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중앙아시아 수집 꽃피는 마늘의 주아 이용 종구생산 및 통구재배 가능성 검토
이기안,고호철,조규택,이정로,성정숙,이정윤,이영이,류위선,현영실,곽재균 한국국제농업개발학회 2015 韓國國際農業開發學會誌 Vol.27 No.3
중앙아시아에서 수집한 꽃피는 마늘 A. longicuspis의 주아와 주아를 도입해서 생산한 1년생 통구를 각각 노지에 재배하여 우리나라에서 주아재배를 통한 종구(통구)생산과 통구재배를 통한 마늘생산 가능성을 검토하였다. 평균 월동율은 주아재배에서 77.3%, 통구재배에서는 100%로서 우리나라의 대표적인 재래종인 단양마늘이나 의성마늘에 비하여 훨씬 높아서꽃피는 마늘의 주아와 통구를 중부지방에서 재배함에 있어서월동성은 큰 문제가 되지 않을 것으로 사료되었다. 주아재배에서 월동한 모든 개체가 통구 수확이 가능하였고 통구 형성율은 모든 자원이 100%이었다. 통구재배에서 추대율이 100%이었으며, 재래종 대비 화경장이 길고 주아 수가 많았다. 구크기는 대부분이 재래종에 비하여 작았지만 K248215 자원은구중이 40 g으로서 단양마늘과 비슷하였으며 구당 쪽수는 재래종에 비하여 대부분의 자원이 많았고 화기에 꽃과 주아가동시에 존재하였으며 주아를 제거하지 않은 상태에서는 종자가 맺히지 않았다. This study was conducted to investigate the possibility of production of seed garlic using bulbils and production of garlic using none-cloved bulb from bulbils in A. longicuspis Regel, introduced from Central Asia, the main center of garlic diversity. A. longicuspis accessions showed higher overwintering rate than Korean landraces cultivars, Danyang and Euiseong in both bulbils and none-cloved bulb cultivation in the middle part, Korea. In none-cloved bulb cultivation, A. longicuspis accessions showed higher bolting rate, longer scape length and more number of bulbils than Korean landraces cultivar, but size of bulbs and bulbils were smaller. All of the A. longicuspis accessions had more number of cloves per bulb than Korean landraces. All the accessions of A. longicuspis from Central Asia were complete bolters having both many flowers and topsets in umbel.
HF 세정후 자연 산화막의 존재가 티타늄 실리사이드 형성에 미치는 영향
배종욱,현영철,유현규,이정용,남기수,Bae, Jong-Uk,Hyeon, Yeong-Cheol,Yu, Hyun-Kyu,Lee, Jeong-Yong,Nam, Kee-Soo 한국재료학회 1998 한국재료학회지 Vol.8 No.5
HF 세정후 자연 산화막의 존재가 급속 열처리 장비를 이용, 아르곤 분위기에서 열처리할 때 티타늄 실리사이드 형성을 관찰하였다. 고분해능 단면 투과 전자 현미경 관찰 결과 기판 온도가 상온일 때 자연산화막(native oxide)이 존재함을 확인하였으며 기판 온도가 40$0^{\circ}C$일 때는 실리콘 기판과 티타늄 박막의 계면 부위에서 자연산화막, 티타늄 및 실리콘이 혼합된 비정질층이 존재함을 확인하였다. 티타늄을 증착하는 동안 기판 온도를 40$0^{\circ}C$로 유지했을 때는 C54~$TiSi_2$상이 형성되는데 요구되는 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing : RTA)온도가 기판 온도를 상오느로 유지 했을 때보다 $100^{\circ}C$정도 감소함을 확인하였다. 이 같은 결과는 산소불순물을 함유한 비정질 층이 핵생성 자리를 제공하여 이 상의 형성이 촉진된다는 사실을 말한다. 기판온도 $400^{\circ}C$에서 형성된 티타늄 실리사이드막의 경우 비저항 $\mu$$\Omega$cm임을 확인하였다.
진영모,현영철,Jin, Yeong-Mo,Hyun, Young-Chul 한국전자통신연구원 1988 전자통신동향분석 Vol.3 No.2
반도체 가스의 순도에 따라 반도체 박막의 특성이 좌우되기 때문에 현재의 고순도 가스에서 초고순도 가스로 사용하여야 한다. 최근 반도체 공정기술은 화학증착법으로 많은 특수 가스를 사용하는데 이런 가스들은 사전에 가스에 대한 전문 지식과 기술을 충분히 이해한 다음 사용하여야만 고성능화 공정기술이 가능하다. 반도체용 가스는 회로의 집적도가 높아짐에 따라 요구되는 가스의 품질이 점점 고순도화되고 있다. 따라서 현 반도체 공정에 사용되는 가스 순도를 초고순도화 시켜야만 초고집적 소자인 4M DRAM, 16M DRAM, 64M DRAM 제품 개발 및 제조가 가능하다. 다시말해서 공정에 따른 주변조건이 이루어져야 만 반도체 산업이 크게 신장 할 수 있다. 최근 반도체 공정 기술로는 플라즈마(Plasma), 드라이에칭(Dry etching), CVD(Chemical Vapor Deposition), MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), Ion Implantation, EPI 공정으로 거의 대부분 공정 가스가 가연성, 폭발성, 독성, 부식성 이기 때문에 한번 취급을 잘못하면 막대한 인명 및 재산 피해를 입히므로 취급상 특별한 주의를 요하고 사전에 가스의 전문 지식과 기술을 충분히 이해한 다음 사용하여야 한다.
실내공기정화기에서 먼지 및 유기물화합물의 동시 제거에 관한 연구
목영선,강호철,이호원,현영진 제주대학교 공과대학 첨단기술연구소 2002 尖端技術硏究所論文集 Vol.13 No.1
The indoor air cleaner used in this study consisted of a plasma reactor followed by an electrostatic precipitator. The role of the electrostatic precipitator is to collect particulate matters, and the plasma reactor plays an important role in decomposing organic compounds and precharging particulate matters in order that they may easily be collected in the following electrostatic precipitator. For the performance test of the air cleaner, toluene, trichloroethylene (TCE), n-butanol and methanol were added to the indoor air. According to the experimental data, the collection efficiency of particulate matters was found to be largely enhanced when the plasma reactor was operated. This enhancement of collection efficiency is believed to result from precharging particulate matters. A large amount of electrical energy was required for the decomposition of the organic compounds, which indicates that the indoor air should be repeatedly circulated for proper treatment.
다결정 실리콘의 선택적 성장을 이용한 깊은 트랜치 격리기술
박찬우,김상훈,현영철,이승윤,심규환,강진영 한국진공학회 2002 Applied Science and Convergence Technology Vol.11 No.4
식각된 트랜치의 내부에 다결정 실리콘 측벽을 형성하고, 감압 화학기상 증착법(RPCVD: Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition)을 이용해서 이를 선택적으로 성장시킴으로써 트랜치를 채우는 새로운 트랜치 격리방법을 제안하였다. 공정진행 결과, 측벽의 초기깊이와 선택적으로 성장되는 실리콘의 두께가 트랜치의 최종형태를 결정하는 가장 중요한 요소임을 확인할 수 있었다. 이 방법은 CMP 공정을 거치지 않고도 트랜치의 내부만이 실리콘으로 채워진 구조를 구현함으로써, 공정을 단순화할 뿐만 아니라 불균일 연마와 흠집발생 등 기존의 CMP 공정에서 발생할 수 있는 문제들을 방지할 수 있다는 장점을 지니고 있다. A new method for deep trench isolation using selective growth of polycrystalline silicon is proposed. In this method, trench filling is performed by forming polysilicon-inner sidewalls within the trench, and then selectively growing them by reduced chemical vapor deposition using $SiH_2C1_2$gas at $1100^{\circ}C$. The surface profiles of filled trenches are determined mainly by the initial depth of inner sidewalls and the total thickness of selective growth. No chemical mechanical polishing(CMP) process is needed in this new method, which makes the process flow simpler and more reliable in comparison with the conventional method using CMP process.