vol.1994 No.-
본 연구에서는 광기전력 형태의 적외선 센서를 위한 p-n InSb 접합다이오드를 제조하였으며 그 특성을 조사하였다. GaAs 기판위에 MBE로 성장시킨 InSb 결정층의 Hall 이동도는 상온 및 77K에서 각각 60,000㎠/V·s, 110,000㎠/V·s으로 나타났다. InSb 표면 보호막용 SiO_2를 remote PECVD로 상온에서 증착하였다. I-V 측정을 통하여 항복전계가 약 2.6MV/㎝, 평균저항률이 약 3.1×10 exp (12)Ω·㎝임을 알 수 있었다. C-V측정에서는 유전율이 4, SiO_2내의 전하밀도가 1.86×10 exp (11) ions/㎠로 나타났다. InSb 기판위에 MBE로 성장시킨 p-InSb/n-InSb 결정층과 Be이온주입된 InSb기판 및 Zn확산된 InSb기판을 이용하여 p-n접합형 다이오드를 제조하여 77K에서 전류-전압 특성을 조사하였다. MBE로 성장시킨 결정층을 이용하여 제조한 다이오드의 암상태 77K에서 zero bias 저항과 면적의 적(R_o·A)이 2.5×10 exp (5)Ω·㎠ 의 값을 가졌다. 이는 성능이 우수한 적외선 센서에서의 R_o·A와 비슷한 값으로서, 적외선 센서로서의 사용가능을 의미한다고 할 수 있다. P-n InSb junction diodes for the Infrared sensor were fabricated and characterized. The typical Hall mobilities of InSb epilayer grown by GaAs substrate were 60,000 ㎠/V·s and 110,000 ㎠/V·s at room temperature and 77K, respectively. For the passivation of InSb surface, SiO_2 film was deposited by remote PECVD. The breakdown strength and resistivity of the film were 2.6 MV/㎝ and 3.1 × 10 exp (12) Ω·㎝. From the C-V measurement, charge density in the SiO_2 film was 1.86× 10 exp (11) ions/㎠. The current-voltage characteristics of the MESA type diode fabricated on MBE grown wafer, planar type diodes fabricated by Be ion implantation and Zn diffusion, respectively, were measured at 77K. The former had zero bias resistance area product(R_o·A) of 2.5 × 10 exp (5) Ω·㎠. This high value of Ro·A means that it can be used for the infrared sensor.
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최시영,이동배,조영채 충남대학교 의과대학 지역사회의학연구소 1991 충남의대잡지 Vol.18 No.2
This study was conducted to obtain the information on maternal and child health in Wonju-Gun, Kangwondo from March 1, 1990 to April 31, 1990. The Author surveyed a total 178 women experienced child born after 1987. The results were as follows: 1. The proportion of receiving prenatal care was 95.5%. The mean times of visiting medical facilities was 4.8 and the starting time of prenatal care was 3.3 months of gestational age. 2. The proportion of hospital or clinic delivery was 69.1 % but that of home delivery was 15.2% 3. The proportion of receiving postnatal care was 26.4% and the hospital or clinics was the most common place of visit. 4. The proportion of complete vaccination for child was 77.5% and the proportion of family who use contraception was 74.2%. 5. Variables such as education period, number of child and age at marrage had high relation with the variables of maternal and child health.
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최시영 경북대학교 센서기술연구소 1991 연차보고서 Vol.1991 No.-
PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)로 증착시킨 실리콘 질화막을 다이아프램으로 사용한 IGFET형 반도체 압력센서를 제작하여 그 특성을 조사하였다. IGFET형 반도체 압력센서는 용량형 압력센서이면서 출력신호을 전류 및 전압으로 사용가능하고, 기존의 반도체 압력센서보다 소형(소자 크기 : 1㎜ × 0.725㎜)이고, 기판과의 정전접합 및 양면 정렬 작업이 필요하지 않으며, 그리고 MOS IC 공정과 완전한 호환성을 가진다. 이러한 제조공정의 용이는 양산생산에 매우 유리하다. 그래서 IGFET형 압력센서 개발을 위한 기초연구를 하였다. 제작된 압력센서는 n-type Si 기판위의 드레인과 소오스, 그리고 게이트 영역으로 구성되어 있다. 드레인, 소오스, 및 게이트 산화막을 밀폐시키는 정사각형의 실리콘 질화막 다이아프램을 게이트 영역에 형성시켰다. 게이트 산화막과 다이아프램 사이에는 air-gap이 있다. 실리콘 질화막의 다이아프램에 압력이 인가되면, 이 다이아프램이 휘게되고 게이트 커패시턴스가 증가하게 된다. 그 결과 소오스와 드레인사이의 채널 전도도가 변하여 드레인 전류가 변하게 된다. 따라서, 압력변화에 따라 IGFET형 소자가 바로 압력센서가 된다. 이 IGFET형 압력센서의 압력증가에 따른 드레인 전류변화는 비선형적으로 나타났으나, 문턱전압의 변화는 좋은 선형적으로 나타났다. 그림 1은 IGFET형 압력센서의 개략도이다.
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다결정 실리콘을 이용한 p+n 다이오드의 누설전류 개선
최시영,김원찬,이재곤 한국센서학회 1996 센서학회지 Vol.5 No.1
To decrease the leakage current of p^+n junction diode with hyperabrupt structure, the 3000Å polysilicon was deposited on the top of conventional p^+n diode and then annealed for 30 minutes at 900℃ in the N₂ ambient. It was estimated for both p^+n diodes with and without polysilicon layer, and the impurity materials of n diffused layer to observe the influence of the polysilicon layer on leakage current characteristics. The leakage current was reduced to the order of 3 by using polysilicon layer. A large number of dislocation loops, which were believed to be generated by As-implanted diffused layer, were found to be removed by using polysilicon through TEM analysis.
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최시영,김용환,윤정섭,왕영필,박재길,박찬범,사영조,전현우,강철웅 대한흉부외과학회 2007 Journal of Chest Surgery (J Chest Surg) Vol.40 No.8
배경: 폐과오종은 원발성 폐종양의 2∼5%를 차치하며, 양성 종양 중에서는 가장 흔한 형태이나, 폐과오종에 대한 임상 고찰의 국내 논문은 흔하지 않다. 대상 및 방법: 2000년 1월부터 2005년 5월까지 본원에서 조직학적으로 폐과오종이 진단된 37명의 환자를 대상으로 후향적 분석을 하였다. 결과: 발생빈도는 60대가 12예(32.4%)로 가장 많았다. 남성이 23명(62.6%)이었고, 여성이 14명(37.8%)이었으며, 평균 연령은 55.6세였다. 26명(70.3%)의 환자는 무증상이였고, 11명(29.7%)은 증상이 있었다. 29예(78.4%)는 폐실질내 과오종이였고, 8예(21.6%)는 기관지내 과오종이였다. 20예(54.1%)가 우측폐에 발생하였으며, 17예(45.9%)가 좌측폐에 발생하였고, 우하엽이 가장 많은 빈도를 보였다. 수술적 절제로 진단받은 환자가 32명(86.%)이었으며, 기관지 내시경과 경피적 생검이 각각 4예(10.8%)와 1예(2.7%)였다. 34예에서 종양제거를 시행하였으며 큰 합병증은 없었다. 재발이나 악성 변화는 관찰되지 않았다. 결론: 폐과오종의 40대에서 60대의 남자에 흔하며, 우측폐에 더 빈발한다. 추적 검사기간 동안 재발이나 악성 변화는 없었다.
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