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      • 키넥트와 침습형 근전도를 이용한 어깨 관절의 생역학 연구

        채상훈(Sanghoon Chae),이승범(Seungbeom Lee),박형순(Hyung-Soon Park) 대한기계학회 2015 대한기계학회 춘추학술대회 Vol.2015 No.11

        As the number geriatric patient and highly active sports involved patients are increasing, the shoulder joint related pathology became a significant topic in these days. However, the study related to the shoulder joint biomechanics and injury mechanism is not enough to discover the thorough shoulder joint biomechanics. Shoulder joint is maintained by multiple muscle groups such as rotator cuff, deltoid, pectoralis major, and so on. In addition, it is difficult to differentiate the subtle activation timing among the muscle groups. Most previous studies focus on the surface EMG data result on abduction movement, and the angular motion data was not precisely examined in the experimental methodology. [2]. Therefore, this study has combined the Kinect motion capture system and invasive EMG sensor. Using the Kinect motion analysis, we made it possible that we can exactly find out the real time electromyographic data change according to the motion data. In addition, the Kinect module can detect the flexion, extension, internal and external rotation movement. In the further study, we expect that the analysis of this study is expanded to the various motion analysis and the understanding of the shoulder joint disease pathology.

      • KCI등재SCISCIESCOPUS

        통신시스팀을 위한 고속바이폴라 기술

        채상훈,이진효,Chae, Sang-Hun,Lee, Jin-Hyo 한국전자통신연구원 1986 전자통신 Vol.8 No.4

        교환기, 컴퓨터 등 고속으로 동작하는 통신 시스팀에 쓰이는 반도체 소자를 제조하기 위한 고속 바이폴라 기술에 대해서 논하고자 한다. 고속으로 동작하는 집적회로를 얻기 위해서는 바이폴라 형태의 소자가 주로 이용되고 있으며, PSA구조에 의한 바이폴라 소자는 미래의 정보화시대에 크게 각광을 받을것으로 주목되고 있다. 그 중에서도 특히 비활성 베이스 영역의 크기를 축소시킨 형태의 PSA바이폴라 소자는 초고속 특성을 나타내므로 많은 관심의 대상이 되고 있다.

      • KCI등재SCISCIESCOPUS

        다결정 실리콘 Self-align에 의한 바이폴라 트랜지스터의 제작

        채상훈,구진근,김재련,이진효,Chae, Sang-Hun,Gu, Jin-Geun,Kim, Jae-Ryeon,Lee, Jin-Hyo 한국전자통신연구원 1985 전자통신 Vol.7 No.4

        바이폴라 소자로 구성된 회로가 양호한 특성을 갖기 위해서는 개별 소자의 동작 속도, 집적도 및 전력 소비 특성이 좋아야 한다. 그런데 지금까지 주로 사용해온 기존의 SBC 바이폴라 트랜지스터로는 이들 특성을 개선하는 데는 한계가 있었다. 일반적으로 바이폴라 트랜지스터는 면적이 줄어듦에 따라 이들 특성이 개선되므로 본 연구에서는 SBC 방법과는 다른 PSA 공정 방법을 개발하였다. 즉, 소자 격리에서의 종래의 PN 접합에 의한 방법과 다른 산화막에 의한 방법을 도입하였고 또한 에미터, 베이스 사이의 거리를 최소로 줄이기 위하여 다결정 실리콘에 의한 polysilicon self-align 방법으로 에미터 및 베이스를 형성시켰다. A polysilicon self-aligned bipolar n-p-n transistor structure is described, which can be used in high speed and high packing density LSI circuits The emitter of this transistor is separated less than $0.4\mum$ with base contact by polysilicon self-align technology. Through all the process, the active region of this device is not damaged. therefore a high performance device is obtained. Using the transistor with $3.0\mum$ design rules, a CML ring oscillator has per-gate minimum propagation delay time of 400 ps at 2.7 mW power consumption condition.

      • V형 홈 형성에 의한 $N^+P$ 접합형 태양전지의 효율 개선

        채상훈,김재창,이양성,Chae, Sang-Hun,Kim, Jae-Chang,Lee, Yang-Seong 대한전자공학회 1984 전자공학회지 Vol.21 No.1

        결정면이 (100)인 실리콘 웨이퍼 위에 열확산(thermal diffusion)법을 이용하여 표면에 V형 흠이 형성된 N+P 태양전지를 제작하였다. (100) 실리콘 표면에 V형 홈을 형성시키기 위하여 이방성 부식용액으로는 etylendiamine, water, pyrocathecol 혼합용액을 사용하였다. 100mW/㎠의 조명아래에서 V형홈을 형성시킨 태양전지가 효율면에서 일반 평면 N+P 태양전지보다는 2.5∼3.5%, texturized 태양전지보다는 0.4∼0.6%정도의 증가를 보였다. V-groove N+P solar cell is fabricated by thermal diffusion in silicon wafer with (100) crystal structure. To form the V-grooves in (100) silicon surface, a mixture of etylen-diamine, water, pyrocathecol is used as the etchant of anisotropic etching. Under light intensity of 100mW/$\textrm{cm}^2$, the efficiency of the V-groove solar cell is 2.5-3.5% greater than the conventional N+P solar cell and 0.4-0.6% greater than the texturized one.

      • SCOPUSKCI등재

        Nd:YAG Laser를 이용한 자성금속 막의 패턴 식각

        채상훈,서영준,송재성,민복기,안승준,이주현,Chae, Sang-Hun,Seo, Yeong-Jun,Song, Jae-Seong,Min, Bok-Gi,An, Seung-Jun,Lee, Ju-Hyeon 한국재료학회 2000 한국재료학회지 Vol.10 No.2

        본 연구에서는 실리콘 wafer위에 sputtering방법으로 진공증착된 CoNbZr 비정질 박막을 Nd:YAG 레이저로 식각하기 위한 실험을 했는데, 금속의 경우 표면에서 빛의 반사율이 매우 크기 때문에 파장이 $1.06{\mu\textrm{m}}$인 Nd:YAG 레이저의 에너지를 흡수하는 것이 매우 어려우므로 식각이 거의 이루어지지 않았다. 그래서 이러한 문제를 해결하기 위한 새로운 시도로서 본 연구에서는 빛의 흡수율이 좋은 검은색의 polymer막을 금속박막의 표면에 도포하고 이 polymer막 위에 레이저를 조사해서 금속박막의 식각하는 실험을 실시하였다. 기존의 방법으로는 laser power가 332W나 되는데도 식각이 거의 일어나지 않았지만 본 연구의 방법을 이용했을 때는 laser power가 114W로 1/3정도 밖에 안 되는데도 레이저 식각이 비교적 양호하게 이루어졌다. 이는 검은색의 polymer층이 Nd:YAG 레이저 에너지의 흡수 및 전달 층의 역할을 하기 때문인 것으로 생각된다. In this study, the laser patterning of sputter-deposited amorphous CoNbZr films has been tried usig Nd: YAG laser. However, the metal film was not removed because of its high reflectance of the alser on the metal surface. To solve this problem, authors tried to screen-print a block polymer on the metal film and then irradiate the laser on the polymer. This is a new method which was suggested by this study. Using this new method, the metal films were effectively removed with the laser power of 114W even though the metal films was not removed with the laser power of 332W using the conventional method. This result leads to the conclusion that the block polymer acts as a laser energy absorbing and transferring layer.

      • SCOPUSKCI등재

        Pulsed ECR PECVD를 이용한 $SiO_x$ 박막의 성장 및 특성분석

        이주현,정일,채상훈,서영준,이영백,Lee, Ju-Hyeon,Jeong, Il-Chae,Chae, Sang-Hun,Seo, Yeong-Jun,Lee, Yeong-Baek 한국재료학회 2000 한국재료학회지 Vol.10 No.3

        Dielectric thin films for TFT(thin film transistor)s, such as silicon nitride$(Si_3N_4)$ and silicon oxide$(SiO_2)$, are usually deposited at $200~300^{\circ}C$. In this study, authors have tried to form dielectric films not by deposition but by oxidation with ECR(Electron Cyclotron Resonance) oxygen plasma, to improve the interface properties was not intensionally heated during oxidation. THe oxidation was performed consecutively without breaking vacuum after the deposition of a-Si: H films on the substrate to prevent the introduction of impurities. In this study, especially pulse mode of microwave power has been firstly tried during FCR oxygen plasma formation. Compared with the case of the continuous wave mode, the oxidation with the pulsed ECR results in higher quality silicon oxide$SiO_X$ films in terms of stoichiometry of bonding, dielectric constants and surface roughness. Especially the surface roughness of the pulsed ECR oxide films dramatically decreased to one-third of that of the continuous wave mode cases. 일반적으로 TFT(thin film transistor)의 유전체막으로 실리콘 질화막($Si_3$$N_4$)이나 실리콘 산화막(SiO$_2$)을 $200-300^{\circ}C$의 온도에서 증착을 하게 되는데 본 연구에서는 비정질 실리콘과 유전체막 사이의 계면 특성 특히 계면의 거칠기를 향상시키기 위해서 기존의 증착법이 아니라 비정질 실리콘(a-Si:H)과 산소 ECR 플라즈마의 반응에 의한 산화 막의 성장법을 시도했는데, 이때 기판은 의도적으로 가열하지 않았으며 특히 본 연구에서는 기존의 시도와는 달리 ECR 플라즈마를 형성할 때 마이크로파 전력에 pulse를 가하는 방법을 최초로 시도했고, 계면에 불순물의 혼입을 최대한으로 줄이기 위해서 진공을 파괴하지 않은 상태로 산화막을 연속적으로 성장시키는 방법을 이용했다. Pulse를 가했을 경우에는 pulse를 가하지 않은 경우에 비해서 화학양론적 측면, 유전상수, 산화막의 표면 평탄도 등에서 우수한 산화막이 성장했으며, 특히 비정질 실리콘과 유전체막 사이의 계면 특성을 반영하는 산화막의 표면 평탄도가 1/3정도로 획기적으로 줄어들었다.

      • KCI등재

        $BaTiO_3$ 박막과 후막의 2중 유전체로 구서된 AC 분산형 ELD의 특성

        이주현,채상훈,김학수,박성,Lee, Ju-Hyeon,Chae, Sang-Hoom,Bhattarai, B.B.,Kim, Hak-Soo,Park, Sung 한국전기전자재료학회 2001 전기전자재료학회논문지 Vol.14 No.8

        It is known that amorphous BaTiO$_3$ thin films have good insulating properties[1][2]. In this investigation, amorphous BaTiO$_3$ thin films were deposited by rf magnetron sputtering on thick BaTiO$_3$ films of AC powder EL devices which were fabricated by screen-printing. The electrical and optical properties of the EL devices were then investigated. Adding amorphous BaTiO$_3$ thin film, it showed that leakage current density was decreased. Especially, leakage current density was decreased more with he sample of 0.5-hour deposition than the sample of 4-hours deposition. This result led to the improvement of luminous efficiency by 11%. It could be concluded that proper amorphous BaTiO$_3$ thin film deposition improved the surface property of dielectric layer.

      • KCI등재

        Kienböck 질환의 적정 치료는 무엇인가?

        박민종(Min Jong Park),채상훈(Sang Hoon Chae) 대한정형외과학회 2021 대한정형외과학회지 Vol.56 No.6

        Kienböck 질환을 완관절의 월상골에 발생한 무혈성 괴사로 정의하고 있지만 원인과 자연경과, 적정한 치료 방법에 대해서는 정확하게 밝혀져 있지 않다. 교과서적으로는 병의 진행 단계를 나누고 단계에 따라 치료 방법을 제시하고 있지만 과연 원칙에 맞는 올바른 치료 방법인지에 대한 충분한 검증 없이 따르고 있는 것은 아닌가 하는 의문이 드는 것도 사실이다. 저자는 그동안 많은 Kienböck 질환을 진단하고 치료를 하면서 교과서에 기술된 내용 중에서 의문이 드는 부분이 많았으며, 자료 분석과 경험을 토대로 나름대로의 적정한 치료 접근을 정립하고자 하였다. 본 종설에서는 기존의 지식이 과연 정확한 근거를 바탕으로 한 것인지 검토해 보면서 합리적인 치료 방법에 대한 저자의 의견을 제시해 보고자 한다. Kienböck’s disease is known as avascular necrosis of the lunar bone, but its natural course or optimal treatment in various stages has not been identified clearly. The textbook divides the progression of the disease and suggests treatment methods according to the stages, but it is unclear if conforming to the principle without sufficient verification is the correct treatment method. While diagnosing and treating many Kienböck’s diseases, the author has had many questions regarding the treatment choices described in the textbook and tried to establish an optimal treatment based on data evidence and experience. This review presents the most appropriate and reasonable treatment method while questioning whether the previous knowledge is based on an accurate basis.

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