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DC-PACVD를 이용한 Nanocrystalline diamond 합성에 대한 연구
이학주,전형탁,백영준,이욱성 한국표면공학회 2010 한국표면공학회 학술발표회 초록집 Vol.2010 No.11
DC-PACVD를 이용하여 4-in Si wafer에 두께 및 표면 roughness가 균일하고, 매끄러운 경면성의 표면을 갖는 NCD 박막 합성을 구현하기 위한 방법론을 연구하였다. Ultrasonically seeding 및 cleaning 시간에 따라 DPD의 차이를 보였으며, 메탄 주입 시점을 앞당김으로써 incubation time에서 seeding particles이 hydrogen-rich plasma에 의해 에칭되는 비율을 줄일 수 있었다. 음극온도에 따라서 DC plasma에 의해 분해된 원료 가스 중의 carbon 성분이 음극 표면으로 손실되는 정도에 차이가 있었으며, 결과적으로 기판에 도달하여 핵생성에 참여하는 carbon 성분의 비율에 영향을 주었다. 이상적인 음극온도는 800 ℃에서 850 ℃ 사이로, 음극 표면에 형성되는 carbon이 적고, 높은 핵생성 밀도를 보였으며, RMS는 15 ㎚ 이하의 매끄러운 경면성의 표면을 갖는 NCD 박막을 합성할 수 있었다. 가스 조성은 CH₄/N₂/H₂ (5/0.5/140.5 sccm)으로 150 Torr 압력에서, 500 V와 45 A로 인가하여, 약 800 ℃로 기판온도를 유지한 상태로 각각 3시간씩 증착하였다. 증착된 NCD 박막의 핵생성 밀도, 미세구조, 표면 roughness 및 결정성을 확인하기 위해 SEM, XRD 및 NEXAFS 등 을 통해 박막을 분석하였다.
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텍스쳐링을 이용한 결정질 실리콘 태양전지의 표면 반사율 감소에 대한 연구
최준영,김범호,이은주,이수홍 한국표면공학회 2007 한국표면공학회 학술발표회 초록집 Vol.2007 No.-
표면 수정에 의한 결정질 실리콘 태양선지의 표면 반사율의 감소는 실리콘 태양전지에 있어서 가장 중요한 문제들 중 하나다. 결정질 실리콘 기판 표면에 텍스쳐링을 이용하여 반사방지막을 형성하는 것은 태양전지의 표면 반사율을 줄이는 측면에서 주목할 만한 것이다. 이 논문에서는 단결정 실리콘과 다결정 실리콘에 텍스쳐링을 이용하여 표면 반사율을 감소할 수 있는 방안에 대해서 연구한다.
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김경황,조균택,종윤석,이원범 한국표면공학회 2010 한국표면공학회 학술발표회 초록집 Vol.2010 No.5
본 연구에서는 0.1%C~0.8%C 탄소강에 대해 쇼트피닝에 의한 표면경화를 관찰하였다. 모든 소재는 쇼트피닝에 의해 표면부 결정립이 층상구조로 변하였으며, 처리시간의 증가와 함께 경도의 상승이 발생하였다. 또한, 경도의 증가폭은 탄소량이 많을수록 큰 것을 확인하였다. TEM 분석결과 표면의 결정립은 약 20~30㎚로 미세화되었으며, 결정립 주변에는 고밀도의 전위가 엉켜있었다. 한편 쇼트피닝 후에 표면에는 cementite의 완전분해가 일어났음을 확인하였다. 즉, 높은 탄소량을 가진 탄소강의 표면경화는 결정립 미세화 및 이에 수반하는 cementite의 분해에 의해 과포하된 탄소농도에 의해 증가되었음을 알 수 있었다.
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최강호,김영태,임재홍,임동찬,이규환 한국표면공학회 2010 한국표면공학회 학술발표회 초록집 Vol.2010 No.11
Carbon fiber-reinforced epoxy composites의 성능을 향상시키기 위하여간단한 화학적 표면처리 및 탄소섬유의 표면구조를 제어하여 그 특성을 평가하였다. 열화학기상증착법을 이용하여 탄소섬유상에 탄소나노구조체를 합성하여 탄소섬유의 표면구조를 제어하였으며, 유기산을 이용한 화학적 표면처리를 하였다. Wettability test결과, 탄소섬유상에 탄소나노구조체를 합성하였을 때, 아무런 처리를 하지않은 탄소섬유보다 수지와의 접합성이 우수한 것으로 나타났으며, 유기산을 이용한 화학적 표면처리 역시 수지와의 접합성을 향상 시키는 역할을 하는 것으로 확인하였다.
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AISI304L stainless steel의 저온 플라즈마 질탄화 시 처리온도가 표면 조직에 미치는 영향
이인섭,정광호 한국표면공학회 2007 한국표면공학회 학술발표회 초록집 Vol.2007 No.-
오스테나이트계 스테인리스 AISI304L강을 저온플라즈마 분위기에서 표면에 C와 N을 주입하면 내식성의 저하 없이 표면정도를 증가 시킬 수 있다. 이 공정에서 온도에 따른 영향을 조사하기 위해 380℃~430℃의 온도 범위에서 20시간 동안 실시하였다. 경화층의 두께는 7~16 ㎛정도였으며, N의 농도가 높은 영역과 C의 농도가 높은 영역으로 나뉘어 형성되었고, N이 풍부한 영역이 표면층에 형성되고 그 아래에 C의 농도 높은 영역이 형성되었다. 표면층은 질소에 의해 확장된 오스테나이트(γx)상을 가지며 고온에서 처리한 경우 석출물이 형성되었다. 표면경도는 약 900 HV?.?₁~1200 HV?.?₁로 측정되었다.
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