MCM/PCB 회로패턴 검사에서 SEM의 전자빔을 이용한 측정방법

김준일,신준균,지용,Kim, Joon-Il,Shin, Joon-Kyun,Jee, Yong 대한전자공학회 1998 電子工學會論文誌, D Vol.d35 No.9

본 논문은 주사전자현미경(SEM)의 전자총을 이용하여 MCM 또는 PCB 회로기판의 신호연결선에서 전압차를 유도시켜 개방/단락 등의 결함을 측정 검사하는 방법을 제시한다. 본 실험에서는 주사전자현미경의 구조를 변형시키지 알고 회로기판의 개방/단락 검사를 실시할 수 있는 이중전위전자빔(Dual Potential) 검사방법을 사용한다. 이중전위전자빔(Dual Potential) 측정검사 방법은 이차전자수율 값 δ의 차이를 유기시키는 δ < 1 인 충전 전자빔과 δ > 1 인 읽기 전자빔을 사용하여 한 개의 전자총이 각각 다른 가속전압에 의해 생성된 두 개의 전자빔으로 측정하는 방법으로 특정 회로네트에 대한 개방/단락 등의 측정 검사가 가능하다. 또한 읽기 전자빔을 이용할 경우 검사한 회로 네트를 방전시킬 수 있어 기판 도체에 유기된 전압차를 없앨 수 있는 방전시험도 실시할 수 있어, 많은 수의 회로네트를 지닌 회로 기판에 대해 측정 검사할 때 충전되어 있는 회로네트에 대한 측정오류를 줄일 수 있다. 측정검사를 실시한 결과 glass-epoxy 회로기판 위에 실장된 구리(Cu) 신호연결선은 7KeV의 충전 전자빔으로 충전시키고 10초 이내에 주사전자현미경을 읽기 모드로 바꾸어 2KeV의 읽기 전자빔으로 구리표면에서의 명암 밝기 차이를 읽어 개방/단락 상태를 검사할 수 있었다. 또한 IC 칩의 Au 패드와 BGA의 Au 도금된 Cu 회로패드를 검사한 결과도 7KeV 충전 전자빔과 2KeV 읽기 전자빔으로 IC칩 내부회로에서의 개방 단락 상태를 쉽게 검사할 수 있었다. 이 검사방법은 주사전자현미경에 있는 한 개의 전자총으로 비파괴적으로 회로 기판의 신호 연결선의 개방/단락 상태를 측정 검사할 수 있음을 보여 주었다. This paper presents a characterization method for faults of circuit patterns on MCM(Multichip Module) or PCB(Printed Circuit Board) substrates with electron beams of a SEM(Scanning Electron Microscope) by inducing voltage contrast on the signal line. The experimentation employes dual potential electron beams for the fault characterization of circuit patterns with a commercial SEM without modifying its structure. The testing procedure utilizes only one electron gun for the generation of dual potential electron beams by two different accelerating voltages, one for charging electron beam which introduces the yield of secondary electron $\delta$ < 1 and the other for reading beam which introduces $\delta$ > 1. Reading beam can read open's/short's of a specific net among many test nets, simultaneously discharging during the reading process for the next step, by removing its voltage contrast. The experimental results of testing the copper signal lines on glass-epoxy substrates showed that the state of open's/short's had generated the brightness contrast due to the voltage contrast on the surface of copper conductor line, when the net had charged with charging electron beams of 7KV accelerating voltages and then read with scanning reading electron beams of 2KV accelerating voltages in 10 seconds. The experimental results with Au pads of a IC die and Au plated Cu pads of BGA substrates provided the simple test method of circuit lines with 7KV charging electron beam and 2KV reading beam. Thus the characterization method showed that we can test open and short circuits of the net nondestructively by using dual potential electron beams with one SEM gun.

휴대전화 전자파에 의한 자각증상 및 생리학적 변화

홍현기(Hyun Ki Hong),지효철(Hyo Chul Ji),김수찬(Soo Chan Kim),김덕원(Deok Won Kim) 대한전자공학회 2008 電子工學會論文誌-SC (System and control) Vol.45 No.3

최근 휴대폰 보급률이 증가하면서 휴대폰 전자파로 인해 두통, 불면증, 단기간의 기억력 소실 등의 정신 신경 생리학적 증상을 호소하는 휴대폰 전자파 과민증(EHS, Electromagnetic Hypersensitivity) 환자들이 나타나고 있다. 그러나 휴대폰 전자파 과민반응의 원인이 막연한 불안감 때문인지 혹은 전자파 노출로 인한 증상 인지에 대하여 확실한 원인규명이 되지 않고 있다. GSM 방식의 휴대폰의 경우 전자파 노출 시 EHS 군을 대상으로 혈압, 맥박수 변화 및 자각 증상 등의 과민 반응에 대한 연구들이 수행되었으나 일반인과 EHS 군의 실험-대조군 연구로 생체신호, 자각증상 및 전자파 인지 여부에 대한 복합적인 연구와 CDMA 휴대폰 EHS 연구는 거의 없는 실정이다. 본 연구에서는 일반인 19명과 EHS 17명을 대상으로 30분간 300 mW의 CDMA 휴대폰 전자파에 노출 시 교감신경의 흥분을 나타내는 맥박, 호흡수, HRV(heart rate variability)의 변화를 측정하고, 전자파 노출 시 전자파 인지여부와 두통, 피로 등의 자각증상을 조사하였다. 그 결과, 일반인과 EHS 군 모두 전자파 노출여부에 따라 맥박, 호흡수, HRV의 변화가 없었고, 자각증상의 차이도 없었다. 전자파 인지 조사 결과 EHS 군이 일반인 군에 비하여 전자파를 더 잘 인지한다고 볼 수 없었다. Due to the fast increase in cellular phone users, public interest on health effect of electromagnetic fields(EMFs) by cellular phones is gradually increasing. Some EHS(electromagnetic hypersensitivity) patients complain of psycho-neurophysiological symptoms such as headaches, insomnia, memory loss resulting from RF radiation by CDMA cellular phones. However, EHS is difficult to diagnose and depends on the individual's subjective judgement. And we don't know clearly if the cause of EHS is uneasiness or real exposure. There have been various EHS volunteer studies on heart rate, blood pressure and subjective symptoms using GSM phones. But there are few studies on experimental case-control study investigating physiological parameters, subjective symptoms, and perception of EMFs. In this study, two volunteer groups of 17 self-declared EHS and 19 controls were exposed to both sham and real RF exposure by CDMA cellular phones for half an hour each. We investigated not only the physiological parameters such as heart rates, respiration rates and HRVs(hear rate variability), but also the perception of EMFs and subjective symptoms. As the results, EMF exposure did not have any effects on the subjective symptoms or physiological parameters for both groups. For the EMF perception, there was no evidence that EHS group perceived the EMFs correctly than the control group.

항공기용 복합 전자 소자의 항공기 장착을 위한 인증 방안

한상호(Sangho Han) 대한전자공학회 2019 대한전자공학회 학술대회 Vol.2019 No.6

항공기에 기능 보강 등의 목적으로 CEH의 사용이 일반화 되고 있으며 점차 이용 빈도가 증가할 것으로 추정된다. 이러한 현장에서 회로를 가변시켜 사용할 수 있는 전자 하드웨어의 등장으로 항공전자부품의 인증은 소프트웨어의 인증에 이어 새로운 국면을 맞고 있다. 2000년 4월 인증 지침서로 RTCA DO-254가 발행된 이래 FAA1)에서는 2005년 6월 AC20-152를 발행하여 복합 전자소자에 대한 인증기준으로 채택하였다. 이와 같이 복합 전자 하드웨어의 인증을 위한 지침이 마련됨에 따라 향후 항공용으로 개발되는 복합 전자 하드웨어는 소프트웨어와 마찬가지로 인증을 받아야 한다. 우리나라에서 항공전자 부품 개발시 소프트웨어의 인증과 더불어 하드웨어의 인증 문제가 대두될 것이며 이에 대한 대비가 필요한 시점이다. 이 글은 향후 복합 하드웨어의 인증에 대비하여 개발자가 알아야 할 사항을 개괄하였다. The use of CEH for the purpose of enhancing the functions of aircraft is becoming common and it is estimated that the frequency of use will increase gradually. With the advent of electronic hardware that can be used to vary circuits in these sites, certification of aviation electronic components is in a new phase following certification of software. Since RTCA DO-254 was issued as a certification guide in April 2000, the FAA has issued AC20-152 in June 2005 to adopt it as a certification basis for complex electronic devices. As such, guidance is provided for the certification of complex electronic hardware, complex electronic hardware developed for future aviation should be certified just like software. In addition to the certification of software, the development of aviation electronic components in Korea will require preparation for the certification of hardware. This article outlines what developers should know for future certification of complex hardware.

전자화폐의 국내외 동향과 전망

송유진 대한전자공학회 2002 전자공학회지 Vol.29 No.11

최근 전자상거래의 급격한 발전은 새로운 비즈니스 패러다임을 가져오고 있다. 이러한 디지털 비즈니스 체제로의 성공적인 진입을 위한 지불 수단으로서 전자화폐의 필요성은 갈수록 증대되고 있다. 실용화된 전자화폐를 경제적으로 사용할 수 있는 경제 체제가 확립되면서 전자지불 산업계의 움직임도 활발해지고 있다. 특히, IC카드를 전자 지갑으로써 이용하는 If카드형 전자화폐가 세계적인 규모로 실용화되고 있으며 전자화폐의 업계 표준을 둘러싼 경쟁이 격화되고 있다. 전자화폐의 이용분야도 백화점, 편의점, 체인점, 주유소, 자동판매기 등 유통부문은 물론 버스, 지하철, 주차장, 고속도로 톨게이트 등의 교통 부문으로 확대되고 있다 또한 고궁, 박물관, 관공서 수수료 등 공공서비스 부문에서도 사용할 수 있는 등 일상생활과 밀접한 소액 지불시장에서 이용이 가능하게 되었다. 한편, 디지털 데이터인 전자화폐를 보호하기 위한 보안기술의 개발과 다양한 전자화폐의 상호 호환성을 제공하기 위한 표준의 확립 등이 시급히 요구되고 있다. 본 논문에서는 전자지불 산업계의 활발한 움직임에 맞추어 전자화폐의 실용화, 보급을 지원하는 입장에서 전자화폐의 개념과 분류, 국내외 동향을 살펴보고, 향후 발전 전망에 대해 논하고자 한다.

Strained SGOI n-MOSFET에서의 phonon-limited전자이동도의 Si두께 의존성

심태헌,박재근,Shim Tae-Hun,Park Jea-Gun 대한전자공학회 2005 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.42 No.9

60 nm C-MOSFET 기술 분기점 이상의 고성능, 저전력 트랜지스터를 구현 시키기 위해 SiGe/SiO2/Si위에 성장된 strained Si의 두께가 전자 이동도에 미치는 영향을 두 가지 관점에서 조사 연구하였다. 첫째, inter-valley phonon 산란 모델의 매개변수들을 최적화하였고 둘째, strained Si 반전층의 2-fold와 4-fold의 전자상태, 에너지 밴드 다이어그램, 전자 점유도, 전자농도, phonon 산란율과 phonon-limited 전자이동도를 이론적으로 계산하였다. SGOI n-MOSFET의 전자이동도는 고찰된 SOI 구조의 Si 두께 모든 영역에서 일반적인 SOI n-MOSFET보다 $1.5\~1.7$배가 높음이 관찰 되었다. 이러한 경향은 실험 결과와 상당히 일치한다. 특히 strained Si의 두께가 10 nm 이하일 때 Si 채널 두께가 6 nm 보다 작은 SGOI n-MOSFET에서의 phonon-limited 전자 이동도는 일반 SOI n-MOSFET과 크게 달랐다. 우리는 이러한 차이가 전자들이 suained SGOI n-MOSFET의 반전층에서 SiGe층으로 터널링 했기 때문이고, 반면에 일반 SOI n-MOSFET에서는 캐리어 confinement 현상이 발생했기 때문인 것으로 해석하였다. 또한 우리는 10 nm와 3 nm 사이의 Si 두께에서는 SGOI n-MOSFET의 phonon-limited 전자 이동도가 inter-valley phonon 산란율에 영향을 받는 다는 것을 확인하였으며, 이러한 결과는 더욱 높은 드레인 전류를 얻기 위해서 15 nm 미만의 채널길이를 가진 완전공핍 C-MOSFET는 stained Si SGOI 구조로 제작하여야 함을 확인 했다 To make high-performance, low-power transistors beyond the technology node of 60 nm complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistors(C-MOSFETs) possible, the effect of electron mobility of the thickness of strained Si grown on a relaxed SiGe/SiO2/Si was investigated from the viewpoint of mobility enhancement via two approaches. First the parameters for the inter-valley phonon scattering model were optimized. Second, theoretical calculation of the electronic states of the two-fold and four-fold valleys in the strained Si inversion layer were performed, including such characteristics as the energy band diagrams, electron populations, electron concentrations, phonon scattering rate, and phonon-limited electron mobility. The electron mobility in an silicon germanium on insulator(SGOI) n-MOSFET was observed to be about 1.5 to 1.7 times higher than that of a conventional silicon on insulator(SOI) n-MOSFET over the whole range of Si thickness in the SOI structure. This trend was good consistent with our experimental results. In Particular, it was observed that when the strained Si thickness was decreased below 10 nm, the phonon-limited electron mobility in an SGOI n-MOSFT with a Si channel thickness of less than 6 nm differed significantly from that of the conventional SOI n-MOSFET. It can be attributed this difference that some electrons in the strained SGOI n-MOSFET inversion layer tunnelled into the SiGe layer, whereas carrier confinement occurred in the conventional SOI n-MOSFET. In addition, we confirmed that in the Si thickness range of from 10 nm to 3 nm the Phonon-limited electron mobility in an SGOI n-MOSFET was governed by the inter-valley Phonon scattering rate. This result indicates that a fully depleted C-MOSFET with a channel length of less than 15 m should be fabricated on an strained Si SGOI structure in order to obtain a higher drain current.

EPPC Programming

대한전자공학회 대한전자공학회 1997 대한전자공학회 기술강좌 Vol.- No.-

MPC860 Architecture

대한전자공학회 대한전자공학회 1997 대한전자공학회 기술강좌 Vol.- No.-

실내 측위 정확도 향상을 위한 딥러닝 기반의 출발 각도 추정 기법

이성호(Seongho Lee),정성훈(Sunghoon Jung),임채훈(Chaehun Im),이충용(Chungyong Lee) 대한전자공학회 2019 대한전자공학회 학술대회 Vol.2019 No.11

As services using the Internet of Things (IoT) are diversified, it is very important to estimate the location of the device. Though network based localization using radio frequency (RF) signals is widely used in indoor environments. The proposed method utilizes neural network to improve the error of the existing localization method in indoor environment. Experimental results show that the proposed method outperforms the beamforming method and performs well in NLOS environments.

[학술 활동 소개] 전자교환연구회 학술활동 실적 소개

이형호 대한전자공학회 1997 텔레콤 Vol.13 No.1

전자교환연구회는 1979년 창립하여 현재에 이르렀다. 여기에서는 그동안 전자교환연구회를 위해 수고하신 역대 위원장, 전자교환연구회의 기술전문지 발간 실적 및 학술생사 실적 등을 정리하여 소개한다.

XML 보안 기반의 부동산 계약서 전자서명 생성 및 검증

이문구(Moon-Goo Lee) 대한전자공학회 2008 電子工學會論文誌-CI (Computer and Information) Vol.45 No.6

전자거래에 있어서 데이터의 무결성과 부인방지 같은 보안 서비스는 안전한 전자거래를 가능하게 하는 필수요소이다. 본 논문에서는 기존 부동산 거래 절차를 기반으로 안전한 부동산 전자상거래를 가능하게 하는 부동산 계약 전자서명 생성 및 검증시스템을 구현하였다. 본 논문에 사용된 보안 서비스를 위한 기술적 배경은 XML 전자서명 기술로 XML 전자서명은 기존에 존재하는 전자서명 알고리즘에 XML을 적용한 전자서명 기법으로 기존 서명과는 다르게 부분 데이터에 대한 서명이 가능하기 때문에 매우 효율적이며 현재 널리 이용되고 있는 XML 기반 전자 상거래 시스템에 적용이 쉽다는 장점이 있다. Talking about reliability of E-commerce, the security services such as data integrity and non-repudiation are the most crucial elements. This thesis implemented the real estate contract digital signature system that makes this real estate E-commerce possible. The technical background used in this thesis for the security services is XML (eXtensible Markup Language) signature technique, which is a signature technique that applies XML on the existing digital signature algorithm. The advantage of using XML signature technique is that it is very efficient since signing for the partial data is possible, and it is easy to apply to the XML-based E-commerce system, which is most commonly used.