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ALD 장비의 Al2O3 공정 안정화를 위한 저온 트랩 장치의 특성 평가
권상직,서용혁,이원우,김인환,한지은,이연주,조재효,전용민,조의식 한국반도체디스플레이기술학회 2024 반도체디스플레이기술학회지 Vol.23 No.1
The application of the technology for forming Al2O3 thin films using ALD(atomic layer deposition) method is rapidly increasing in the semiconductor and display fields. In order to increase the efficiency of the ALD process in a mass production line, metallic by-products generated from the ALD process chamber must be effectively collected. By collecting by-products flowing out of the chamber with a cold trap device before they go to the vacuum pump, damage to the vacuum pump can be prevented and the work room can be maintained stably, resulting in increased process flow rate. In this study, a cold trap was installed between the ALD process chamber and the dry pump to measure and analyze by-products generated during the Al2O3 thin film deposition process. As a result, it was confirmed that Al and O elements were discharged, and the collection forms were two types: bulk and powder. And the binding energy peaked at 73.7 ~ 74.3 eV, the binding energy of Al 2p, and 530.7 eV, the binding energy of O 1s, indicating that the binding structure was Al-O.
LDD 방식에 의한 Short 채널 MOSFET의 특성
권상직,권오준,Gwon, Sang-Jik,Gwon, O-Jun 한국전자통신연구원 1986 전자통신 Vol.8 No.4
LDD(Lightly Doped Drain) 방식에 의한 MOSFET의 제조 공정 및 특성에 관하여 실험 분석하였다. MOS 소자의 채널 길이가 짧아짐에 따라 드레인 가장자리에서 자체 형성되는 높은 전계로 말미암아 애벌런치 항복 전압(avalanche breakdown voltage)이 상당히 감소 한다. 이 전압을 높여 주기 위한 기술로서 LDD 방식이 적용되었으며 종래의 제조방식에 의한 MOSFET와 비교 기술되었다.
PDP(Pasma Display Panel)의 진공 인-라인 실장장치 개발
권상직,Gwon, Sang-Jik 한국정보디스플레이학회 2003 인포메이션 디스플레이 Vol.4 No.2
차세대 디스플레이로 부각되는 FPD(Flat Panel Display)의 제작과정에서 수행되고 있는 기존의 배기 봉착 공정을 진공 인-라인 방식으로 대체함으로써 PDP나 FED의 생산성 및 효율성을 혁신적으로 높일 수가 있다. 매우 취약한 진공실장 기술 및 관련 장비를 개발함으로써 FPD 양산화에 절대적으로 필요한 패널의 생산성 및 수율, 수명을 높일 수 있다. 국내 첨단산업의 경우 생산 장비의 해외 의존도가 너무 높아 국가 기술경쟁력 약화의 한 원인이 되고 있으므로 FPD의 개발 초기단계에서부터 장비 제작업체와의 유기적 협력을 통해 필수적 생산 장비의 조기개발을 통해 장비 국산화를 이룰 수 있다. 본 고에서는 현재 21세기 차세대 신기술 산업으로 평가받고 있는 평판디스플레이의 진공 인-라인 실장 기술을 할 수 있는 경원대학교에서 자체 개발한 진공 인-라인 실장과 장비에 대해 기술하고자 한다.
권상직,장찬규,Kwon, Sang-Jik,Jang, ChAn-Kyu 한국반도체디스플레이기술학회 2005 반도체디스플레이기술학회지 Vol.4 No.3
The effects of the base vacuum level on a plasma display panel (PDP) produced by the vacuum in-line sealing technology were investigated. The main equipment of the vacuum in-line sealing process consists of the sealing chamber, pumping systems for evacuating, mass flow controller for introducing the plasma gases, and other measuring systems. During the sealing process, the impurity gases were fully evacuated and the panel was prevented from the adsorption of impurity gases. As a result, the brightness increased as the impurity gas density decreased, so we found that the vacuum in-line sealing process was more efficient technology an the conventional sealing process.
증착된 비정질 실리콘층을 통한 As-Preamorphization 방법으로 형성된 소오스/드레인을 갖는 deep submicron PMOSFET의 제작
권상직,김여환,신영화,김종준,이종덕 대한전자공학회 1995 전자공학회논문지-A Vol.32 No.6
Major limiting factors in the linear scaling down of the shallow source/drain junction are the boron channeling effect and the Si cosumption phenomenon during silicidation. We can solve these problems by As preamorphization of the predeposited amorphous Si layer. The predeposited amorphous Si layer made the junction depth decrease to nearly the thickness value of the layer and was effectively utilized as the cosumed Si source during Ti silicidation. This method was applied to the actual fabrication of PMOSFET through SES (selectricely etched Si) techology.
고효율 PDP를 위한 진공 인라인 실장에서의 MgO 보호막 영향분석
권상직,장찬규,Kwon, Sang-Jik,Jang, Chan-Kyu 한국전기전자재료학회 2005 전기전자재료학회논문지 Vol.18 No.11
We have examined the electrical and optical characteristics of the plasma display panel produced by vacuum in-line sealing technology. In the MgO layer deposited at room temperature, after sealing at the panel temperature of $430^{\circ}C$, the luminous efficiency decreased compared with that of the panel before sealing. Moreover, firing and sustain voltage of the sealed panel increased compared with that of the panel before sealing. This was resulted from that the MgO protective layer was cracked by the softening of the dielectric layer during the sealing process. In order to avoid the MgO crack during the vacuum in-line sealing, thermally stable MgO layer or lower temperature sealing is required.
아르곤 이온에 의해 표면처리된 CNT 에미터의 전계방출 특성
권상직 대한전자공학회 2007 電子工學會論文誌 IE (Industry electronics) Vol.44 No.2
A surface treatment was performed after the screen printing of a carbon nanotube paste for obtaining the carbon nanotube field emission array(CNT FEA) on the soda-lime glass substrate. In this experiment, Ar ion bombardment was applied as an effective surface treatment method. After making a cathode electrode on the glass substrate, photo sensitive CNT paste was screen-printed, and then back-side was exposure by uv light. Then, the exposed CNT paste was selectively remained by development. After post-baking, the remained CNT paste was bombarded by accelerated Ar ions for removing some binders and exposing only CNTs. As results, the field emission characteristics were strongly depended on the accelerating energy. At 100 eV, the emission was highest and as the acceleration energy increases more then 100 eV, the emission decreased. This was due to the removal of CNT itself as well as binders. 카본나노튜브 전계 방출 어레이(carbon nanotube field emission array, CNT FEA)를 유리기판 상에 형성시키기 위하여 CNT 페이스트를 스크린 프린팅 후 표면처리를 수행하였다. 본 실험에서는 효과적인 표면처리 방법으로서 이온 빔을 조사(expose)시키는 방법을 연구하였다. 먼저, 유리 기판상에 감광성 CNT 페이스트를 스크린 프린팅하고 UV 후면노광 및 현상공정에 의해 선택적으로 CNT 페이스트를 남겼다. 다시 고온에서 소성후 CNT들은 바인더 성분들에 의해 문히게 된다. 본 실험에서는 소성된 CNT 페이스트의 표면상에 Ar 이온빔을 가속시켜 페이스트의 바인더(binder)를 선택적으로 제거함으로써 전계방출 특성을 향상시킬 수 있었다. 표면처리를 위한 이온 빔 가속시 이온빔의 가속에너지에 따라 특성이 크게 변화되었는데, 본 연구에서는 100 V의 낮은 가속 전압에서 가장 높은 전계방출 특성을 나타내었으며 가속 전압이 너무 높으면 바인더 성분 외에도 CNT 자체가 제거됨으로써 오히려 특정이 저하됨을 알 수 있었다.