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임채혁(Chaehyuk Im),강현웅(Hyunwoong Kang),송시몬(Simon Song) 대한기계학회 2015 대한기계학회 춘추학술대회 Vol.2015 No.11
Vapor pressure is defined as the saturated pressure when the vapor is in thermodynamic equilibrium with solid or liquid. The significance of vapor pressure can be found in various experiments. One of the most effective ways to learn vapor pressure is performing experiments. Thus, the purpose of our studies is to design and fabricate a vapor pressure measuring device that can be used in undergraduate experiment classes. We chose the triple expansion method which is not only more precise but automatable than other methods. After analyzing the data obtained by using LabVIEW, we found that the device resulted in less than 4% error in vapor pressure measurements of methanol and ethanol as compared to its theoretical value.
옥경석,김주원,김재우,임채혁,고지원,김주영 대한산업공학회 2017 대한산업공학회 춘계학술대회논문집 Vol.2017 No.4
SOLAS 선박은 SFI group 코드 기준으로 적어도 83종의 장비를 탑재해야 하고, 각각의 장비는 다시 수 개에서 수십 개의 컴포넌트로 구성이 된다. 본 연구는 선박 항해통신장비 원격유지보수에 적합한 데이터베이스 구조와 분류체계를 도출하고자 했다. 센서 데이터, 서비스 엔지니어의 경험 데이터, FAQ Check List를 구조화하여 데이터마이닝 기법을 적용하였다. 실질적인 효과를 평가하기 위하여 클라우드 기반의 앱을 개발하여 활용도를 평가하였다. 140개의 항해통신장비 모델과 750개의 컴포넌트에 대하여 데이터베이스를 구축하였고, 수리전문가가 앱을 이용하여 탐색 결과를 평가하였다. 그 결과 증상, 원인, 조치방법은 SFI group코드 이하 1단계까지, 장비별 부품 구성은 2단계까지 분류하는 것이 최적인 것으로 판단되었다. 선박 항해통신장비의 효과적인 원격유지보수를 위하여, 센서 데이터와 서비스 엔지니어의 경험이 축적된 지식기반의 데이터베이스가 클라우드 기반으로 구축이 되어야 하고, 모델별 특성을 감안하기 위하여 증상과 원인은 장비별 모델을 기준으로 구성되어야 한다.
BCAT구조 DRAM의 패싱 워드 라인 유도 누설전류 분석
김수연,김동영,박제원,김신욱,임채혁,김소원,서현아,이주원,이혜린,윤정현,이영우,조형진,이명진 한국전기전자학회 2023 전기전자학회논문지 Vol.27 No.4
DRAM(Dynamic Random Access Memory) 스케일링 과정에서 발생하는 셀간 거리의 감소에 따라 STI(Shallow TrenchIsolation)두께 감소는 문턱이하 누설이 증가되는 패싱워드라인 효과를 유발한다. 인접한 패싱워드라인에 인가된 전압으로 인한 문턱이하누설 전류의 증가는 데이터 보존시간에 영향을 주며, 리프레시의 동작 횟수가 증가되어 DRAM의 소비 전력을 증가시키는 요인이 된다. 본 논문에서는 TCAD Simulation을 통해 패싱워드라인 효과에 대한 원인을 확인한다. 결과적으로, 패싱워드라인 효과가 발생하는 DRAM 동작상황을 확인하고, 이때 패싱워드라인 효과로 인해 전체 누설전류의 원인에 따른 비중이 달라지는 것을 확인하였다. 이를 통해, GIDL(Gate Induced Drain Leakage)에 의한 누설전류뿐만 아니라 문턱이하 누설전류를 고려의 필요성을확인하며 이에 따른 DRAM 구조의 개선 방향의 지침이 될 수 있다. As the cell spacing decreases during the scaling process of DRAM(Dynamic Random Access Memory), the reductionin STI(Shallow Trench Isolation) thickness leads to an increase in sub-threshold leakage due to the passing word lineeffect. The increase in sub-threshold leakage current caused by the voltage applied to adjacent passing word linesaffects the data retention time and increases the number of refresh operations, thereby contributing to higher powerconsumption in DRAM. In this paper, we identify the causes of the passing word line effect through TCADSimulation. As a result, we confirm the DRAM operational conditions under which the passing word line effectoccurs, and observe that this effect alters the proportion of the total leakage current attributable to different causes. Through this, we recognize the necessity to consider not only leakage currents due to GIDL(Gate Induced DrainLeakage) but also sub-threshold leakage currents, providing guidance for improving DRAM structure.