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- 저자 : 박효열 (검색결과 81 건)
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초상태 천이 행렬을 이용한 시공간 트렐리스 부호들 비트오율의 상한을 얻기 위한 효율적인 알고리즘
박효열,김광순,김종호,황금찬 에스케이텔레콤 (주) 2007 Telecommunications Review Vol.17 No.4
본 논문에서는 빠르게 변하는 페이딩 채널 환경에서 시공간 트렐리스 부호의 초상태 천이 행렬을 만들기 위한 효율적인 알고리즘을 제안한다. 시공간 트렐리스 부호가 많은 상태 수와 병렬 천이 수를 가지는 복잡한 경우에도 제안된 알고리즘을 이용하여 그것의 초상태 천이 행렬을 쉽게 얻을 수 있다. 시공간 트렐리스 부호가 기하학적으로 균일 하지 않은 거리 분포를 가지는 것에 상관없이, 그것의 초상태 천이 행렬로부터 유도된 일반화된 전달 함수를 이용하여 비트오율의 상한을 얻을 수 있다.
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Admittance 분광법에 의한 CdTe단결정의 깊은 에너지 준위에 관한 연구
박효열 울산과학대학 2000 연구논문집 Vol.27 No.1
수직 Bridgman 법으로 성장시킨 CdTe 단결정을 In/CdTe Schottky 다이오드를 제작하여 전류-전압, admittance spectroscopy 특성을 조사하였다. 전류-전압 특성으로부터 구한 CdTe의 장벽 높이는 1.023 eV이였고, 또한 온도의 함수로 측정한 admittance spectroscopy로부터 양공의 방출률과 trap의 에너지 준위를 구하였다. CdTe single crystal was grown by the vertical Bridgman technique. The p-CdTe Schottky diode was fabricated by thermal deposition of Au and In electrode. Schottky barrier height(SBH) was 1.023 eV, which was determined from the current-voltage characteristics at the bias voltage range of -0.5∼0.5 V. The emission rate and energy level of trap were determined from the measurements of admittance as a function of temperature.
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박효열,진광수,유병길,주정진,김중환 동의대학교 기초과학연구소 1994 基礎科學硏究論文集 Vol.4 No.1
Cd_1-xMn_xTe single crystals were grown by vertical Bridgman method and Mn mole fraction x was determined by the X-ray diffraction. Band gap and optical transition energies E₁, E₁+ △₁, E₂, △₁as Mn mole fraction x were obtained by measuring optical absorption and reflection at UV-visible region respectively. The change of the valence band spin-orbit splitting △₁at △ point of the Brillouin zone was discussed.
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Hot-wall epitaxy법에 의한 CdTe 박막의 성장과 특성
박효열,조재혁,진광수,황영훈 한국결정성장학회 2004 한국결정성장학회지 Vol.14 No.4
Hot-wall epitaxy법으로 GaAs 기판 위에 성장시킨 CdTe 박막은 (III) 면의 단결정 박막으로 성장되었음을 XRD 측정으로부터 확인하였으며, 박막 성장률은 SEM 측정 사진으로부터 30 $\AA/s$임을 알았다. PL 측정으로 얻은 최적성장조건은 원료물질 온도 $500^{\circ}C$, 기판 온도 $320^{\circ}C$이었다. CdTe thin films were grown on GaAs (100) substrates by hot wall epitaxy method. From the XRD measurements, it was found that CdTe/GaAs (100) film was grown as a single crystals with the different from growth plane of (III), and growth rate of CdTe thin films was found to be 30 $\AA/sec$ by SEM. To acquire a high quality CdTe thin film, the optimum temperature for the source and substrate are found to be $500^{\circ}C$ and $320^{\circ}C$, respectively, which was checked by PL.
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박효열,이원조 울산과학대학 1999 연구논문집 Vol.26 No.1
최근 중소제조업체들은 정보기술의 급격한 변화에 따라 기구축한 정보자원의 진부화로 효율이 저하되어 정보시스템의 재구축에 직면해 있다. 그러나 대부분 자체적으로 추진할 사내 마인드가 부족하고 경제적인 투자여력이 없는 실정이다. 따라서 본 연구에서는 생산관리를 위한 데이터 수집용의 기존 단말기를 이용한 경제적인 POP시스템을 개발하여 실용화하였다. 제안된 POP시스템은 원부자재의 입고 정보와 제품의 출고 정보를 실시간으로 관리자에게 제공함으로써 물류관리 업무의 생산성을 크게 향상시켰다. Recently, with rapid change of information technology (IT), medium and small enterprises have faced the re-construction of information systems because of the low efficiency due to the antiquation of the existing information resources. But, most of them have lack of the self-leading mind of IT and the capability of economic investment within company. Thus, this study develops and implements the economic Point of Production (POP) system utilizing the existing terminal for data gathering required in production control. The proposed POP system rapidly provide managers with the storage information of materials and order release information of products with real-time, so have largely improved the work productivity for Business logistic management.
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Ferroxplana-Silicone Rubber 복합체의 마이크로파 특성
박효열,김근수,김태옥 대한전기학회 2004 전기학회논문지C Vol.53 No.8(C)
In this experimentation, we investigated the characteristics of electromagnetic wave absorption of ferroxplana powder and silicone rubber composite. Ferroxplana was prepared by flux method at low temperature. The crystallization, magnetic properties and particle morphology of the obtained ferroxplana powder were investigated by using XRD, VSM and SEM. The particle size of ferroxplana powder was 2~4㎛ at the ratio of R=26. The coercivity and saturation magnetization of ferroxplana powder increased slightly with increase of temperature. The magnetic loss was the main factor of electromagnetic wave absorption of ferroxplana powder and silicone rubber composite. The maximum reflection loss of composite was about -15dB below 4GHz.
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박효열,Park, Hyo-Yeol 한국반도체디스플레이기술학회 2005 반도체디스플레이기술학회지 Vol.4 No.2
Electon spin resonance measurements have been performed on the Mg-doped wurtzite GaN thin films grown on sapphire substrates by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition. The sample set included films as-grown with the regular Mg doped and Mg delta doped samples and the corresponding annealed ones. The resonance signal has been observed from the annealed Mg delta-doped sample with the Lande g value of 2.029. This indicates that the singlet resonance signal originates from the neutral Mg acceptor located at 0.24 eV above the valence band edge and 0.13 eV above the Fermi level because of the nuclear hyperfine spin 1=0 of Mg and the larger value than the free electron g=2.0023.
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Cd_(1-x)Mn_(x)Te단결정에 대한 Energy Transfer와 Line Broadening
박효열,이원조 울산과학대학 1999 연구논문집 Vol.26 No.1
Cd_(1-x)Mn_(x)Te(0.48≤x≤0.65)단결정의 PL스펙트럼은 Mn^(2+)이온의 3d^(5) 배열 내의 ⁴T₁에서 ^(6)A₁ inter전이로 일어난다. PL피크의 위치는 낮은 온도 T<55K에서 step-down 포논 도움으로 red shift를 하고, 높은 온도 T>55K에서는 step-up 열적 포논 도움으로 blue shift를 하였다. PL스펙트럼의 반치폭으로부터 구한, Huang Rhys결합상수 값과 비균질 선폭의 값은 조성 x가 증가함에 따라 증가하였고, 적분된 PL세기의 온도의존성으로부터 구한 열적 결합에너지는 조성 x가 증가함에 따라 증가하였다. The photoluminescence band in Cd_(1_x)Mn_(x)Te single crystals were investigated over the range (0.48≤x<≤0.65). The emission was ascribed to the ⁴T₁ to ^(6)A¹ inter transition of Mn^(2+) with the 3d^(5) state. A Huang - Rhys coupling constant S and inhomogeneous broadening H_(inh) were obtained with the use of a full width at half maximum. These values increased with increasing composition x. We determined the thermal binding energy from integrated photoluminescence intensity. The thermal binding energy increased with increasing composition x.
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박효열,김근주,Park, Hyo-Yeol,Kim, Keun-Joo 대한전자공학회 2000 電子工學會論文誌 IE (Industry electronics) Vol.37 No.4
반도체 전공분야의 교육과정은 반도체소자를 제작하는데 있어 디자인하고 소자특성을 시뮬레이션하기 위한 반도체 설계와 반도체장비를 이용하여 재료를 가공하는 반도체공정 및 제작된 소자의 특성을 평가하고 검사하는 신뢰성 공정, 그리고 패키징 공정까지 포함된다. 반도체응용과의 교육과정을 2년 6학기제로 편성하여, 1학년은 직업인의 기본교양 및 인성교육과 함께 반도체 재료 및 회로등 전공기초 소양 및 원리를 습득하는데 중점을 두고 2학년에서는 국제적인 추세인 반도체 설계분야 및 반도체공정을 이해하게 된다. 특히, 국내의 빈약한 반도체 설계분야를 활성화하기 위하여 설계기술을 집중적으로 훈련시키고 특성화하여, 반도체 설계분야의 기능화된 인력을 공급할 수 있도록 교육과정을 편성하였다. Semiconductor technology includes from semiconductor materials, design, fabrication, handling of process equipments, reliability test to packaged semiconductor devices. Our departmental curriculum is organized with 2-years/6-quarters system of Ulsan College: the understanding for the fundamental of semiconductor is carried out in the first academic year and the training for the design skill on semiconductor devices will be focused in the second academic year. The main focus is reflected on the worldwide trend on the design engineering of semiconductor devices and considered for the market establishment on design engineers trained by the lab-oriented practice as well as the fundamental of semiconductor technology.
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