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스핑크스퍼즐로 모든 삼각형 해법 찾기 과제에서 나타나는 학생들의 수학적 사고 특성 분석
방신영,송상헌 한국초등수학교육학회 2013 한국초등수학교육학회지 Vol.17 No.1
본 연구는 van Hiele이 소개한 7조각 모자이크퍼즐(이하 스핑크스퍼즐)을 도형 교육이나 수학적 사고 교육에 효과적으로 적용하는 방안을 모색하고자 한다. 이를 위해 Dienes의 수학학습 6단계 이론을 적용한 수업에서 학생들의 수학적 사고 특성을 분석하는 것을 목적으로 한다. 총 3차시에 걸쳐 학급 전체를 대상으로 한 수업에서 연구자는 수업의 진행자 및 관찰자로 활동하였다. 보다 세밀한 분석을 위해 관찰 대상은 학업성취도가 상위권 및 중위권인 초등학교 6학년 4명의 학생으로 제한하였다. 학생들에게 제시한 최종 과제는 <스핑크스퍼즐로 만들 수 있는 서로 다른 크기의 모든 삼각형의 개수와 그 도형들의 보다 깔끔한 해법 찾기>이다. 이 과제를 해결하는 동안 학생들에게서 나타나는 수학적 사고 특성을 片桐重男의 수학적 사고․태도 중 조작의 사고, 연역적 사고, 보다 나은 방법을 알아보려는 태도를 중심으로 분석하고 이로부터 시사점을 도출하였다.
촉매를 사용하지 않는 열 기화법으로 다양한 형태의 ZnO 3차원 구조체 합성
방신영,오동근,최봉근,함헌,김경훈,심광보,Bang, Sin Young,Tran, Van Khai,Oh, Dong Keun,Maneeratanasarn, Prachuporn,Choi, Bong Geun,Ham, Heon,Kim, Kyoung Hun,Shim, Kwang Bo 한국결정성장학회 2013 한국결정성장학회지 Vol.23 No.1
다른 형태의 ZnO는 형태에 따라 각각의 활용분야에 사용할 수 있다. 다양한 형태의 ZnO 구조체(structures)는 촉매를 사용하지 않는 열 기화법(thermal evaporation process)으로 합성되었다. ZnO 구조체의 형태들은 같은 실험 공정에서 기판과 소스간의 거리에 의존하였으며, 그 결과 합성물의 형태는 hollow, cage, star 이었다. ZnO 구조체의 형상과 결정성을 주사전자현미경(SEM)과 X선 회절분석(XRD)으로 각기 평가했다. 본 연구에서는 어떤 종류의 성장 요소가 최종 구조체의 형태에 관여하는지를 입증한다. ZnO with different morphologies can be used various application depending on their shapes. Different morphologies of ZnO structures were synthesized by a catalysis-free thermal evaporation process. Their morphologies were dependent on the distance from the source to substrate on the same processing condition; in the result were products morphologies of the hollow, cage and star. Their shapes and crystalinity were evaluated by SEM and XRD, respectively. This work demonstrates what kind of growth factors would be involved in the final structure morphologies.
방신영,김우식,정준호,최봉근,심광보,Bang, Sin-Young,Kim, Woo-Sik,Chung, Jun-Ho,Choi, Bong-Geun,Shim, Kwang-Bo 한국결정성장학회 2008 한국결정성장학회지 Vol.18 No.2
열증착법(thermal evaporation method)에 의해 ZnO 나노선을 합성하였다. 나노선 합성조건에 따른 구조적 특성을 분석하여 그 합성 메카니즘을 확인하였다. ZnO 나노선 합성 시 기화 온도가 고온일수록 성장속도가 빠르고 $CO/CO_2$ 분압이 역전되는 1000$^{\circ}C$ 이상에서는 그 형태가 크게 변화하고, 성장온도 700$^{\circ}C$ 이상에서 Au 촉매가 그 기능을 하고 있음을 확인하였다. 성장된 ZnO 나노선은 380 nm에서의 blue emission을 나타냄을 확인하였다. ZnO nanowires were synthesized by the thermal evaporation method and their growth mechanisms were confirmed by the characterization of the structural features depending on the growth conditions. The increase of vaporization temperature accelerates the growth rate and morphologies of ZnO nanowires were drastically changed at the temperature over 1000$^{\circ}C$, because of changed $CO/CO_2$ partial pressure. Au particles play their role on growth of ZnO nanowire as catalyst at growth temperature over 700$^{\circ}C$. The synthesized ZnO nanowires exhibit blue emission at 380 nm.
권기란,방신영,박종완,심광보,Kwon, Ki-Ran,Bang, Sin-Young,Park, Jong-Wan,Shim, Kwang-Bo 한국결정성장학회 2009 한국결정성장학회지 Vol.19 No.2
Zachery 처리 터키석의 표면 특성을 일반적인 터키석 처리 방법으로 알려진 플라스틱 주입에 의해 처리한 터키석과 어떠한 처리도 하지 많은 천연의 터키석과 비교 분석을 하여 Zachery 처리 공정을 평가하였다. SEM-EDS 결과, Zachery 처리 터키석은 내부에서 칼륨의 균일한 분포가 관찰되었고 천연 터키석에서 보이는 날카로운 quartz 표면과 경계면을 관찰할 수 없었다. 또한 Zachery 처리 터키석에서 나타나는 칼륨은 내구성 향상을 위한 전체 처리 과정에 의해 발생하는 것으로 확인되었다. 기공에서 관찰되는 주상형의 결정은 Zachery 처리 터키석의 또 다른 특성으로 Zachery 처리 터키석의 내구성에 영향을 주며, 원재료의 기공 크기는 처리의 변수로 작용함을 확인하였다. The surface characteristics of Zachery-treated turquoise stones have been studied in detail with a comparison of natural and plastic-impregnated turquoise. The SEM-EDS analysis exhibited that Zachery-treated turquoise was characterized by the uniform distribution of potassium element through the specimen and did not show the sharp crystalline $SiO_2$ facet and boundary phase which are common in natural ore. The potassium element shown in the Zachery-treated turquoise seemed to be occurred during the treatment process for the improvement of durability. The bar-shaped crystals observed in the pore was found to be a feature of Zachery treated turquoise and are expected to influence on their stability and durability, while the pore sizes in turquoise stones depends on the parameter of the treatment procedure.
HVPE법으로 성장시킨 GaN 단결정의 wet etching에 의한 표면 변화
오동근,최봉근,방신영,강석현,김소연,김새암,이성국,정진현,김경훈,심광보,Oh, Dong Keun,Choi, Bong Geun,Bang, Sin-Yeong,Kang, Suk Hyun,Kim, So Yeon,Kim, Sae Am,Lee, Seong Kuk,Chung, Jin Hyun,Kim, Kyoung Hun,Shim, Kwang Bo 한국결정성장학회 2012 한국결정성장학회지 Vol.22 No.6
본 연구에서는 HVPE법으로 사파이어 기판(0001) 위에 성장시킨 GaN epilayer의 etching에 따른 표면변화 특성을 조사하였다. 주사전자 현미경(SEM) 관찰 결과, 3가지 형태를 갖는 육각형 모양의 etch pit(edge, screw, mixed) 들이 GaN epilayer의 두께 변화에 따라서 형성되었다. 이러한 관통전위들은(TDs) epilayer의 두께가 얇고, etch pit density가 높을수록 screw and mixed type TDs이 많이 관찰되었고, 두께가 증가할수록 etch pit density가 낮아지면서 edge and mixed type TDs들이 주로 존재하는 것을 관찰 할 수 있었다. In this paper, we investigated characteristics of etching induced surface morphology variation by wet etching of GaN epilayer were grown on sapphire (0001) substrate by hydride vapor phase epitaxy (HVPE). As a results of scanning electron microscope (SEM) observation, three types of hexagonal etch pits (Edge, Screw, Mixed) were formed by the GaN epilayer thickness variations. A lot of etch pits, attributed to screw and mixed type TD, were observed at thinner epilayer, leading to high etch pit density. On the other hand, the thickness of GaN epilayer increased with the number of etch pits corresponding to edge and mixed dislocations, which are the majority of TDs are observed.