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음극아크 이온 플레이팅法에 의한 TiN 皮膜特性에 관한 硏究
金剛範,白英男 慶熙大學校 材料科學技術硏究所 1995 材料科學技術硏究論集 Vol.8 No.-
Titanium nitride (TiN) films have been prepared on various substrates (silicon wafer, HSS) by CAIP (cathode arc inn plating) process. Microhardness, adhesion and wear-resistant behaviors were measured for films processed by changing the substrate bias voltage (0--300V) and thickness, roughness. Microhardness was measured by MVHT (micro vickers hardness tester), the adhesion strength was evaluated by acoustic signals through the scratch test (RVEST) with incremental applied load. As the substrate bias voltage was increased, the {111} orientation was predominant, the microhardness and adhesion strength of tool steel was observed to be stronger than that of without substrate bias voltage. 88 The wear resistance were obtained as function of applied load and sliding velocity, sliding distance. As a main result the wear behaviour of the deposited tool steels is remarkably improved without significant change in coating hardness or adhesion.
MagicSquare를 이용한 애플리케이션 레벨 멀티캐스트
김강범(Gang-beam Kim),한동윤(Dong-Yun Han),손영성(Young-Sung Son),김경석(Kyongsok-Kim) 한국정보과학회 2004 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.31 No.2Ⅲ
IP 멀티캐스트 기술은 지난 10여년동안 꾸준히 발전해 왔지만 라우터의 편재형 배치(Ubiquitous deployment)가 되지 않음으로 인해 네트워크 라우터가 패킷을 복사, 전달함으로서 종단 호스트와 네트워크 라우터 간에 부가적인 제어와 라우팅 프로토콜이 필요하게 되는 단점이 있다. 이에 대한 대안으로 현재 오버레이 네트워크를 이용한 애플리케이션 레벨 멀티캐스트가 많이 연구되고 있다. 본 논문에서는 P2P 오버레이 네트워크를 이용해 확장성(scalability)이 있고 참여지연(Join delay)이 적으면서 효율적인 트리를 구성할수 있는 애플리케이션 레벨 멀티캐스트를 제안한다.
심동석,김강범,김정규,Sim, Dong-Seok,Kim, Gang-Beom,Kim, Jeong-Gyu 대한기계학회 2000 大韓機械學會論文集A Vol.24 No.8
In this study, to investigate and to predict the crack growth behavior under variable amplitude loading, crack growth tests are conducted on 7075-T6 aluminum alloy. The loading wave forms are generated by normal random number generator. All wave forms have same average and RMS(root mean square) value, but different standard deviation, which is to vary the maximum load in each wave. The modified Forman's equation is used as crack growth equation. Using the retardation coefficient D defined in previous study, the load interaction effect is considered. The variability in crack growth process is described by the random variable Z which was obtained from crack growth tests under constant amplitude loading in previous work. From these, a statistical model is developed. The curves predicted by the proposed model well describe the crack growth behavior under variable amplitude loading and agree with experimental data. In addition, this model well predicts the variability in crack growth process under variable amplitude loading.
조본구,이택영,이종원,김준기,김강범,Cho Bon-Goo,Lee Taek-Yeong,Lee Jongwon,Kim Jun-Ki,Kim Gangbeom 한국마이크로전자및패키징학회 2005 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.12 No.3
페리퍼럴 어레이 플립칩의 온도 분포를 실측하여 열원의 기하학적 형상, 소자의 크기, 그리고 보호막 개구 크기 변화에 따른 소자의 열 성능을 측정하였다. 열원의 크기가 작고, 플립칩 솔더 범프에서 먼 중앙 열원의 경우가 전 면적 열원에 비해서 소자의 온도가 매우 높았다. 여기에 더해, 보호막 개구의 모양 변화에 의한 접촉 면적의 증가를 통해 소자의 최대 온도를 낮출 수가 있었다. 중앙 열원을 갖고 원형 개구에 2 (watts)의 전력이 가해지는 경우, $3(mm)\times3(mm)$크기 소자의 최대 온도는 약 $110(^{\circ}C)$이고, 이에 반해 $1.5(mm)\times1.8(mm)$ 크기 소자의 최대 온도는 약 $90(^{\circ}C)$ 이었다. 또한 보호막 개구의 모양을 원형 개구에서 잘린 사각형 개구로 변화시키면서 접촉 면적을 증가시킨 경우, $3(mm)\times3(mm)$ 크기의 소자와 중앙 열원을 갖는 경우에서 약 $10(^{\circ}C)$의 온도 감소를 나타내었다. 따라서 열원 소자의 위치와 크기, 소자의 크기, 그리고 개구 면적에 따른 솔더의 접촉 면적에 따라 플립칩의 열 성능이 현격한 차이를 나타내고 있음을 알 수 있다. The distribution of temperature of flip chipped device with peripheral solder bump array was measured with variables, such as the locations and geometries of heater, the size of device, the size of passivation opening. The highest temperature was measured with the larger device, $3.0(mm)\times3.0(mm)$, which has the smallest heater at the center of device and the circular passivation opening. For 2 (watts) power input, the device shows the highest temperature of about $110(^{\circ}C)$. In contrast, the smaller device, $1.5(mm)\times1.8(mm)$, shows that of $90(^{\circ}C)$. In addition to the size effect, the increase of passivation opening size decreased the maximum temperature by about $10(^{\circ}C)$. From the measurement, the temperature of device could be controlled with the size and geometry of heater, the size of device and the size and geometry of passivation opening.
식각용액 내의 염화구리 농도에 따른 COF 배선 전극의 스프레이 습식 에칭 특성 변화
이도경,정지혜,조연주,정도윤,김강범,강지훈,오상덕 한국공업화학회 2015 한국공업화학회 연구논문 초록집 Vol.2015 No.1
디스플레이 패널에 신호를 인가하기 위한 구동 IC를 접속하는 데 사용되는 COF(Chip On Film)는 최근 기판 배선의 미세화가 요구에 대응 가능한 미세회로 전극패턴 제조를 위한 습식 에칭 기술 개발이 필요하다. 본 실험에서는 염화구리기반의 식각용액을 사용하여 스프레이 공정으로 Cu 전극의 습식 에칭 특성을 조사하였다. 염화구리 농도가 낮을 경우, 충분한 에칭이 완료되지 못하여 배선형성을 이루지 못하지만 염화구리 농도가 상당히 높을 때는 반응 물질의 농도가 커지게 되어 과에칭에 의한 배선 손실 및 배번의 하부가 많이 에칭되는 언더컷 불량이 발생하여 에칭팩터가 낮은 특성을 나타내었다. 염화구리 첨가량이 100g/Lt에서 에칭팩터가 가장 높게 분석되었다.