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선택성장영역 크기에 따른 InGaN/GaN 다중양자우물 청색 MOCVD-발광다이오드 소자의 특성
배선민,전헌수,이강석,정세교,윤위일,김경화,양민,이삼녕,안형수,김석환,유영문,하홍주,Bae, Seon-Min,Jeon, Hun-Soo,Lee, Gang-Seok,Jung, Se-Gyo,Yoon, Wi-Il,Kim, Kyoung-Hwa,Yang, Min,Yi, Sam-Nyung,Ahn, Hyung-Soo,Kim, Suck-Whan,Yu, Young-Moon 한국결정성장학회 2012 한국결정성장학회지 Vol.22 No.1
In general, the fabrications of the LEDs with mesa structure are performed grown by MOCVD method. In order to etch and separate each chips, the LEDs are passed the RIE and scribing processes. The RIE process using plasma dry etching occur some problems such as defects, dislocations and the formation of dangling bond in surface result in decline of device characteristic. The SAG method has attracted considerable interest for the growth of high quality GaN epi layer on the sapphire substrate. In this paper, the SAG method was introduced for simplification and fabrication of the high quality epi layer. And we report that the size of selective area do not affect the characteristics of original LED. The diameter of SAG circle patterns were choose as 2500, 1000, 350, and 200 ${\mu}m$. The SAG-LEDs were measured to obtain the device characteristics using by SEM, EL and I-V. The main emission peaks of 2500, 1000, 350, and 200 ${\mu}m$ were 485, 480, 450, and 445 nm respectively. The chips of 350, 200 ${\mu}m$ diameter were observed non-uniform surface and resistance was higher than original LED, however, the chips of 2500, 1000 ${\mu}m$ diameter had uniform surface and current-voltage characteristics were better than small sizes. Therefore, we suggest that the suitable diameter which do not affect the characteristic of original LED is more than 1000 ${\mu}m$. 일반적으로 mesa 구조의 발광다이오드 제작은 MOCVD법으로 수행되고 있다. 특히 개개의 발광다이오드 칩을 식각하고 분리하기 위해서 발광다이오드는 반응성이온식각(RIE)공정과 절단(scribing) 공정을 거치게 된다. 플라즈마를 이용한 건식식각공정인 RIE 공정은 결함, 전위, 표면의 댕글링 본드 형성과 같은 몇 가지 문제점을 유발하고, 이러한 이유로 인해 소자 특성을 저하시킨다. 선택영역성장법은 사파이어 기판 위에 고품질의 GaN 에피층을 성장시키는 방법으로써 주목받고 있다. 본 논문에서는 고품질의 막을 제작하고 공정을 간소화하기 위해서 선택영역성장법을 도입하였고, 기존의 발광다이오드 특성에 영향을 주지 않는 선택영역의 크기를 규정하고자 한다. 실험에 사용된 원형의 선택성장영역의 직경크기는 2500, 1000, 350, 200 ${\mu}m$이고, 선택성장 된 발광다이오드의 소자 특성을 얻고자 SEM, EL, I-V 측정을 시행하였다. 주된 발광파장의 위치는 직경크기 2500, 1000, 350, 200 ${\mu}m$에서 각각 485, 480, 450, 445 nm로 측정되었다. 직경 350, 200 ${\mu}m$에서는 불규칙한 표면과 기존 발광다이오드보다 높은 저항 값을 얻을 수 있었지만, 직경 2500, 1000 ${\mu}m$에서는 평탄한 표면과 앞서 말한 350, 200 ${\mu}m$의 특성보다 우수한 전류-전압 특성을 얻을 수 있었다. 이러한 결과들로 기존 발광다이오드의 특성에 영향을 주지 않는 적당한 선택성장 직경크기는 1000 ${\mu}m$ 이상임을 확인하였다.
회계이익의 질과 자사주 매입공시 간의 관련성에 대한 연구
김경순,문성인,강지수,배선민 한국경영학회 2018 한국경영학회 통합학술발표논문집 Vol.2018 No.8
본 연구의 목적은 회계이익의 질이 기업 고유 정보위험을 반영하는 측정치로 유용한지를 자사주 매입 공시를 이용하여 두 가지 측면에서 조사하고 있다. 특히, 이 논문에서는 발생 액의 질, 이익적시성 및 가치관련성 등과 같은 이익속성 측정치들에 대한 종합 척도를 계산하여 개별기업의 회계이익 품질수준을 측정하고 있다. 본 연구의 연구초점과 결과는 다음과 같다. 첫째, 우리는 자사주 매입 기업의 회계이익의 품질 수준에 따라 자사주 신호원가(취득예정 비율로 측정된)가 상이한지를 회귀 분석한다. 그 결과, 회계이익의 품질수준과 자사주 취득예정비율 간에 음의 관계가 존재함을 확인하였다. 이러한 결과는 기업고유정보위험이 높은 기업에서 정보비대칭성을 완화기기 위해 자사주를 매입할 때, 더 많은 신호원가가 발생함을 시사한다. 둘째, 본 연구는 자사주 매입공시에 내재된 투자자의 정보위험을 회계이익의 품질수준과 자사주 매입방법 간의 결합효과를 이용하여 포착할 수 있는지를 조사한다. 분석결과, 우리는 낮은 회계이익의 질과 자사주를 간접 매입하는 기업은 자사주 매입 이후 영업성과가 감소함을 확인하였다. 우리의 결과는 기회주의적 동기를 가진 경영자는 자사주 매입 전에 이익공시를 시세조작의 도구로 먼저 이용할 가능성이 존재하고 자사주 매입 시점에 낮은 원가가 발생하는 매입방식을 선택할 동기를 가지고 있음을 시사한다. 본 연구는 회계이익의 질이 기업고유정보위험의 대용치가 될 수 있다는 것과 자사주에 내재된 정보위험을 포착하는 유용한 도구가 될 수 있다는 실증적 증거를 제공하고 있다. The purpose of this study is to investigate whether the quality of accounting earnings is useful as a proxy for firm-specific information risk in stock repurchase announcement. We measure the level of the accounting earnings quality of individual firms by calculating a composite measure of earnings attributes such as accrual quality, earnings timeliness, and value relevance. The empirical results are as follows. First, we examine the relationship between the level of accounting earnings quality of share repurchase firms and the expected share repurchase ratio. As a result, we confirmed the negative relationship between the level of accounting earnings quality and the expected share repurchase ratio. This result suggests that firms with high firm-specific information risk have more signal costs in share repurchase. Second, we investigate whether the combined effect of the level of accounting earnings quality and the buyback method of share repurchase can capture the information risk of the investors in the stock repurchase announcement. We find that firms with low accounting profits and indirectly purchasing treasury stock experience negative operation performance after share repurchase. This result suggests that opportunistic motivated managers have the possibility to use income disclosure as a tool for manipulating profit before stock repurchase and motivate them to choose the purchase method with low cost at the time of repurchase. This study provides evidence that the quality of accounting earnings can be a substitute for firm-specific information risk and that it can be a useful tool for capturing potential information risks in stock repurchase disclosure.
HVPE에 의해 성장된 AlGaN epi layer의 특성
정세교,전헌수,이강석,배선민,윤위일,김경화,이삼녕,양민,안형수,김석환,유영문,천성학,하홍주,Jung, Se-Gyo,Jeon, Hun-Soo,Lee, Gang-Seok,Bae, Seon-Min,Yun, Wi-Il,Kim, Kyoung-Hwa,Yi, Sam-Nyung,Yang, Min,Ahn, Hyung-Soo,Kim, Suck-Whan,Yu, Young-Mo 한국결정성장학회 2012 한국결정성장학회지 Vol.22 No.1
AlGaN는 3.4~6.2 eV까지 넓은 밴드갭을 가지는 직접천이형 반도체이다. 최근에 자외영역의 광소자가 다양하게 응용되면서 자외선 발광이 가능한 AlGaN 역시 주목받고 있다. 이를 위해서는 고품질의 AlGaN 층이 필요하지만 GaN 층위에 AlGaN 층을 성장하는 것은 이들의 격자상수와 열팽창계수 차이로 인해 어렵다. 본 논문에서, multi-sliding boat법이 적용된 혼합소스 HVPE법을 이용하여 GaN template 위에 LED 구조를 성장하였다. 활성층의 Al 조성을 조절함으로써 AlGaN의 격자상수 변화와 광학적 변화를 관찰하고자 하였다. 에피 성장을 위해 HCl과 $NH_3$ 가스를 혼합소스 표면으로 흘려주었고, 수송가스로는 $N_2$를 사용하였다. 소스영역과 성장영역의 온도는 각각 900과 $1090^{\circ}C$로 안정화하였다. 성장 후 샘플은 x-ray diffraction(XRD)과 electro luminescence(EL) 측정을 하였다. The AlGaN layer has direct wide bandgaps ranging from 3.4 to 6.2 eV. Nowadays, it is becoming more important to fabricate optical devices in an UV region for the many applications. The high quality AlGaN layer is necessary to establish the UV optical devices. However, the growth of AlGaN layer on GaN layer is difficult due to the lattice mismatch and difference thermal expansion coefficient between GaN layer and AlGaN layer. In this paper, we attempted to grow the LED structure on GaN template by mixed-source HVPE method with multi-sliding boat system. We tried to find the optical and lattice transition of active layer by control the Al content in mixed-source. For the growth of epi layer, the HCl and $NH_3$ gas were flowed over the mixed-source and the carrier gas was $N_2$. The temperature of source zone and growth zone was stabled at 900 and $1090^{\circ}C$, respectively. After the growth, we performed the x-ray diffraction (XRD) and electro luminescence (EL) measurement.
이강석,전헌수,이아름,정세교,배선민,조동완,옥진은,김경화,양민,이삼녕,안형수,배종성,하홍주,Lee, Gang-Seok,Jeon, Hun-Soo,Lee, Ah-Reum,Jung, Se-Gyo,Bae, Seon-Min,Jo, Dong-Wan,Ok, Jin-Eun,Kim, Kyung-Hwa,Yang, Min,Yi, Sam-Nyeong,Ahn, Hyung-Soo 한국결정성장학회 2010 한국결정성장학회지 Vol.20 No.3
높은 광흡수 계수를$(1{\times}10^5cm^{-1})$ 가지는 CIGS는 Ga의 비율에 따라서 밴드갭을 조절할 수 있다는 장점을 지니고 있다. CIGS의 밴드갭은 Ga의 비율에 따라 $CuInSe_2$(Eg: 1.0 eV)에서 $CuGaSe_2$(Eg: 1.68 eV)까지의 범위에 존재하며, 태양전지에 서 이상적인 fill factor 모양을 가지도록 Ga의 비율을 높게 조성한다. CIGS 흡수층을 제작하는 방법에는 co-evaporator 방식이 가장 널리 사용되며 연구되고 있다. 이에 본 연구에서는 수평 형태의 hydride vapor transport (HVT)법을 고안하여 CIGS 나노 구조 및 에피성장을 시도하였다. HVT법은 $N_2$ 분위기에서 원료부의 CIGS 혼합물을 HCl과 반응시켜 염화물 기체상태로 변환 후 growth zone까지 이동하여 성장을 하는 방식이다. 성장기판은 c-$Al_2O_3$ 기판과 u-GaN을 사용하였다. 성장 후 field emission scanning electron microscopy(FE-SEM)과 energy dispersive spectrometer(EDS)를 이용하여 관찰하였다. The Cu$(In_{1-x}Ga_x)Se_2$ is the absorber material for thin film solar cell with high absorption coefficient of $1{\times}10^5cm^{-1}$. In the case of CIGS, the movable energy band gap from $CuInSe_2$ (1.00 eV) to $CuGaSe_2$ (1.68 eV) can be acquired while controlling Ga contain ratio. Generally, the co-evaporator method have used for development and fabrication of the CIGS absorption layer. However, this method should need many steps and lengthy deposition time with high temperature. For these reasons, in this paper, a new growth method of CIGS layer was attempted to hydride vapor transport (HVT) method. The CIGS mixed-source material reacted for HCl gas in the source zone was deposited on the substrate after transporting to growth zone. c-plane $Al_2O_3$ and undoped GaN were used as substrates for growth. The characteristics of grown samples were measured from SEM and EDS.