눈꺼풀테에 발생한 연골모양땀관종 1예

안성준,김남주,정호경,곽상인,Seong Joon Ahn,Namju Kim,Ho Kyung Choung,Sang In Khwarg 대한안과학회 2011 대한안과학회지 Vol.52 No.7

Purpose: To report a case of chondroid syringoma that involved the eyelid margin, was accompanied by cilia loss, and required differential diagnosis with other malignant eyelid masses. Case summary: A 46-year-old woman presented with a recurrent mass in the right lower eyelid margin, which was observed 10 years earlier, where incision and curettage had already been performed twice. The mass was neither tender nor ulcerated, was brighter in color than the neighboring skin, and had a smooth surface with cilia loss. The pathologic findings obtained from an incisional biopsy were compatible with a dermoid cyst. Full-thickness excision of the eyelid mass and direct closure were subsequently performed. The pathologic diagnosis after excisional biopsy was chondroid syringoma because cystic structures in the chondroid stroma were observed. J Korean Ophthalmol Soc 2011;52(7):859-862

초소형 박막 인덕터 제작을 위한 레이저 미세가공 기술 개발

안성준(Seong Joon Ahn),안승준(Seungjoon Ahn),김대욱(Dae-Wook Kim),김호섭(Ho Seob Kim),김철기(Cheol Gi Kim) 한국자기학회 2003 韓國磁氣學會誌 Vol.13 No.3

We have developed laser micro-machining technology for fabrication of the micro thin-film inductors. After the thin layers of FM/M/FM films were coated to the silicon substrate by using the conventional sputtering method, the new laser machining was applied to the patterning process that used to be carried out by the semiconductor lithography procedure. A CW Nd:YAG laser operating in TEM_(00) mode was actively Q-switched to obtain the very short pulse of 200 ㎱. The laser micro-machining process with pulse energy and repetition rate have been optimized as 5 mJ/pulse and 5 ㎑, respectively, to obtain the line resolution as fine as 20 ㎛.

차세대 고집적 MOS 소자를 위한 ALD ZrO₂ 박막의 특성 연구

안성준(Ahn Seong-Joon),안승준(Ahn Seung-Joon) 한국산학기술학회 2008 한국산학기술학회논문지 Vol.9 No.1

소자가 점점 고집적화 됨에 따라, MOS 소자 제조에 있어서 SiO₂의 두께가 -1㎚로 낮아질 경우 발생하는 터널링전류와 문턱전압 천이를 방지할 수 있는 새로운 게이트용 유전물질을 개발하여 소자의 크기를 줄이는데 주력 하고 있다. 본 실험에서는 원자층증착(ALD: atomic layer deposition) 방법으로 증착된 ZrO₂ 박막의 물리적, 전기적 특성에 대하여 연구하였다 ALD ZrO₂ 박막을 증착한 후 Ar 가스 분위기에서 800℃, 1 시간동안 열처리한 다음 XRD, TEM, 그리고 C-V plots을 이용하여 Pt/ZrO₂/Si 소자의 형태, 결정화 동역학, 그리고 경계층 특성을 평가한 결과 열처리에 의해 소자의 특성이 크게 향상됨을 알 수 있었다. As the packing density of IC devices gets ever higher. the thickness of the gate SiO₂ layer of the MOS devices is now required to be reduced down to 1 run. For such a thin SiO₂ layer, the MOS device cannot operate properly because of tunneling current and threshold voltage shift. Hence there has been much effort to develop new dielectric materials which have higher dielectric constants than SiO₂ and is free from such undesirable effects. In this work, the physical and electrical characteristics of ALD ZrO₂ film have been studied. After deposition of a thin ALD ZrO₂ film, it went through thermal treatment in the presence of argon gas at Soot for 1 hr. The characteristics of morphology, crystallization kinetics, and interfacial layer of Pt/ZrO₂/Si samples have been investigated by using the analyzing instruments like XRD, TEM and C-V plots. It has been found that the characteristics of the Pt/ZrO₂/lSi device was enhanced by the thermal treatment.

LPCVD 방법에 의한 저온 SiO₂ 박막의 증착방법과 DRAM 커패시터에서의 그 신뢰성 연구

안성준(Ahn Seong-Joon),박철근(Park Chul-Geun),안승준(Ahn Seung-Joon) 한국산학기술학회 2006 한국산학기술학회논문지 Vol.7 No.3

60-70 ㎚급의 design rule을 가진 고집적 반도체 소자를 제작하려면, 트랜지스터 형성 이후의 공정에서 thermal budget을 줄이기 위하여 공정의 온도를 낮추는 것이 중요하다. 본 연구에서는 고온의 습식 산화막을 대체할 수 있는 저온의 LPCVD (Low-Pressure Chemical Vapor Deposition) SiO₂(LTO Low-Temperature Oxide) 박막 증착공정을 제시하였으며, ONO (Oxide/Nitride/Oxide) 구조의 커패시터를 형성하여 증착된 LTO 박막의 전기적인 신뢰성을 평가하였다. LTO 박막은 5 MV/㎝ 이하의 전기장 영역에서는 고온의 습식 산화막과 크게 차이가 없는 누설전류 특성을 보였으나, 더 높은 전기장의 영역에서는 훨씬 더 우수함을 보여주었다. The low-temperature processing is very important for fabrication of the very large scale (60~70 ㎚) semiconductor devices since the submicron transistors are sensitive to the thermal budget. Hence, in this work, we propose a noble low-temperature LPCVD (Low-Pressure Chemical Vapor Deposition) process for the SiO₂ film and evaluate the electrical reliability of the LTO (Low-Temperature Oxide) by making the capacitors with ONO (Oxide/Nitride/Oxide) structure. The leak current of the LTO was similar to that of the high-temperature wet oxide until the electric field was lower than 5 MV/㎝. However, when the electric field was higher, the L TO showed much better characteristics.

되먹임 회로로 제어하는 Michelson 레이저 간섭계를 이용한 Nano-scale 미세변위 측정

안성준(Ahn Seong-Joon),오태식(Oh, Tae-Sik),안승준(Ahn Seung-Joon) 한국산학기술학회 2007 한국산학기술학회논문지 Vol.8 No.5

되먹임 회로로 제어하는 새로운 Michelson형 레이저 간섭계를 제작하여 특성을 평가하였다. 새로운 Michelson형 레이저 간섭계는 압전 특성이 잘 알려진 PZT에 인가된 되먹임 회로의 인가전압을 직접적으로 측정함으로써 미세변위를 측정할 수 있는 간편한 측정 장치이다. 본 연구에서 제작한 Michelson형 레이저 간섭계의 신뢰성과 정밀도를 평가하기 위하여 실리콘 membrane의 단차를 측정한 결과 SEM으로 관찰한 값과 잘 일치함을 알 수 있었다. A novel Michelson interferometer controlled with a feedback circuit(MIFC) has been developed and its performance has been evaluated. This new interferometer can measure the displacement of the sample by directly reading the feedback bias applied to the PZT whose piezoelectric characteristic is known. The experimental result showed that the step height the silicon membrane measured by using MIFC was actually same with the value measured by SEM, which confirms that MICS is an easy and accurate method for the nano-scale displacement measurement.

회전하는 거친금속표면에서 후방산란되어 형성된 레이저 스펙클의 세기의 시간상관함수 gs(2)(τ)의 측정

안성준(Seong-Joon Ahn),이상수(Sang-Soo Lee) 한국광학회 1992 한국광학회지 Vol.3 No.3

회전하는 거친금속표면에 s-편극된 레어저광을 - 30°로 입시시켜 생긴 후방산란파중 입사광과 동일한 편극을 가지는 후방산란파에 대하여 세기의 시간상관함수 g_s^(2)(τ) 를 측정하였다. 이 과정에서 광전신호로부터 g_s^(2)(0)의 측정을 할 때 수반되는 shot noise의 영향을 제하여 줌으로써 정확한 g_s^(2)(0) 값을 얻었다. 각 산란각 θs에서 g_s^(2)(τ)는 {1+exp(-τ²/τ_c²)} 함수와 거의 일치하였는데, 이는 등속으로 회전하는 간유리를 투과하여 형성된 레이저 스펙클의 경우와 같은 결과이다. 또한, 산란각에 따른 τ_c의 분포에서는 θs=34°에서 예리하게 최대값을 가지는 것이 관찰되었다. 이 연구에서, 다중산란이 10%를 넘는 금속판산란과 다중 산란이 무시될 수 있는 간유리판산란이 같은 함수꼴의 세기의 시간상관함수를 갖는다는 사실이 확인되었다. The s-polarized laser beam is incident with an angle -30° to a uniformly rotating rough metal surface and the degree of second order temporal coherence g_s(2)(τ) of the back scattered wave, which has the same polarization with the incident laser beam, is measured. The contribution of shot noise involved in the measurement of g_s^(2)(0) is subtracted from the photoelectric signal to obtain the accurate value of g_s(2)(0). At each scattering angle Θs,g_s(2)(τ) is almost consistent with the function {1 + exp( - τ²/τ²_c)}, which is the same result with the case of the laser speckle formed by scattering on the rotating ground glass suface. In addition, a peak in the angular distribution of τ_c, is observed with the maximum at Θs=34°. It is found that the rough metallic scattering with multiple scattering over than 10% has the same function of the degree of second order temporal coherence with that of the ground glass surface scattering where the multiple scattering is ignorably small.

Monte Carlo 수치해석법을 이용한 PMMA resist에서의 저 에너지 전자빔 투과 깊이에 관한 연구

안승준(Ahn Seung-Joon),안성준(Ahn Seong-Joon),김호섭(Kim, Ho-Seob) 한국산학기술학회 2007 한국산학기술학회논문지 Vol.8 No.4

반도체 소자 제작에 있어서 회로의 pattern 형성에 이용하는 차세대 lithography 공정 기술을 위해서 전자빔 lithography 공정 기술 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 Gauss 해석법과 Monte Carlo의 수치해석법을 사용하여 두께 100 ㎚의 PMMA -(poly-methyl-methacrlatc) resist에 전자 1×10⁴개를 입사시키고, 입사 전자빔 에너지에 따른 PMMA 내에서의 투과 깊이를 비교하였다. 전자빔 에너지의 크기는 100eV, 300eV, 500eV, 700eV, 그리고 1000eV에 대하여 simulation을 실시하였다. There has been steady effort for the development of the electron-beam lithography technologies for the circuit patterning of the future semiconductor devices. In this study, we have performed a Monte-Carlo simulation where 1×10⁴ electrons with various kinetic energies (100eV, 300eV, 500eV, 700eV, and 1000eV) were shot into polymethyl methacrylate(PMMA) resist of 100-㎚ thickness. The penetration depth of each electron beam in the resist layer were analyzed using Gaussian analysis method.

수치해석적 모델링을 이용한 다층박막형 유기발광소자(OLED)의 전기적 특성 연구

안승준(Seung-Joon Ahn),안성준(Seong-Joon Ahn),오태식(Tae-Sik Oh) 한국산업정보학회 2007 한국산업정보학회논문지 Vol.12 No.3

매개변수 불확실성을 가지는 특이시스템의 강인 관측기 기반 $H_\infty$ 제어기 설계방법

김종해,안성준,안승준,오도창,지경구,Kim Jong-Hae,Ahn Seong-Joon,Ahn Seung-Joon,Oh Do-Chang,Chi Kyeong-Koo 대한전기학회 2005 전기학회논문지 D Vol.54 No.1

This paper considers a robust observer-based H/sub ∞/ controller design method for singular systems with parameter uncertainties using an LMI condition. The sufficient condition for the existence of controller and the controller design method are presented by a perfect LMI condition in terms of all variables using singular value decomposition, Schur complement, and change of variables. Therefore, one of the main advantages is that a robust observer-based H/sub ∞/ controller can be established by solving one LMI condition compared with existing results. Numerical example is given to illustrate the effectiveness of the proposed controller design method.

$0.13{\mu}m$ RF CMOS 공정용 스케일러블 인덕터 모델링

김성균,안성준,김병성,Kim, Seong-Kyun,Ahn, Sung-Joon,Kim, Byung-Sung 대한전자공학회 2009 電子工學會論文誌-TC (Telecommunications) Vol.46 No.1

본 논문에서는 RF 집적회로 설계를 위한 $0.13{\mu}m$ RF CMOS용 인덕터 라이브러리를 개발하였다. 스케일러블 모델링을 위해 선폭, 회전수, 내경을 조절하여 다수의 인덕터 패턴을 제작하고, 정확한 패드 효과 보상을 위해 급전 구조를 최적화하였다. 제작된 패턴의 S-파라미터 측정 데이터를 이용하여 각 소자별로 이중-$\pi$ 등가회로 소자값을 추출한 뒤 이 값들을 인덕터의 물리적 설계 변수의 함수로 표현하는 스케일러블 모델링을 수행하였다. 개발된 라이브러리는 표준(standard) 구조와 대칭(symmetric) 구조를 가지는 두 종류의 스케일러블 인덕터 모델을 제공하며, 모델 유효 주파수는 30GHz 또는 자기공진주파수까지이다. 표준구조 인덕터의 경우 $0.12{\sim}10.7nH$의 인덕턴스를, 대칭구조 인덕터의 경우는 $0.08{\sim}13.6nH$의 인덕턴스를 갖는다. 본 연구를 통해 최종적으로 10%이하의 오차를 가지는 RF CMOS용 인덕터 라이브러리를 완성하였다. This paper presents scalable modeling of spiral inductors for RFIC design based on $0.13{\mu}m$ RF CMOS process. For scalable modeling, several inductor patterns are designed and fabricated with variations of width, number of turns and inner radius. Feeding structures are optimized for accurate de-embedding of pad effects. After measuring the S parameters of the fabricated patterns, double-$\pi$ equivalent circuit parameters are extracted for each device and their geometrical dependences are modeled as scalable functions. The inductor library provides two types of models including standard and symmetric inductors. Standard and symmetric inductors have the range of $0.12{\sim}10.7nH$ and $0.08{\sim}13.6nH$ respectively. The models are valid up to 30GHz or self-resonance frequency. Through this research, a scalable inductor library with an error rate below 10% is developed for $0.13{\mu}m$ RF CMOS process.