MONTE-CARLO 방법에 의한 AlGaAs/GaAs 계면의 전자 전달특성 분석

남승현,정학기,김봉렬,Nam,,Seung-Hun,Jung,,Hak-Ki,Kim,,Bong-Ryul 대한전자공학회 1989 전자공학회논문지 Vol. No.

MONTE-CARLO 시뮬레이션 방법을 이용하여 AlGaAs/GaAs MODFET의 Q-2DEG에서의 전자 에너지, 전자의 비행거리, 계곡 내 전자 점유분포, 전자의 평균 속도 등 각각의 천이특성을 전계를 달리하여 계산하였다. 전계가 강할수록 전자가 (100)계곡으로 급격하게 천이하며 속도 오버슈트가 급격하게 발생함을 알 수 있었다. 즉 속도 오버슈트와 같은 비정상상태를 포함한 전자 전달 특성을 얻을 수 있다. 이러한 결과를 토대로 AlGaAs/GaAs MODFET와 같은 Q-2DEG를 이용한 이종접합 디바이스에서 속도 오버슈트가 전자의 고이동도를 얻는 중요한 요소가 될수 있음을 알 수 있다. 전계가 증가함에 따라 (100)계곡으로 천이하는 전자는 현저하게 증가하였다. 전자 천이 지속 시간은 전계 E=7KV/cm의 경우 1.4psec에서 전계 E=12KV/cm의 경우 0.7psec로 감소하였다. 전계 E=12KV/cm의 경우 Q-2DEG 전자는 천이 지속 시간동안의 속도 최대값이 실온에서 정상상태 속도 보다 거의 8배의 값을 갖는다. 속도 오버슈트에의한 Q-2DEG에서의 속도 향상은 서브 마이크로 게이트 단위의 AlGaAs/GaAs MODFET의 고이동도에 영향을 끼칠 수 있다. GaAs 벌크와 Q-2DEG에서의 속도 특성을 비교하여 전계 7KV/cm를 가했을 경우 2DEG의 속도 최대값은 GaAs 벌크에 비해 더 큰 값을 얻었다. GaAs에 비해 Q-2DEG에서의 산란이 덜 일어 남으로써 속도 오버슈트가 Q-2DEG에서 더 일찍 일어나며 GaAs 벌크 전자는 Q-2DEG 전자에 비해 전계에 의한 영향을 덜 받음을 알수 있으며, GaAs에 비하여 Q-2DEG는 속도천이하는 동안 속도 값이 더 크고 빠르게 천이하는 사실로써 GaAs 벌크를 이용한 디바이스보다 Q-2DEG를 이용하는 것이 더 큰 전자 이동도를 얻을 수 있으리라 생각한다. B2가 1.74mg% 함유되어 있었으며 지용성 비타민으로는 비타민 A가 1.22mg%, 비타민 E는 0.32mg%로 미량 함유되어 있었다.신은 최내엽 양상추의 부위별 질산염 최저치와 최고치 차이는 중록 10.4배 엽신 11.1배에 머물렀다. 5. 외부엽 1g 섭식 대비 내부엽 1g 섭식시의 ${NO_3$}^- 섭취량은 배추의 경우 3.72배, 양배추의 경우 4.18배, 양상추의 경우 6.50배나 많았다. 6. 결론적으로 같은 량의 엽채류를 섭식하면서 일일 질산염 섭취량을 줄이기 위해서는 배추, 양배추, 양상추 모두 외부엽보다는 내부엽을 선택적으로 소비하는 것이 바람직함을 알 수 l있었다.었다. 6. 녹즙 종류별 ${NO_3}^-$ 함량은 당근녹즙(143ppm) < 명일엽(506ppm) < 돌미나리(669ppm) < 케일녹즙(985ppm) 순으로 많았고, Vitamin C 함량은 당근(43ppm) < 돌미나리(289ppm) < 케일(353ppm) < 명일엽(768ppm)의 순으로 높았다. 7. 일일 ${NO_3}^-$ 섭취량은 500ml의 녹즙을 마시는 경우 명일엽 253mg, 돌미나리 335mg, 케일 483mg으로 녹즙만으로도 이미 WHO/FAO의 일일 ${NO_3}^-$ 섭취허용량보다 1.16배, 1.53배, 2.21배나 초과할 수 있는 것으로 나타났다. 연약한 곤충의 방제에 효과적인 것으로 나타났다. 따라서 제조된 살충비누를 활용하면 환경친화적인 해충방제가 가능하다고 판단되었다.소변의 이상소견이 발견되어 신장 조직검사를 실시할 경우 혈청 $C_3$치의 감소 여부에 관계없이 MPGN도 진단적 고려 대상이 되어야 한다고 생각한다.신장 조직검사를 시행한 결과 진행성 경과를 취할 수 있는 막 증식성 사구체 신염과 매우 희귀한 증례인 신유전분증 Transport properties of 2DEG at AlGaAs/GaAs interface such as average electron energy, flight distance, each valley occupancy ratio, average electron velocity for various fields are investigated by MONTE-CARLO method. As the electric field increases, more electrons transit drastically from (000) valley to (000) upper valley. This phenomenon shows the nonstationary effect such as velocity overshoot. The duration of the transient decreases from about 1.4 psec for electric field E = 7KV/cm to about 0.7 psec for 12KV/cm. The average electron velocity during transient transport in 2DEG is about 8 times the steady-state velocity for E = 12KV/cm at room temperature. In comparison with bulk GaAs the peak velocity in the 2DEG is higher than that in even pure bulk GaAs at electric field E = 7 KV/cm. On the basis of the fact that the electrons in the 2DEG have larger peak velocity and shorter transient time of velocity than those in the bulk GaAs, it is suggested that the device with 2DEG may obtain higher mobility than that with bulk GaAs.

항공기용 복합 전자 소자의 항공기 장착을 위한 인증 방안

한상호(Sangho Han) 대한전자공학회 2019 대한전자공학회 학술대회 Vol.2019 No.6

항공기에 기능 보강 등의 목적으로 CEH의 사용이 일반화 되고 있으며 점차 이용 빈도가 증가할 것으로 추정된다. 이러한 현장에서 회로를 가변시켜 사용할 수 있는 전자 하드웨어의 등장으로 항공전자부품의 인증은 소프트웨어의 인증에 이어 새로운 국면을 맞고 있다. 2000년 4월 인증 지침서로 RTCA DO-254가 발행된 이래 FAA1)에서는 2005년 6월 AC20-152를 발행하여 복합 전자소자에 대한 인증기준으로 채택하였다. 이와 같이 복합 전자 하드웨어의 인증을 위한 지침이 마련됨에 따라 향후 항공용으로 개발되는 복합 전자 하드웨어는 소프트웨어와 마찬가지로 인증을 받아야 한다. 우리나라에서 항공전자 부품 개발시 소프트웨어의 인증과 더불어 하드웨어의 인증 문제가 대두될 것이며 이에 대한 대비가 필요한 시점이다. 이 글은 향후 복합 하드웨어의 인증에 대비하여 개발자가 알아야 할 사항을 개괄하였다. The use of CEH for the purpose of enhancing the functions of aircraft is becoming common and it is estimated that the frequency of use will increase gradually. With the advent of electronic hardware that can be used to vary circuits in these sites, certification of aviation electronic components is in a new phase following certification of software. Since RTCA DO-254 was issued as a certification guide in April 2000, the FAA has issued AC20-152 in June 2005 to adopt it as a certification basis for complex electronic devices. As such, guidance is provided for the certification of complex electronic hardware, complex electronic hardware developed for future aviation should be certified just like software. In addition to the certification of software, the development of aviation electronic components in Korea will require preparation for the certification of hardware. This article outlines what developers should know for future certification of complex hardware.

XML 보안 기반의 부동산 계약서 전자서명 생성 및 검증

이문구(Moon-Goo Lee) 대한전자공학회 2008 電子工學會論文誌-CI (Computer and Information) Vol.45 No.6

전자거래에 있어서 데이터의 무결성과 부인방지 같은 보안 서비스는 안전한 전자거래를 가능하게 하는 필수요소이다. 본 논문에서는 기존 부동산 거래 절차를 기반으로 안전한 부동산 전자상거래를 가능하게 하는 부동산 계약 전자서명 생성 및 검증시스템을 구현하였다. 본 논문에 사용된 보안 서비스를 위한 기술적 배경은 XML 전자서명 기술로 XML 전자서명은 기존에 존재하는 전자서명 알고리즘에 XML을 적용한 전자서명 기법으로 기존 서명과는 다르게 부분 데이터에 대한 서명이 가능하기 때문에 매우 효율적이며 현재 널리 이용되고 있는 XML 기반 전자 상거래 시스템에 적용이 쉽다는 장점이 있다. Talking about reliability of E-commerce, the security services such as data integrity and non-repudiation are the most crucial elements. This thesis implemented the real estate contract digital signature system that makes this real estate E-commerce possible. The technical background used in this thesis for the security services is XML (eXtensible Markup Language) signature technique, which is a signature technique that applies XML on the existing digital signature algorithm. The advantage of using XML signature technique is that it is very efficient since signing for the partial data is possible, and it is easy to apply to the XML-based E-commerce system, which is most commonly used.

Strained SGOI n-MOSFET에서의 phonon-limited 전자이동도의 Si 두께 의존성

심태헌,박재근 대한전자공학회 2005 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.42 No.9

To make high-performance, low-power transistors beyond the technology node of 60 nm complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistors(C-MOSFETs) possible, the effect of electron mobility of the thickness of strained Si grown on a relaxed SiGe/SiO2/Si was investigated from the viewpoint of mobility enhancement via two approaches. First, the parameters for the inter-valley phonon scattering model were optimized. Second, theoretical calculation of the electronic states of the two-fold and four-fold valleys in the strained Si inversion layer were performed, including such characteristics as the energy band diagrams, electron populations, electron concentrations, phonon scattering rate, and phonon-limited electron mobility. The electron mobility in an silicon germanium on insulator(SGOI) n-MOSFET was observed to be about 1.5 to 1.7 times higher than that of a conventional silicon on insulator(SOI) n-MOSFET over the whole range of Si thickness in the SOI structure. This trend was good consistent with our experimental results. In particular, it was observed that, when the strained Si thickness was decreased below 10 nm, the phonon-limited electron mobility in an SGOI n-MOSFET with a Si channel thickness of less than 6 nm differed significantly from that of the conventional SOI n-MOSFET. It can be attributed this difference that some electrons in the strained SGOI n-MOSFET inversion layer tunnelled into the SiGe layer, whereas carrier confinement occurred in the conventional SOI n-MOSFET. In addition, we confirmed that in the Si thickness range of from 10 nm to 3 nm, the phonon-limited electron mobility in an SGOI n-MOSFET was governed by the inter-valley phonon scattering rate. This result indicates that a fully depleted C-MOSFET with a channel length of less than 15 nm should be fabricated on an strained Si SGOI structure in order to obtain a higher drain current. (551) 60 nm C-MOSFET 기술 분기점 이상의 고성능, 저전력 트랜지스터를 구현 시키기 위해 SiGe/SiO2/Si위에 성장된 strained Si의 두께가 전자 이동도에 미치는 영향을 두 가지 관점에서 조사 연구하였다. 첫째, inter-valley phonon 산란 모델의 매개변수들을 최적화하였고 둘째, strained Si 반전층의 2-fold와 4-fold의 전자상태, 에너지 밴드 다이어그램, 전자 점유도, 전자농도, phonon 산란율과 phonon-limited 전자이동도를 이론적으로 계산하였다. SGOI n-MOSFET의 전자이동도는 고찰된 SOI 구조의 Si 두께 모든 영역에서 일반적인 SOI n-MOSFET보다 1.5~1.7배가 높음이 관찰 되었다. 이러한 경향은 실험 결과와 상당히 일치한다. 특히 strained Si의 두께가 10 nm 이하일 때 Si 채널 두께가 6 nm 보다 작은 SGOI n-MOSFET에서의 phonon-limited 전자 이동도는 일반 SOI n-MOSFET과 크게 달랐다. 우리는 이러한 차이가 전자들이 strained SGOI n-MOSFET의 반전층에서 SiGe층으로 터널링 했기 때문이고, 반면에 일반 SOI n-MOSFET에서는 캐리어 confinement 현상이 발생했기 때문인 것으로 해석하였다. 또한 우리는 10 nm와 3 nm 사이의 Si 두께에서는 SGOI n-MOSFET의 phonon-limited 전자 이동도가 inter-valley phonon 산란율에 영향을 받는 다는 것을 확인하였으며, 이러한 결과는 더욱 높은 드레인 전류를 얻기 위해서 15 nm 미만의 채널길이를 가진 완전공핍 C-MOSFET는 strained Si SGOI 구조로 제작하여야 함을 확인 했다

하이브리드 비디오 코팅에 의한 디지털 홀로그램 압축기술

서영호,최현준,강훈종,이승현,김동욱,Seo,,Young-Ho,Choi,,Hyun-Jun,Kang,,Hoon-Jong,Lee,,Seung-Hyun,Kim,,Dong-Wook 대한전자공학회 2005 電子工學會論文誌-SP (Signal processing) Vol.42 No.5

디지털 홀로그램의 저변이 확대됨에 따라서 3차원 영상의 구성을 위한 스테레오 영상의 압축기술에 대한 국제적인 표준이 3DAV라는 형태로 진행되는 것과 같이 디지털 홀로그램의 압축 기술에 대한 논의도 활발히 이루어질 것으로 보인다. 3DAV의 경우애도 볼 수 있듯이 기존에 존재하는 여러 가지 기술들을 접목하거나 변형한 형태, 혹은 그들의 혼합된 형태로 논의될 가능성이 크다. 또한 디지털 홀로그램의 압축을 위한 전용 시스템을 구성하는 기존의 기술을 배제하고 개발하는 것은 현실적으로 어렵다. 따라서 다양한 영상압축 기술들과 디지털 홀로그램과의 상관관계에 대한 방향을 제시하고자 한다. 본 논문에서는 기존의 비디오 및 영상압축 도구들을 이용하여 디지털 홀로그램을 효율적으로 부호화하는 기술을 제안하고자 한다. Fringe 패턴의 형태로 표현되는 디지털 홀로그램의 생성 원리를 이용하여 비디오 데이터로 가공한 후에 부호화하는 방식을 이용한다. 여기에는 생성된 디지털 홀로그램을 부호화하기 위해 적절한 형태로 변형하는 전처리 과정, 객체 영상의 모든 정보를 포함하는 공간적인 분할, 디지털 홀로그램의 생성원리와 부합되는 주파수 변환기술, 비디오 데이터로 구성하기 위한 스캔방법, 부호화를 위한 주파수 계수의 분류, 그리고 하이브리드 형태의 압축기술 등이 고려되어 하나의 알고리즘을 구성한다. 압축을 위한 부호화 도구에는 정지영상 압축을 위한 JPEG2000을 비롯하여 동영상 압축을 위한 MPEG-2, MPEG-4, 및 H.264와 같은 국제 표준 압축 알고리즘들과 여러 무손실 압축 기술들이 포함된다. 실험 결과를 살펴보면 제안한 알고리즘은 기존의 기술에 비해서 4배에서 8배 이상의 높은 압축율에서 더 좋은 복원 성능을 보였다. 따라서 제안한 기술은 디지털 홀로그램의 부호화를 위한 좋은 연구 사례가 될 것으로 사료된다. 체중 부하에 의해서 생역학적인 변화를 일으키지 않고 얼마나 유지 할 수 있는지는 보다 장기적인 추시 관찰이 필요할 것으로 사료된다.이 생식소의 에너지 요구에 반응하여 변하는 것으로 추정된다.60일 후 $625{\pm}19.76{\mu}m$로 성장하였고, 생존율은 23%로 가장 높게 나타나 치패사육시 가장 적정한 수온은 $15^{\circ}C$라 판단되었다.다. 시도는 긍정적으로 평가되어야 한다. 그러므로 앞으로는 제품디자인 뿐만이 아닌 다른 다양한 분야들에게로 그 범위가 확대되어 디자인 문화적 정체성을 확립하는 연구가 뒤따라야 할 것이다.. 즉, 제품디자인의 결정요인 분석결과는 QFD의 접근방법에, 제품 디자인 파급효과 분석결과는 컨조인트 분석에 각각 보완적 기여를 할 수 있다. 이와 동시에, 실증적 분석결과는 Ettlie(1997)의 디자인 통합(DI) 이론에 대한 실증적 기반을 제공할 수 있다. 마지막으로, 성공적인 디자인 경영(DM)을 위해서는 최고 경영자의 지원뿐만 아니라 부처 간 의사소통의 장애요인을 제거하고 CFT(cross-functional team)를 운영함으로써 동시적 엔지니어링(CE) 및 제품 및 공정 디자인의 개발이 제품 개발의 속도를 가속화하고 디자인 품질을 높이며 시장 성공을 보증할 수 있도록 해야 한다.임과 채팅은 긍정적인 상호관련을 가진 것으로 나타난 반면 전자메일 서비스 이용은 성적 만족과 부정적인 상호관련을 가진 것으로 분석되었다. 이는 대학생들이 지루하게 느끼거나 외로움을 느낄 때 전자메일을 주로 이용하지만 성적 만족을 위해 전자메일을 According as base of digital hologram has been magnified, discussion of compression technology is expected as a international standard which defines the compression technique of 3D image and video has been progressed in form of 3DAV which is a part of MPEG. As we can identify in case of 3DAV, the coding technique has high possibility to be formed into the hybrid type which is a merged, refined, or mixid with the various previous technique. Therefore, we wish to present the relationship between various image/video coding techniques and digital hologram In this paper, we propose an efficient coding method of digital hologram using standard compression tools for video and image. At first, we convert fringe patterns into video data using a principle of CGH(Computer Generated Hologram), and then encode it. In this research, we propose a compression algorithm is made up of various method such as pre-processing for transform, local segmentation with global information of object image, frequency transform for coding, scanning to make fringe to video stream, classification of coefficients, and hybrid video coding. Finally the proposed hybrid compression algorithm is all of these methods. The tool for still image coding is JPEG2000, and the toots for video coding include various international compression algorithm such as MPEG-2, MPEG-4, and H.264 and various lossless compression algorithm. The proposed algorithm illustrated that it have better properties for reconstruction than the previous researches on far greater compression rate above from four times to eight times as much. Therefore we expect that the proposed technique for digital hologram coding is to be a good preceding research.

회로 시뮬레이션을 위한 단일전자 트랜지스터의 과도전류 모델링

유윤섭,金相勳 대한전자공학회 2003 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.40 No.4

In this study, a regime where independent treatment of SETs in transient simulations is valid has been identified quantitatively. It is found that as in the steady-state case, each SET can be treated independently even in the transient case when the interconnection capacitance is large enough. However, the value of the load capacitance CL of the interconnections for the independent treatment of SETs is approximately 10 times larger than that of the steady state case. A compact SET transient model is developed for transient circuit simulation by SPICE. The developed model is based on a linearized equivalent circuit and the solution of master equation is done by the programming capabilities of the SmartSpice. Exact delineation of several simulation time scales and the physics-based compact model make it possible to accurately simulate hybrid circuits in the time scales down to several tens of pico seconds. The simulation time is also shown to depend on the complexity level of the transient model. 본 논문에서는 과도상태 회로 시뮬레이션에서 각각의 단일전자 트랜지스터 (Single electron transistor: SET)가 독립적으로 다루어질 수 있는 영역을 체계적으로 조사했다. Interconnection 정전용량이 충분히 큰 회로의 과도상태 시뮬레이션에서도 정상상태 경우와 마찬가지로 각각의 SET가 독립적으로 다뤄질 수 있음을 찾았다. 그러나, 각각의 SET들이 서로 독립적으로 다뤄질 수 있는 interconnection의 부하정전용량은 정상상태보다 약 10배 정도 크다. 이런 조건에서 SPICE에 적용 가능한 단일전자 트랜지스터 (Single electron transistor: SET)의 과도상태 compact 모델을 제시한다. 이 모델은 SPICE main routine의 admittance 행렬과 전류 행렬 구성 요소를 효율적으로 만들기 위해 새롭게 개발된 등가회로 접근방식에 기초한다. 과도상태 모델은 전자우물 안의 전자 개수를 정확히 계산하기 위해서 시변 master 방정식 solver를 각각 포함한다. 이 모델을 이용해서 단일전자 회로 및 단일전자 소자/회로와 CMOS 회로가 결합한 SET/CMOS hybrid 회로를 성공적으로 계산했다. SPICE에 적용된 기존의 시뮬레이터의 결과와 비교해서 상당히 일치하며 CPU 계산 시간도 더 짧아짐을 보인다.

Strained SGOI n-MOSFET에서의 phonon-limited전자이동도의 Si두께 의존성

심태헌,박재근,Shim,Tae-Hun,Park,Jea-Gun 대한전자공학회 2005 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.42 No.9

60 nm C-MOSFET 기술 분기점 이상의 고성능, 저전력 트랜지스터를 구현 시키기 위해 SiGe/SiO2/Si위에 성장된 strained Si의 두께가 전자 이동도에 미치는 영향을 두 가지 관점에서 조사 연구하였다. 첫째, inter-valley phonon 산란 모델의 매개변수들을 최적화하였고 둘째, strained Si 반전층의 2-fold와 4-fold의 전자상태, 에너지 밴드 다이어그램, 전자 점유도, 전자농도, phonon 산란율과 phonon-limited 전자이동도를 이론적으로 계산하였다. SGOI n-MOSFET의 전자이동도는 고찰된 SOI 구조의 Si 두께 모든 영역에서 일반적인 SOI n-MOSFET보다 $1.5\~1.7$배가 높음이 관찰 되었다. 이러한 경향은 실험 결과와 상당히 일치한다. 특히 strained Si의 두께가 10 nm 이하일 때 Si 채널 두께가 6 nm 보다 작은 SGOI n-MOSFET에서의 phonon-limited 전자 이동도는 일반 SOI n-MOSFET과 크게 달랐다. 우리는 이러한 차이가 전자들이 suained SGOI n-MOSFET의 반전층에서 SiGe층으로 터널링 했기 때문이고, 반면에 일반 SOI n-MOSFET에서는 캐리어 confinement 현상이 발생했기 때문인 것으로 해석하였다. 또한 우리는 10 nm와 3 nm 사이의 Si 두께에서는 SGOI n-MOSFET의 phonon-limited 전자 이동도가 inter-valley phonon 산란율에 영향을 받는 다는 것을 확인하였으며, 이러한 결과는 더욱 높은 드레인 전류를 얻기 위해서 15 nm 미만의 채널길이를 가진 완전공핍 C-MOSFET는 stained Si SGOI 구조로 제작하여야 함을 확인 했다 To make high-performance, low-power transistors beyond the technology node of 60 nm complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistors(C-MOSFETs) possible, the effect of electron mobility of the thickness of strained Si grown on a relaxed SiGe/SiO2/Si was investigated from the viewpoint of mobility enhancement via two approaches. First the parameters for the inter-valley phonon scattering model were optimized. Second, theoretical calculation of the electronic states of the two-fold and four-fold valleys in the strained Si inversion layer were performed, including such characteristics as the energy band diagrams, electron populations, electron concentrations, phonon scattering rate, and phonon-limited electron mobility. The electron mobility in an silicon germanium on insulator(SGOI) n-MOSFET was observed to be about 1.5 to 1.7 times higher than that of a conventional silicon on insulator(SOI) n-MOSFET over the whole range of Si thickness in the SOI structure. This trend was good consistent with our experimental results. In Particular, it was observed that when the strained Si thickness was decreased below 10 nm, the phonon-limited electron mobility in an SGOI n-MOSFT with a Si channel thickness of less than 6 nm differed significantly from that of the conventional SOI n-MOSFET. It can be attributed this difference that some electrons in the strained SGOI n-MOSFET inversion layer tunnelled into the SiGe layer, whereas carrier confinement occurred in the conventional SOI n-MOSFET. In addition, we confirmed that in the Si thickness range of from 10 nm to 3 nm the Phonon-limited electron mobility in an SGOI n-MOSFET was governed by the inter-valley Phonon scattering rate. This result indicates that a fully depleted C-MOSFET with a channel length of less than 15 m should be fabricated on an strained Si SGOI structure in order to obtain a higher drain current.

전자화폐의 국내외 동향과 전망

송유진 대한전자공학회 2002 전자공학회지 Vol.29 No.11

최근 전자상거래의 급격한 발전은 새로운 비즈니스 패러다임을 가져오고 있다. 이러한 디지털 비즈니스 체제로의 성공적인 진입을 위한 지불 수단으로서 전자화폐의 필요성은 갈수록 증대되고 있다. 실용화된 전자화폐를 경제적으로 사용할 수 있는 경제 체제가 확립되면서 전자지불 산업계의 움직임도 활발해지고 있다. 특히, IC카드를 전자 지갑으로써 이용하는 If카드형 전자화폐가 세계적인 규모로 실용화되고 있으며 전자화폐의 업계 표준을 둘러싼 경쟁이 격화되고 있다. 전자화폐의 이용분야도 백화점, 편의점, 체인점, 주유소, 자동판매기 등 유통부문은 물론 버스, 지하철, 주차장, 고속도로 톨게이트 등의 교통 부문으로 확대되고 있다 또한 고궁, 박물관, 관공서 수수료 등 공공서비스 부문에서도 사용할 수 있는 등 일상생활과 밀접한 소액 지불시장에서 이용이 가능하게 되었다. 한편, 디지털 데이터인 전자화폐를 보호하기 위한 보안기술의 개발과 다양한 전자화폐의 상호 호환성을 제공하기 위한 표준의 확립 등이 시급히 요구되고 있다. 본 논문에서는 전자지불 산업계의 활발한 움직임에 맞추어 전자화폐의 실용화, 보급을 지원하는 입장에서 전자화폐의 개념과 분류, 국내외 동향을 살펴보고, 향후 발전 전망에 대해 논하고자 한다.

전자선 직접묘사에서 Through-put이 향상된 단위 矩形묘사방법

박선우,김철주,Park,,Sun-Woo,Kim,,Chul-Ju 대한전자공학회 1989 전자공학회논문지 Vol. No.

This paper describes to the unit rectangle EB direct writing lithography method using SEM. This method has the constant exposure time to any rectangle pattern. In order to change the EB current according to various rectangle size for the constant exposure time, the supply current of condenser lens in controlled by BITMAP-IV CAD system. By this method, the resizing procedure of density pattern area is not needed to pattern data conversion, and the through-put ofr exposure is increased about 172 times compared with the unit scan exposure method. 본 논문은 패턴의 모양에 따라서 패턴 데이타 포멥변환시 분할되는 각종 矩形패턴을 크기에 구애됨이 없이 전자선 직접묘사 시간이 일정한 矩形단위로 전자선 직접묘사하는 방법을 제안하였다. 본 실험에서는 SEM을 사용하였으며 矩形의 크기에 따라 일정시간에 요구되는 전자선 전류를 변화시키기 위하여 집속렌즈의 공급전류를 BITMAP-IV CAD 시스템으로 제어하였다. 본방법에서는 패턴 데이타 포맵변환시 밀집된 패턴에 대한 resizing과정이 불필요하며 묘사시간에 근거한 through-put은 unit scan방식에 비하여 172배가 향상되었다.

휴대전화 전자파에 의한 자각증상 및 생리학적 변화

홍현기(Hyun Ki Hong), 지효철(Hyo Chul Ji), 김수찬(Soo Chan Kim), 김덕원(Deok Won Kim) 대한전자공학회 2008 電子工學會論文誌-SC (System and control) Vol.45 No.3

최근 휴대폰 보급률이 증가하면서 휴대폰 전자파로 인해 두통, 불면증, 단기간의 기억력 소실 등의 정신 신경 생리학적 증상을 호소하는 휴대폰 전자파 과민증(EHS, Electromagnetic Hypersensitivity) 환자들이 나타나고 있다. 그러나 휴대폰 전자파 과민반응의 원인이 막연한 불안감 때문인지 혹은 전자파 노출로 인한 증상 인지에 대하여 확실한 원인규명이 되지 않고 있다. GSM 방식의 휴대폰의 경우 전자파 노출 시 EHS 군을 대상으로 혈압, 맥박수 변화 및 자각 증상 등의 과민 반응에 대한 연구들이 수행되었으나 일반인과 EHS 군의 실험-대조군 연구로 생체신호, 자각증상 및 전자파 인지 여부에 대한 복합적인 연구와 CDMA 휴대폰 EHS 연구는 거의 없는 실정이다. 본 연구에서는 일반인 19명과 EHS 17명을 대상으로 30분간 300 mW의 CDMA 휴대폰 전자파에 노출 시 교감신경의 흥분을 나타내는 맥박, 호흡수, HRV(heart rate variability)의 변화를 측정하고, 전자파 노출 시 전자파 인지여부와 두통, 피로 등의 자각증상을 조사하였다. 그 결과, 일반인과 EHS 군 모두 전자파 노출여부에 따라 맥박, 호흡수, HRV의 변화가 없었고, 자각증상의 차이도 없었다. 전자파 인지 조사 결과 EHS 군이 일반인 군에 비하여 전자파를 더 잘 인지한다고 볼 수 없었다. Due to the fast increase in cellular phone users, public interest on health effect of electromagnetic fields(EMFs) by cellular phones is gradually increasing. Some EHS(electromagnetic hypersensitivity) patients complain of psycho-neurophysiological symptoms such as headaches, insomnia, memory loss resulting from RF radiation by CDMA cellular phones. However, EHS is difficult to diagnose and depends on the individual's subjective judgement. And we don't know clearly if the cause of EHS is uneasiness or real exposure. There have been various EHS volunteer studies on heart rate, blood pressure and subjective symptoms using GSM phones. But there are few studies on experimental case-control study investigating physiological parameters, subjective symptoms, and perception of EMFs. In this study, two volunteer groups of 17 self-declared EHS and 19 controls were exposed to both sham and real RF exposure by CDMA cellular phones for half an hour each. We investigated not only the physiological parameters such as heart rates, respiration rates and HRVs(hear rate variability), but also the perception of EMFs and subjective symptoms. As the results, EMF exposure did not have any effects on the subjective symptoms or physiological parameters for both groups. For the EMF perception, there was no evidence that EHS group perceived the EMFs correctly than the control group.