Design and Process of Vertical Double Diffused Power MOSFET Devices

유현규,권상직,이중환,권오준,강영일,Yu, Hyun Kyu,Kwon, Sang Jik,Lee, Joong Whan,Kwon, Oh Joon,Kang, Young Il The Institute of Electronics and Information Engin 1986 전자공학회논문지 Vol.23 No.6

The design, fabrication and performance of vertical double diffused power MOSFET (VDMOS) were described. On the antimony (Sb) doped (~7x10**17 cm**-3) silicon substrate (N+), epitaxial layer(N-) was grown. The thickness and the resistivity of this layer were 32\ulcorner and about 12\ulcorner-cm, respectively. The P- channel length which was controlled by sequential P-/N+ double diffuison method was about 1~2 \ulcorner, and was processed with the self alignment of 21 \ulcorner width poly silicon. To improve the breakdown voltage with constant on-resistance (Ron) about 1\ulcorner, three P+ guard rings were laid out around main pattern. With chip size of 4800\ulcorner x4840 \ulcorner, the VDMOS has shown breakdown voltage of 410~440V, on-resistance within 1.0~1.2\ulcornerand the current capablity of more than 5A.

O₂ 플라즈마로 처리한 폴리머 기판 위에 성장된 GZOB 박막의 특성

유현규,이종환,이태용,허원영,이경천,신현창,송준태,Yu, Hyun-Kyu,Lee, Jong-Hwan,Lee, Tae-Yong,Hur, Won-Young,Lee, Kyung-Chun,Shin, Hyun-Chang,Song, Joon-Tae 한국전기전자재료학회 2009 전기전자재료학회논문지 Vol.22 No.8

We investigated the effects of a high density $O_2$ plasma treatment on the structural and electrical properties of Ga-, B- codoped ZnO (GZOB) films. The GZOB films were deposited on polymer substrate without substrate heating by DC magnetron sputtering. Prior to the GZOB film growth, we treated a polymer substrate with highly dense inductively coupled oxygen plasma. The optical transmittance of the GZOB film, about 80 %, was maintained regardless of the plasma pre-treatment. The resistivity of the GZOB film on PC substrate decreased from 9.08 ${\times}$ $10^{-3}$ ${\Omega}-cm$ without an $O_2$ plasma pre-treatment to 2.12 ${\times}$ $10^{-3}$ ${\Omega}-cm$ with an $O_2$ plasma pre-treatment. And PES substrate decreased from 1.14 ${\times}$ $10^{-2}$ ${\Omega}-cm$ without an $O_2$ plasma pre-treatment to 6.13 ${\times}$ $10^{-3}$ ${\Omega}-cm$ with an $O_2$ plasma pre-treatment.

최대 도플러 주파수 추정 시 대역 조절을 통한 부가 잡음의 영향 완화 기법

유현규,박구현,오성목,강창언,홍대식,Yu Hyun-kyu,Park Goo-hyun,Oh Seong-Mok,Kang Chang-eon,Hong Dae-sik 한국통신학회 2005 韓國通信學會論文誌 Vol.30 No.6C

이동 통신 시스템에서 최대 도플러 주파수 정보는 여러 가지 채널 적응 기술들과 무선 자원 관리 방법들의 무선 채널에 대한 최적화를 가능하게 한다. 본 논문에서는 레벨 교차율(LCR: level crossing rate) 및 공분산 함수(COV: covariance)에 기반을 둔 두 가지 최대 도플러 주파수 추정 기법을 제안한다. 부가 잡음의 영향을 제거하기 위해 신호 대 잡음비(SNR)에 독립적인 성능을 위한 조건을 분석하고, 제시한 조건을 만족시키기 위하여 하향 표본화 (downsampling) 방법을 이용한 도플러 주파수 추정 알고리즘을 새로이 제안하다. 모의실험을 통해, 제안된 기법이 SNR 변화에 상관없이 좋은 성능을 나타냄을 확인할 수 있다. Information of the maximum Doppler frequency enable to optimize many channel-adaptive techniques and radio resource management methods for mobile radio communication systems. In this paper, we propose two maximum Doppler frequency estimators which are based on the level crossing rate(LCR) and the covariance function (COV). To eliminate the effect of additive noise, we analyze the conditions for the estimators independent of the signal-to-noise ratio(SNR) and implement the conditions with a simple downsampling process. The proposed methods achieve good SNR-independent performance.

PECVD PSG 의 유전 및 보호막 특성에 관한 연구

유현규(Hyun Kyu Yu),강영일(Young Il Kang) 대한전자공학회 1984 대한전자공학회 학술대회 Vol.1984 No.11

Subharmonically Pumped CMOS Frequency Conversion (Up and Down) Circuits for 2-GHz WCDMA Direct Conversion Transceiver

Hyun Kyu Yu(유현규),Kwang-jin Koh 대한전자공학회 2004 대한전자공학회 워크샵 Vol.2004 No.8

전력비 변화에 따른 Au Multilayer 위에 증착한 GZOB 박막의 특성

이종환,유현규,이규일,이태용,강현일,김응권,송준태,Lee, Jong-Hwan,Yu, Hyun-Kyu,Lee, Kyu-Il,Lee, Tae-Yong,Kang, Hyun-Il,Kim, Eung-Kwon,Song, Joon-Tae 한국전기전자재료학회 2008 전기전자재료학회논문지 Vol.21 No.11

We investigated the effects of power ratio on the electrical and optical properties of Au based Ga-, B- codoped ZnO(GZOB) thin films. GZOB thin films were deposited on Au based poly carbonate(PC) substrate with various power in the range from 60 to 120 W by DC magnetron sputtering. In the result, GZOB films at 100 W exhibited a low resistivity value of $1.12\times10^{-3}\Omega-cm$, and a visible transmission of 80 % with a thickness of 300 nm. This result indicated that the addition of Ga and B in ZnO films leads to the improvement of conductivity and transparent. From the result, we can confirm the possibility of the application as transparent conductive electrodes.

HF 세정후 자연 산화막의 존재가 티타늄 실리사이드 형성에 미치는 영향

배종욱,현영철,유현규,이정용,남기수,Bae, Jong-Uk,Hyeon, Yeong-Cheol,Yu, Hyun-Kyu,Lee, Jeong-Yong,Nam, Kee-Soo 한국재료학회 1998 한국재료학회지 Vol.8 No.5

HF 세정후 자연 산화막의 존재가 급속 열처리 장비를 이용, 아르곤 분위기에서 열처리할 때 티타늄 실리사이드 형성을 관찰하였다. 고분해능 단면 투과 전자 현미경 관찰 결과 기판 온도가 상온일 때 자연산화막(native oxide)이 존재함을 확인하였으며 기판 온도가 40$0^{\circ}C$일 때는 실리콘 기판과 티타늄 박막의 계면 부위에서 자연산화막, 티타늄 및 실리콘이 혼합된 비정질층이 존재함을 확인하였다. 티타늄을 증착하는 동안 기판 온도를 40$0^{\circ}C$로 유지했을 때는 C54~$TiSi_2$상이 형성되는데 요구되는 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing : RTA)온도가 기판 온도를 상오느로 유지 했을 때보다 $100^{\circ}C$정도 감소함을 확인하였다. 이 같은 결과는 산소불순물을 함유한 비정질 층이 핵생성 자리를 제공하여 이 상의 형성이 촉진된다는 사실을 말한다. 기판온도 $400^{\circ}C$에서 형성된 티타늄 실리사이드막의 경우 비저항 $\mu$$\Omega$cm임을 확인하였다.

실리콘 기판 위의 나선형 인덕터에 대한 SPICE 모델

김영석,박종욱,김남수,유현규,Kim, Yeong-Seuk,Park, Jong-Wook,Kim, Nam-Soo,Yu, Hyun-Kyu 대한전자공학회 2000 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.37 No.10

회로설계 엔지니어들이 쉽게 RF IC 설계에 사용할 수 있는 나선형 인덕터의 SPICE 모델을 개발하였다. 이 모델은 나선형 인덕터의 등가회로 소자 값들을 SPICE의 user-defined function 및 subcircuit 기능을 이용하여, 레이아웃 변수, 공정 변수, 실리콘 기판 변수로부터 정의하였다. 특히 인덕턴스는 임의의 회전에 대한 인덕턴스 Li 및 임의의 두 회전에 대한 상호 인덕턴스 Mij를 subcircuit으로 정의하여 전체 인덕턴스 값을 계산하였다. 모델의 정확성을 검증하기 위하여 CMOS 0.8${\mu}m$ 공정으로 제작된 나선형 인덕터의 측정 s-파라미터, 총 인덕턴스 및 quality-factor 결과를 시뮬레이션 데이터와 비교한 결과 일치함을 확인하였다. 본 논문에서 제시된 SPICE를 이용한 나선형 인덕턴스 모델은 scalable하며, 실리콘 기판의 영향등을 포함하기 때문에 레이아웃 최적화에 쉽게 사용할 수 있는 장점을 가진다. The SPICE model of the spiral inductor on silicon substrate which can be easily used for the RF IC design has been developed. In this proposed model the equivalent circuit element of the spiral inductor are defined by the layout and process parameters using the user-defined function and subcircuit of the SPICE. The total inductance is calculated using the subcircuit Li for the arbitrary turn i and the subcircuit Mij for two arbitrary turns. The model was verified by comparing the simulated data with the measured s-parameters, total inductance, and quality factor of the spiral inductor fabricated by the CMOS 0.8${\mu}m$ process. The proposed SPICE model of the spiral inductor is scalable and includes the effects of the silicon substrate.

저온공정을 이용한 AlN 박막의 우선배향성과 모폴로지에 관한 연구

오수영,김응권,이태용,강현일,유현규,송준태,Oh, Su-Young,Kim, Eung-Kwon,Lee, Tae-Yong,Kang, Hyun-Il,Yu, Hyun-Kyu,Song, Joon-Tae 한국전기전자재료학회 2008 전기전자재료학회논문지 Vol.21 No.5

In this paper, we investigated the (002) preferred orientation and morphology characteristics of AlN thin film by using reactive rf sputtering. Additionally, AlN thin films grown in the range from 150 to 300 W were studied under room temperature without substrate heating and post annealing. Sputtered AlN thin films were well grown on Si substrates and the (002) main peak in XRD patterns showed the highest intensity at 300 W with $0.25^{\circ}$ degree of full width at half-maximum (FWHM). As increased RF power, the surface roughness was increased from 1.0 to 3.4 nm. In Fourier transformation infrared spectroscopy (FTIR), $A_1$ (TO) and $E_1$ (TO) mode closed to AlN thin film confirmed the changes with increasing the intensity rate. From these results, we could confirm a chance of the growth of AlN thin film by only low temperature.

초음파 유도하 요추 4번 선택적 신경근 차단술 시 자기공명영상 계측의 유용성

심대무(Dae Moo Shim),권석현(Seok Hyun Kweon),조형규(Hyung Gyu Cho),유현규(Hyun Kyu Yu),임경훈(Kyeong Hoon Lim) 대한정형외과학회 2020 대한정형외과학회지 Vol.55 No.3

목적: 초음파 유도하 요추 4번 신경근 차단술을 시행함에 있어 시술 전 자기공명영상(magnetic resonance imaging, MRI) 계측의 유용성을 알아보고자 하였다. 대상 및 방법: 이 연구는 후향적 연구로 2016년 3월부터 2017년 12월까지 본원 외래에 방문한 환자 중 요추 4번 신경근의 병변이 확인되며 선정 기준에 합당한 71명의 환자를 대상으로 하였다. 2016년 3월부터 2017년 2월까지 MRI 계측 없이 신경근 차단술을 시행한 31명의 환자를 A군, 2017년 3월부터 2017년 12월까지 시술 전 MRI 계측을 통해 신경근 차단술을 시행한 40명의 환자를 B군으로 분류하였다. A군은 MRI 계측 없이 pararadicular 접근법을 통하여 주사를 시행하였고 B군은 시술 전 MRI로 측정한 계측치를 바탕으로 하여 초음파 유도하 주사를 시행하였다. 시술 전, 시술 3시간 후, 2주 후, 6주 후, 12주 후에 수치평가척도(numeric rating scale, NRS) 점수를 이용하여 통증 호전 정도를 판정하였다. 결과: 시술 3시간 후 양호 이상의 결과를 보인 경우는 A군에서 51.6%, B군에서 67.5%였으며 시술 2주 후 양호 이상의 결과를 보인 경우는 A군에서 48.4%, B군에서 70.0%였다. 시술 6주 후 양호 이상의 결과를 보인 경우는 A군에서 58.1%, B군에서 62.5%, 시술 12주 후 양호 이상의 결과를 보인 경우는 A군에서 67.7%, B군에서 62.5%였다. 시술 3시간 후, 2주차에 유의하게 B군이 A군보다 증상 호전에 좋은 결과를 보였다(p<0.05). 만족스런 통증 완화를 위해 2주차에서 6주차 사이에 A군의 경우 2.8회, B군의 경우 1.7회의 반복적인 시술이 시행되었다(p<0.05). 결론: 시술 전 MRI를 통한 계측을 먼저 시행하고 이를 참고하여 초음파 유도하 요추 4번 선택적 신경근 차단술을 시행하는 것은 환자의 시술의 성공률을 높여 시술 후 2주 이내의 초기 통증을 완화하는데 도움이 될 것으로 생각된다. Purpose: This study examined the utility of preliminary magnetic resonance imaging (MRI) measurements in the ultrasound-guided L4 selective nerve root block. Materials and Methods: As a retrospective study, 71 patients, who met the criteria for outpatient visits from March 2016 to December 2017, were included. From March 2016 to February 2017, 31 patients who underwent an L4 nerve root block without MRI were classified as group A, and 40 patients who underwent an L4 nerve root block through MRI measurements from March 2017 to December 2017 were classified as group B. Group A was injected under ultrasound-guidance through the pararadicular approach without a pre-interventional MRI evaluation, and group B was injected under ultrasound-guidance according to the preliminary MRI measurements. The results were assessed using the numeric rating scale scores before, three hours, and two, six, and 12 weeks after the procedure. Results: At three hours after the procedure, the proportion of patients better than good results were 51.6% in group A and 67.5% in group B. At two weeks after the procedure, the proportion of patients with better than good results were 48.4% and 70.0% in groups A and B, respectively; 58.1% and 62.5% of patient of groups A and B, respectively, showed better than good results after six weeks. In 12 weeks after the procedure, the results of group A and B were 67.7% and 62.5%, respectively. At three hours and two weeks after the procedure, group B showed significant symptom improvement than group A (p<0.05). The procedures were repeated 2.8 and 1.7 times in groups A and B, respectively, between two and six weeks for satisfactory pain relief (p<0.05). Conclusion: A pre-interventional MRI evaluation might improve pain relief within the initial two weeks after ultrasound-guided L4 selective nerve root block by improving the success rate of the procedure.