RISS 학술연구정보서비스

검색
다국어 입력

http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.

변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.

예시)
  • 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
  • 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
닫기
    인기검색어 순위 펼치기

    RISS 인기검색어

      검색결과 좁혀 보기

      • 좁혀본 항목

      • 좁혀본 항목 보기순서

        • 원문유무
        • 음성지원유무
          • 원문제공처
          • 등재정보
          • 학술지명
          • 주제분류
          • 발행연도
          • 작성언어
          • 저자

        오늘 본 자료

        • 오늘 본 자료가 없습니다.
        더보기
        • 무료
        • 기관 내 무료
        • 유료
        • KCI등재

          PIN形 非晶質 硅素 太陽電池의 製作 및 特性

          박창배,오상광,마대영,김기완,Park,,Chang-Bae,Oh,,Sang-Kwang,Ma,,Dae-Yeong,Kim,,Ki-Wan 대한전자공학회 1989 전자공학회논문지 Vol. No.

          Silane($SiH_4$), methane($CH_4$), diborane(B_2H_6)그리고 phosphine($PH_3$)을 이용하여 rf글로방전분해법으로 PIN형 a-SiC:H/a-Si:H 이종접합 태양전지를 제작하였다. $SnO_2/ITO$층 형성치 태양전지의 효율은 ITO 투명전극만의 경우보다 1.5% 향상되었다. 제작조건은 P층의 경우 $CH_4/SiH_4$의 비를 5로 하고 두께는 $100{\AA}$이었다. I층은 P층위에 증착하였으나 진성이 아니고 N형에 가깝다. 이 I층을 진성으로 바꾸기 위해서 0.3ppm의 $B_2H_6$를 $SiH_4$에 혼합하여 5000${\AA}$증착했다. 또한 N층은 $PH_4/SiH_4$의 비를 $10^{-2}$로 하여 $400{\AA}$ 증착시켰다. 그 결과 입사강도가 15mW/$cm^2$일 때 개방전압 $V_{oc}=O'$단락전류밀도 $J_{sc=14.6mA/cm^2}$, 충진율 FF=58.2%, 그리고 효율 ${eta}=8.0%$를 나타내었다. 빛의 반사에 의한 손실을 감소시키기 위하여 $MgF_2$를 유리기판위에 도포하였다. 이에 의한 효율은 0.5% 향상되어 전체적인 효율은 8.5%였다. The PIN type a-SiC:H/a-Si:H heterojunction solar cells were fabricated by using the rf glow discharge decomposition of $SiH_4$ mixed with $CH_4,B_2,H_6\;and\;PH_3.$ The efficiency of the solar cell of the $SnO_2/ITO$ was higher than that of ITO transparent oxide layer by 1.5%. The P layer was prepared with the thickness of $100{\AA}$ and $CH_4/SiH_4$ ration of 5. The I layer has been deposited on the P layer and it is not pure intrinsic but near N type. So $SiH_4$ mixed with $B_2H_6$ of 0.3ppm was used to change this N type nature to intrinsic having the thickness of 5000${\AA}$. And consecutively, the N layer was deposited with t ethickness of $400{\AA}$ using $SiH_4/PH_3$ mixtures. The solar cell demonstrated 0.94V of $V_{oc'}$ 14.6mA/cm of $J_{sc}$ and 58.2% of FF, resulting the efficiency of 8.0%. To minimize loss by the reflection of light, $MgF_2$ layer was coated on the lgass and the efficiency was improved by 0.5%. Therefore, the solar cell indicated overall efficiency of 8.5%.

        • KCI등재

          일본 공공문화시설 계획에서의 주민참여에 관한 연구

          박창배,김광현 대한건축학회지회연합회 2016 대한건축학회연합논문집 Vol.18 No.1

          본 연구는 일본에서 2000년대 전후 지방분권화, 지방행정구역 통합, 공공사업에 대한 주민참여 촉진 정책과 가이드라인 수립 등에 의해 활발히 도입된 주민참여형 계획의 배경과 특성을 분석하였다. 주민참여형 공공문화시설의 계획은 건축가들에게 사회적 건축의 의미와 실천 방법으로서 인식되기 시작했으며, 참여주민의 모집방법과 주민의 관심과 참여도가 달라졌고, 주민참여 조직이 가진 자율성과 권한은 서로 반비례하는 경향을 보였으며, 설계자 선정과정에서의 주민참여는 심사의 투명성과 시민참여의 연속성을 확보하는데 기여하였고, 사업추진 여부, 시설의 성격, 주요기능 등에 대한 검토가 지속적으로 이루어져 시설의 정체성을 구체적으로 규정해갔다. 주민참여 조직의 주요안건에 대한 판단은 조직의 구성과 참여하는 주민의 특성에 의해 영향을 받았다. This study analyzed the characteristics of citizen participation and its effects on the planning of public cultural facilities in Japan. This study started with a research on the social background in which citizen participation has been adopted widely by the local municipalities in japan, and reviewed previous researches and reports on citizen participation to find out characteristics of successful participation. Then it analyzed how the characteristics effected on planning of public cultural facilities. This study found the citizen participation has been promoted strongly by the central government's policy in the late 1990s and early 2000 when it moved towards decentralized governing and consolidation of various regional municipalities in Japan. And the success of citizen participation was related to makeup of citizen committee, authority of the committee, and openness of participation. The characteristics of citizen participation had the following effects on the planning of public cultural facilities. First, the makeup of the citizen participation committee such as, individual and affiliation influenced decision making process. Second, the level of autonomy granted influenced the public participation and was inversely proportional to the authority granted. Third, the openness of public participation helped to set the character of the facility and facilitated continued reexamination of it throughout the planning and design process. The openness of public recruiting methodologies employed had direct influence on the level of interests generated and the public participation.

        • KCI등재후보

          Si 웨이퍼/솔더/유리기판의 무플럭스 접합에 관한 연구

          박창배,홍순민,정재필,강춘식,윤승욱 대한용접접합학회 2001 대한용접·접합학회지 Vol.19 No.3

          UBM-coated Si-wafer was fluxlessly soldered with glass substrate in $N_2$ atmosphere using plasma cleaning method. The bulk Sn-37wt.%Pb solder was rolled to the sheet of $100\mu\textrm{m}$ thickness in order to bond a solder disk by fluxless 1st reflow process. The oxide layer on the solder surface was analysed by AES(Auger Electron Spectroscopy). Through rolling, the oxide layer on the solder surface became thin, and it was possible to bond a solder disk on the Si-wafer with fluxless process in $N_2$ gas. The Si-wafer with a solder disk was plasma-cleaned in order to remove oxide layer formed during 1st reflow and soldered to glass by 2nd reflow process without flux in $N_2$ atmosphere. The thickness of oxide layer decreased with increasing plasma power and cleaning time. The optimum plasma cleaning condition for soldering was 500W 12min. The joint was sound and the thicknesses of intermetallic compounds were less than $1\mu\textrm{m}$.

        • KCI등재

          Sn-37%Pb solder를 도금한 Cu 박판의 점 용접성에 관한 연구

          박창배,김미진,정재필 한국마이크로전자및패키징학회 1999 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.6 No.3

          동(CU)은 전기전자부품에 널리 사용되어 왔는데, 특히 점 저항용접된 동은 콘덴서나 저항의 리드부분에 사용되고 있다. 그러나 일반적으로 동은 전기 저항이 낮아 저항용접이 어렵다. 본 연구에서는 동의 점 용접성을 개선하기 위하여, 상대적으로 전기 저항이 높은 Sn-37%Pb 솔더를 동 표면에 도금하였다. 실험변수로, 가 압력은 100kgf에서 200kgf, 용접시간은 20ms에서 50ms, 용접전류는 100A에서 2500A까지 변화시켰다. 실험결과, 솔더 도금된 동박판은 용접전류 400~2200A, 가압력 100~200kgf, 용접시간 20~50ms범위에서 저항용접이 가능하였다. 점 용접부의 인장전단 강도는 임계 전류값까지는 용접전류가 증가함에 따라 증가하고, 임계 전류값 이후부터는 용접전류에 따라 인장전단 강도가 감소하였다. Copper has been widely used for the electronic parts, and especially spot welded one for the leads of condenser or resistor. However, copper is generally hard to be spot welded because of its low electrical resistivity. For this experiment, Sn-37%Pb solder which has relatively higher resistivity was coated on the Cu-sheet to improve the spot weldability of copper. As the experimental variables welding pressure was varied from 100 to 200kgf, welding time from 20 to 50ms, and welding current from 100 to 2500A. Experimental results showed that the solder coated Cu-sheet can be spot welded under the conditions of 400~2200A welding current, 100~200kgf pressure and 20-50ms welding time. The tensile shear strength of the spot welded joint increased with welding current up to the critical current, and after the critical value decreased with current.

        맨 위로 스크롤 이동